-
题名微波等离子增强型PVD低温溅射SiGe(C)薄膜
- 1
-
-
作者
李可为
-
机构
成都工业学院通信工程系
-
出处
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2012年第10期776-780,789,共6页
-
文摘
利用微波-电子回旋共振等离子(ECR)增强型PVD设备,低温外延生长了SiGe(C)薄膜。对所制备样品的结晶性、表面形貌和成分与衬底温度、衬底偏置电压的关系进行了讨论,采用反射式高能电子衍射仪(RHEED)、原子力显微镜(AFM)和X射线衍射仪(XRD)对薄膜的晶体质量和表面形貌进行了分析。结果表明,用单靶制备Si(C)薄膜,在衬底温度为450℃时会得到质量较好的单晶薄膜。而利用双靶制备SiGe(C)薄膜,衬底温度为400℃、衬底偏置电压-15 V时会制备出更好的单晶薄膜。在衬底温度为400℃条件下,添加电流导入端子,在原有设备和衬底温度不变的条件下,当电流导入端子电压为-15 V时,制备的SiGe(C)单晶薄膜材料的AFM均方根粗糙度(Rrms)由原来的0.52 nm降低到0.41 nm。
-
关键词
电子回旋共振等离子
sige(c)单晶薄膜
低温溅射
晶体质量
表面形貌
-
Keywords
electron cyclotron resonance（EcR）
sige（c） single crystal films
low temperature sputtering
crystal quality
surface morphology
-
分类号
TN305.92
[电子电信—物理电子学]
-
