期刊文献+
共找到80篇文章
< 1 2 4 >
每页显示 20 50 100
约瑟夫森结阵器件的研究进展 被引量:4
1
作者 郭小玮 迟宗涛 +3 位作者 曹文会 钟青 贺青 李劲劲 《计量学报》 CSCD 北大核心 2013年第4期378-382,共5页
介绍了约瑟夫森效应在电压基准方面的应用,综述了目前国内外对用于电压基准的约瑟夫森结阵的研究和发展过程,重点介绍了国内用于电压基准的Nb/Nb,Si1-x/Nb单结的研究进展。
关键词 计量学 电压基准 约瑟夫森结阵 NB Nb si1-x Nb结
下载PDF
Design and Fabrication of Power Si_(1-x)Ge_x/Si Heterojunction Bipolar Transistor for Wireless Power Amplifier Applications
2
作者 薛春来 成步文 +1 位作者 姚飞 王启明 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第1期9-13,共5页
A multi-finger structure power SiGe HBT device (with an emitter area of about 166μm^2) is fabricated with very simple 2μm double-mesa technology. The DC current gain β is 144.25. The B-C junction breakdown voltag... A multi-finger structure power SiGe HBT device (with an emitter area of about 166μm^2) is fabricated with very simple 2μm double-mesa technology. The DC current gain β is 144.25. The B-C junction breakdown voltage reaches 9V with a collector doping concentration of 1 × 10^17cm^-3 and a collector thickness of 400nm. Though our data are influenced by large additional RF probe pads, the device exhibits a maximum oscillation frequency fmax of 10.1GHz and a cut-off frequency fτ of 1.8GHz at a DC bias point of IC=10mA and VCE = 2.5V. 展开更多
关键词 siGe HBT POWER RF WIRELESS
下载PDF
Physically-based modeling for hole scattering rate in strained Si_(1-x) Ge_x/(100)Si
3
作者 王斌 胡辉勇 +2 位作者 张鹤鸣 宋建军 张玉明 《Journal of Central South University》 SCIE EI CAS CSCD 2015年第2期430-436,共7页
Based on the Fermi's golden rule and the theory of Boltzmann collision term approximation, a physically-based model for hole scattering rate(SR) in strained Si1-x Gex/(100)Si was presented, which takes into accoun... Based on the Fermi's golden rule and the theory of Boltzmann collision term approximation, a physically-based model for hole scattering rate(SR) in strained Si1-x Gex/(100)Si was presented, which takes into account a variety of scattering mechanisms,including ionized impurity, acoustic phonon, non-polar optical phonon and alloy disorder scattering. It is indicated that the SRs of acoustic phonon and non-polar optical phonon decrease under the strain, and the total SR in strained Si1-x Gex/(100)Si also decreases obviously with increasing Ge fraction(x). Moreover, the total SR continues to show a constant tendency when x is less than 0.3. In comparison with bulk Si, the total SR of strained Si1-x Gex/(100) Si decreases by about 58%. 展开更多
关键词 strained si1-x Gex biaxial stress hole scattering rate effective mass
下载PDF
Rare Earths and Magnetic Refrigeration 被引量:20
4
作者 Karl A Gschneidner Vitalij K Pecharsky 《Journal of Rare Earths》 SCIE EI CAS CSCD 2006年第6期641-647,共7页
Magnetic refrigeration is a revolutionary, efficient, environmentally friendly cooling technology, which is on the threshold of commercialization. The magnetic rare earth materials are utilized as the magnetic refrige... Magnetic refrigeration is a revolutionary, efficient, environmentally friendly cooling technology, which is on the threshold of commercialization. The magnetic rare earth materials are utilized as the magnetic refrigerants in most cooling devices, and for many cooling application the Nd2Fe14B permanent magnets are employed as the source of the magnetic field. The status of the near room temperature magnetic cooling was reviewed. 展开更多
关键词 magnetic refrigeration magnetocaloric effect GADOLINIUM Gd5 si1- x Gex 4 La Fe 13 - x six Hy Nd2 Fe14 B permanent magnets active magnetic regenerator cycle rare earths
下载PDF
Raman测量Ge/Si多层膜中Ge晶粒尺寸的理论研究 被引量:8
5
作者 吴晓昆 杨宇 吴兴惠 《红外技术》 CSCD 北大核心 2001年第1期15-18,共4页
研究了用磁控溅射方法制备的Gex/Si1-x多层膜的Ge拉曼光谱 ,在分析了多层膜中Ge微晶的分布和采用微晶壳层结构假设的条件下 ,考虑了微晶表面效应的影响 ,用声子限域模型计算了Ge纳米晶粒的拉曼谱线 ,拉曼拟合谱线为三条理论谱线的叠加... 研究了用磁控溅射方法制备的Gex/Si1-x多层膜的Ge拉曼光谱 ,在分析了多层膜中Ge微晶的分布和采用微晶壳层结构假设的条件下 ,考虑了微晶表面效应的影响 ,用声子限域模型计算了Ge纳米晶粒的拉曼谱线 ,拉曼拟合谱线为三条理论谱线的叠加。计算结果表明 :在考虑了微晶的表面效应后 ,拟合结果与实验结果符合得很好。 展开更多
关键词 拉曼光谱 多层膜 磁控溅射法 Raman测量 晶粒尺寸
下载PDF
光纤激光器的研究与发展 被引量:3
6
作者 阎春生 刘永智 《半导体光电》 CAS CSCD 北大核心 1997年第5期291-296,共6页
介绍光纤激光器的工作原理、分类以及为消除激射过程中的许多不利因素,提高光束质量而采取的技术措施,同时介绍近几年国内外光纤激光器的研究与发展。
关键词 激光器 光纤激光器 光纤元件
下载PDF
Si_(1-x-y)Ge_xC_y合金材料物理特性研究进展 被引量:2
7
作者 高勇 刘静 马丽 《微电子学》 CAS CSCD 北大核心 2005年第5期527-530,533,共5页
碳的加入为Si-Ge系统在能带和应变工程上提供了更大的灵活性。文章对Si1-x-yGexCy合金材料物理特性的研究现状进行了概述,重点分析了替位式碳原子在Si1-xGex合金应变补偿和能带工程中的作用,并对其行为机理进行了分析和总结。
关键词 si1-x-yGexCy合金 应变补偿 能带工程 替位式碳原子
下载PDF
利用Keating模型计算Si(1-x))Gex及非晶硅的拉曼频移 被引量:3
8
作者 段宝兴 杨银堂 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2009年第10期7114-7118,共5页
利用Keating模型计算了Si(1-x)Gex合金中Si—Si,Ge—Ge和Si—Ge三种振动模态的拉曼频移,计算分别获得Ge浓度为0.1,0.5和0.9时,Si—Ge的振动拉曼频移分别为402.75,413.39和388.15cm-1,这些结果与文献的实验结果符合,证明了Keating模型建... 利用Keating模型计算了Si(1-x)Gex合金中Si—Si,Ge—Ge和Si—Ge三种振动模态的拉曼频移,计算分别获得Ge浓度为0.1,0.5和0.9时,Si—Ge的振动拉曼频移分别为402.75,413.39和388.15cm-1,这些结果与文献的实验结果符合,证明了Keating模型建立的关于原子振动模型是有效的,并可以利用拉伸压缩和相邻原子键之间弹性系数变化获得处于应变状态的拉曼光谱频率.利用Keating模型首次计算得到了非晶硅材料的单声子散射峰为477.029cm-1,与文献实验结果480.0cm-1相近,说明了非晶硅中原子的总体效果与晶体硅相比处于拉伸状态. 展开更多
关键词 Keating模型 拉曼光谱 si(1-x)Gex 非晶硅
原文传递
UHV/CVD外延生长锗硅碳三元合金的应变研究 被引量:2
9
作者 王亚东 黄靖云 +3 位作者 叶志镇 章国强 亓震 赵炳辉 《真空科学与技术》 CSCD 北大核心 2001年第3期214-216,共3页
用超高真空化学气相沉积方法 ,在Si(10 0 )衬底上生长掺C高达 2 2 %的Si1-x-yGexCy 合金薄膜 ,外延层质量良好。用高分辨透射电子显微镜 ,X射线衍射 ,傅立叶红外吸收光谱以及拉曼光谱对外延层进行了检测。结果表明 :替代位C的加入 ,明... 用超高真空化学气相沉积方法 ,在Si(10 0 )衬底上生长掺C高达 2 2 %的Si1-x-yGexCy 合金薄膜 ,外延层质量良好。用高分辨透射电子显微镜 ,X射线衍射 ,傅立叶红外吸收光谱以及拉曼光谱对外延层进行了检测。结果表明 :替代位C的加入 ,明显缓解了宏观上的应变 ,但在合金中仍存在着微观应变。 展开更多
关键词 超高真空化学气相沉积 应变 锗硅碳三元合金 外延生长
下载PDF
用固相外延方法制备Si_(1-x-y)Ge_xC_y三元材料 被引量:3
10
作者 于卓 李代宗 +5 位作者 成步文 黄昌俊 雷震霖 余金中 王启明 梁骏吾 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2000年第9期862-866,共5页
分析了 Si1- x- y Gex Cy 三元系材料外延生长的特点 ,指出原子性质上的巨大差异使 Si1- x- yGex Cy 材料的制备比较困难 .固相外延生长是制备 Si1- x- y Gex Cy 的有效方法 ,但必须对制备过程各环节的条件进行优化选择 .通过实验系统... 分析了 Si1- x- y Gex Cy 三元系材料外延生长的特点 ,指出原子性质上的巨大差异使 Si1- x- yGex Cy 材料的制备比较困难 .固相外延生长是制备 Si1- x- y Gex Cy 的有效方法 ,但必须对制备过程各环节的条件进行优化选择 .通过实验系统地研究了离子注入过程中温度条件的控制对外延层质量的影响以及外延退火条件的选择与外延层结晶质量的关系 .指出在液氮温度下进行离子注入能够提高晶体质量 ,而注入过程中靶温过高会导致动态退火效应 ,影响以后的再结晶过程 .采用两步退火方法有利于消除注入引入的点缺陷 ,而二次外延退火存在着一个最佳退火温区 .在此基础上优化得出了固相外延方法制备 Si1- x- y Gex Cy/Si材料的最佳条件 . 展开更多
关键词 si1-x-yGexCy材料 固相外延 三元系 半导体材料
下载PDF
四探针法测量应变Si_(1-x)Ge_x掺杂浓度 被引量:2
11
作者 戴显英 王伟 +4 位作者 张鹤鸣 何林 张静 胡辉勇 吕懿 《西安电子科技大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2003年第2期255-258,280,共5页
在对Si1-xGex材料多子迁移率模型分析基础上,建立了Si1-xGex材料电阻率与其Ge组分、掺杂浓度关系的曲线图谱.经过对半导体材料掺杂浓度各种表征技术的分析和实验研究,提出了采用四探针法表征Si1-xGex材料掺杂浓度的技术.该表征技术与Si... 在对Si1-xGex材料多子迁移率模型分析基础上,建立了Si1-xGex材料电阻率与其Ge组分、掺杂浓度关系的曲线图谱.经过对半导体材料掺杂浓度各种表征技术的分析和实验研究,提出了采用四探针法表征Si1-xGex材料掺杂浓度的技术.该表征技术与Si材料掺杂浓度的在线检测技术相容,且更加简捷.通过实验及对Si1-xGex材料样品掺杂浓度的现代理化分析验证了其可行性. 展开更多
关键词 测量 应变 si1-xGex材料 迁移率模型 电阻率 掺杂浓度 四探针 硅锗材料 半导体材料
下载PDF
多面体共替代对Sr_2(Al_(1–x) Mg_x)(Al_(1–x) Si_(1+x))O_7:Eu^(2+)晶体结构和发光颜色的影响 被引量:1
12
作者 王庆玲 迪拉热.哈力木拉提 +1 位作者 沈玉玲 艾尔肯.斯地克 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2019年第10期40-46,共7页
采用高温固相法合成Sr_(1.98)(Al_(1–x) Mg_x)(Al_(1–x) Si_(1+x))O_7: 2%Eu^(2+)荧光粉完全固溶体,利用X射线衍射、光致发光光谱和光学显微镜进行晶体结构和发光性能的研究. Sr_2Al_2SiO_7和Sr_2MgSi_2O_7同构化合物中包含[MgO_4]、[... 采用高温固相法合成Sr_(1.98)(Al_(1–x) Mg_x)(Al_(1–x) Si_(1+x))O_7: 2%Eu^(2+)荧光粉完全固溶体,利用X射线衍射、光致发光光谱和光学显微镜进行晶体结构和发光性能的研究. Sr_2Al_2SiO_7和Sr_2MgSi_2O_7同构化合物中包含[MgO_4]、[SiO_4]和[AlO_4]四面体,较大体积的[MgO_4]和较小体积的[SiO_4],共同替代体积相似的[AlO_4],导致[(Si/Al)O_4]收缩和[(Mg/Al)O_4]膨胀,晶胞参数c减少, a和V增大,使Eu^(2+)周围的环境发生改变,晶体场劈裂程度减小,发射峰位从503 nm蓝移至467 nm,实现发光光谱从绿色(0.2384, 0.3919)到蓝色(0.1342,0.1673)的转变.当x为0时,发射峰的半高宽为120 nm, x从0.25增加到1时,半高宽由89 nm逐渐减小至50 nm,多面体的替代会改变荧光粉的发光性能. 展开更多
关键词 Sr2(Al1x Mgx)(Al1x si1+x)O7 光致发光 共替代 配位多面体
下载PDF
Ge 组分对应变 Si1-x Gex 沟道 P-MOSFET 电学特性影响 被引量:2
13
作者 杨洲 王茺 +2 位作者 王洪涛 胡伟达 杨宇 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2011年第7期547-552,共6页
利用二维数值模拟方法,研究了不同Ge组分应变Si1-xGex沟道p-MOSFET的电容-电压特性以及阈值电压的变化情况.计算结果表明:提高应变Si1-xGex沟道层中的Ge组分,器件亚阈值电流明显增大;栅电容在器件进入反型状态时产生显著变化;阈值电压... 利用二维数值模拟方法,研究了不同Ge组分应变Si1-xGex沟道p-MOSFET的电容-电压特性以及阈值电压的变化情况.计算结果表明:提高应变Si1-xGex沟道层中的Ge组分,器件亚阈值电流明显增大;栅电容在器件进入反型状态时产生显著变化;阈值电压的改变量与Ge组分基本成线性关系.通过改变Si1-xGex沟道的长度,并结合相关物理模型,在低电场情况下,沟道中的空穴迁移率与总电阻对沟道长度的微分成反比关系. 展开更多
关键词 应变si1-x Gex 沟道 P-MOSFET 空穴迁移率 栅电容
原文传递
GeSi/Si多层异质外延载流子浓度的分布 被引量:3
14
作者 张秀兰 朱文珍 黄大定 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2001年第3期288-291,共4页
通过实验确定了一种与 Gex Si1 - x合金表面具有良好电化学界面的电解液 ,利用电化学 C- V方法研究了多层Gex Si1 - x/ Si异质外延材料的载流子浓度纵向分布 .实验结果表明 :采用这种电解液 ,利用电化学 C- V载流子浓度纵向分布测量仪检... 通过实验确定了一种与 Gex Si1 - x合金表面具有良好电化学界面的电解液 ,利用电化学 C- V方法研究了多层Gex Si1 - x/ Si异质外延材料的载流子浓度纵向分布 .实验结果表明 :采用这种电解液 ,利用电化学 C- V载流子浓度纵向分布测量仪检测 Gex Si1 - x/ Si异质材料的载流子浓度纵向分布 ,重复性好 。 展开更多
关键词 电解液 电化学C-V法 硅化锗 载流子浓度 多层异质外延
下载PDF
C离子注入Si中Si-C合金的形成及其特征 被引量:1
15
作者 王引书 李晋闽 +2 位作者 王玉田 王衍斌 林兰英 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2001年第8期979-984,共6页
利用离子注入和高温退火的方法在 Si中生长了 C含量为 0 .6 %— 1.0 %的 Si1 - x Cx 合金 ,研究了注入过程中产生的损伤缺陷、注入 C离子的剂量及退火工艺对合金形成的影响 ,探讨了合金的形成机理及合金产生的应变分布的起因 .如果注入... 利用离子注入和高温退火的方法在 Si中生长了 C含量为 0 .6 %— 1.0 %的 Si1 - x Cx 合金 ,研究了注入过程中产生的损伤缺陷、注入 C离子的剂量及退火工艺对合金形成的影响 ,探讨了合金的形成机理及合金产生的应变分布的起因 .如果注入的 C离子剂量小于引起 Si非晶化的剂量 ,退火过程中注入产生的损伤缺陷容易与 C原子结合形成缺陷团簇 ,难于形成 Si1 - x Cx 合金 ,而预先利用 Si离子注入引进损伤有利于 Si1 - x Cx 合金的形成 ;但如果注入的C离子可以引起 Si的非晶化 ,预先注入产生的损伤缺陷不利于 Si1 - x Cx 合金的形成 .与慢速退火工艺相比 ,快速热退火工艺有利于 Si1 - x Cx 合金的形成 .离子注入的 C原子在空间分布不均匀 ,退火过程中将形成应变不同的 Si1 - x-Cx 合金区域 . 展开更多
关键词 离子注入 损伤缺陷 应变分布 碳化硅合金
下载PDF
应变层Si_(1-x-y)Ge_xC_y合金研究 被引量:3
16
作者 于卓 余金中 +2 位作者 成步文 王启明 梁骏吾 《半导体杂志》 1997年第2期25-33,共9页
本文综述了Si1-x-yGexCy合金的研究进展,包括合金的应变补偿效应、微观结构。
关键词 合金 应变补偿 能带结构 碳化硅 半导体材料
下载PDF
UHV/CVD生长锗硅材料的偏析现象 被引量:2
17
作者 吴贵斌 崔继锋 +1 位作者 黄靖云 叶志镇 《材料科学与工程学报》 CAS CSCD 北大核心 2004年第2期161-163,共3页
本文对利用超高真空CVD方法生长的Si1 -xGex 合金外延层中的锗表面分布情况和Ge在界面偏析现象进行了深入的研究。通过XPS和SIMS图谱的研究 ,指出表面由于锗的偏析 ,造成锗在体内和表面的含量不同 ,在低温时生长锗硅合金 ,表面氢原子的... 本文对利用超高真空CVD方法生长的Si1 -xGex 合金外延层中的锗表面分布情况和Ge在界面偏析现象进行了深入的研究。通过XPS和SIMS图谱的研究 ,指出表面由于锗的偏析 ,造成锗在体内和表面的含量不同 ,在低温时生长锗硅合金 ,表面氢原子的吸附可有效地抑制锗的偏析 ,但随着温度的升高 。 展开更多
关键词 超高真空化学气相沉积法 锗硅合金 偏析现象 二次离子质谱仪 x射线光电子谱
下载PDF
微晶Si_(1-x)C_x:F:H薄膜X衍射和XPS研究
18
作者 郑承志 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 1993年第3期216-220,共5页
用PECVD法分解SiH_4,CF_4,PH_3和H_2混合气体制备电导性能良好的磷重掺杂微晶Si_(1-x)C_x:F:H薄膜;薄膜的X衍射谱表明其结构为非晶-微晶两相混合结构;膜中C的XPS峰表现为F键合C和无F键合C两种信号的叠加;F键合c含量增大时,薄膜电导率迅... 用PECVD法分解SiH_4,CF_4,PH_3和H_2混合气体制备电导性能良好的磷重掺杂微晶Si_(1-x)C_x:F:H薄膜;薄膜的X衍射谱表明其结构为非晶-微晶两相混合结构;膜中C的XPS峰表现为F键合C和无F键合C两种信号的叠加;F键合c含量增大时,薄膜电导率迅速下降。文中提出了薄膜结构模型及能带模型。 展开更多
关键词 x衍射 xPS 混合结构 siC:F:H薄膜
下载PDF
Mg2Si1-xSnx合金热电性能的第一性原理计算预测 被引量:1
19
作者 李鑫 谢辉 +1 位作者 魏鑫 张亚龙 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2020年第18期18098-18103,共6页
作为最具潜质的中温区热电材料之一,Mg 2Si 1-x Sn x基合金由于其低廉的成本和无毒无害等优点,在过去十几年受到广泛关注。Si和Sn原子间具有较大的质量差,有利于声子的合金化散射,使得晶格热导率极大降低(可达到1.8 W·m-1·K-... 作为最具潜质的中温区热电材料之一,Mg 2Si 1-x Sn x基合金由于其低廉的成本和无毒无害等优点,在过去十几年受到广泛关注。Si和Sn原子间具有较大的质量差,有利于声子的合金化散射,使得晶格热导率极大降低(可达到1.8 W·m-1·K-1),解决了二元Mg 2Sn合金热导率较高的问题。大多数Mg 2Si 1-x Sn x合金通过降低晶粒尺寸来进一步降低晶格热导率,从而优化热电性能,然而,这类材料制备的热电器件在高温服役过程中容易出现由于晶粒长大导致的性能降低。因此,通过提高功率因子,如掺杂、能带工程等方法,来优化热电性能是更加可靠的路径。本工作采用第一性原理计算方法,对不同Sn成分的Mg 2Si 1-x Sn x(0.25≤x≤0.75)固溶体进行电子结构分析和热电性能预测。结果表明,在x=0.625时产生了能带收敛效应,可以在不影响电导率的前提下有效提高Seebeck系数值。计算预测的Seebeck系数在掺杂浓度为3×1020 cm-3时取得最大值-246μV·K-1,功率因子最高可达6.2 mW·m-1·K-2,不同温度下的Seebeck系数和电导率预测结果与高温度梯度定向凝固试样测试所得的结果拟合较好。根据测试所得的热导率结果,在T=700 K处计算预测的最大ZT值为1.3,而实验测试值为1.16,同时,在中温区550~800 K之间预测和实验测试的ZT值分别可以保持在1.0和0.9以上。因此,通过优化功率因子的方法可以有效提高Mg 2Si 1-x Sn x晶体的热电性能,为此类热电材料的性能优化提供了新的思路。 展开更多
关键词 第一性原理计算 Mg 2si 1- x SN x 热电性能 定向凝固
下载PDF
Si_(1-x)Ge_x/Si Y-分支波长信号分离器 被引量:1
20
作者 李宝军 李国正 刘恩科 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 1997年第4期251-255,共5页
利用Si1-xGex的等离子体色散效应,对1.3μm和1.55μm光通信波长的Si基Si1-xGex波长信号分离器进行了理论分析,设计了结构参数和电学参数,并分析了其分支特性.
关键词 si1-xGEx 光波导 波长信号分离器
下载PDF
上一页 1 2 4 下一页 到第
使用帮助 返回顶部