期刊文献+
共找到39篇文章
< 1 2 >
每页显示 20 50 100
Photoelectrocatalytic reduction of CO_2 to methanol over a photosystem Ⅱ-enhanced Cu foam/Si-nanowire system 被引量:5
1
作者 Zichao Lian Donglai Pan +3 位作者 Wenchao Wang Dieqing Zhang Guisheng Li Hexing Li 《Journal of Environmental Sciences》 SCIE EI CAS CSCD 2017年第10期108-113,共6页
A solar-light double illumination photoelectrocatalytic cell(SLDIPEC) was fabricated for autonomous CO2 reduction and O2 evolution with the aid of photosystem II(PS-II, an efficient light-driven water-oxidized enzy... A solar-light double illumination photoelectrocatalytic cell(SLDIPEC) was fabricated for autonomous CO2 reduction and O2 evolution with the aid of photosystem II(PS-II, an efficient light-driven water-oxidized enzyme from nature) and utilized in a photoanode solution. The proposed SLPEC system was composed of Cu foam as the photoanode and p-Si nanowires(Si-NW) as the photocathode. Under solar irradiation, it exhibited a super-photoelectrocatalytic performance for CO2 conversion to methanol, with a high evolution rate(41.94 mmol/hr), owing to fast electron transfer from PS-II to Cu foam.Electrons were subsequently trapped by Si-NW through an external circuit via bias voltage(0.5 V), and a suitable conduction band potential of Si(-0.6 e V) allowed CO2 to be easily reduced to CH3 OH at the photocathode. The constructed Z-scheme between Cu foam and Si-NW can allow the SLDIPEC system to reduce CO2(8.03 mmol/hr) in the absence of bias voltage. This approach makes full use of the energy band mismatch of the photoanode and photocathode to design a highly efficient device for solving environmental issues and producing clean energy. 展开更多
关键词 Photoelectrocatalytic CO2 Reduction Photosystem Cu foam si-nanowires
原文传递
Au/SiO2复合纳米颗粒膜及SiO2纳米线的制备
2
作者 李玉国 卓博世 +3 位作者 张敬尧 崔传文 张月甫 扬爱春 《纳米科技》 2009年第4期35-37,41,共4页
室温下用磁控溅射法在Si(111)衬底上生成Au/SiO2复合纳米颗粒膜,并分不同温度进行退火处理。1000℃退火时自组装生成空间分布均匀(直径约为70nm)的Au纳米点,从而用自组装生长方法制备了生长一维纳米材料的模板,然后,将Au催化... 室温下用磁控溅射法在Si(111)衬底上生成Au/SiO2复合纳米颗粒膜,并分不同温度进行退火处理。1000℃退火时自组装生成空间分布均匀(直径约为70nm)的Au纳米点,从而用自组装生长方法制备了生长一维纳米材料的模板,然后,将Au催化剂模板在1100℃下退火处理,生成纳米线,SEM和TEM测试,制备的SiO2纳米线直径约为100nm,长度约为4μm,表面光滑,直且粗细均匀。 展开更多
关键词 磁控溅射 模板 siO2纳米线
下载PDF
硅纳米线的固-液-固热生长及升温特性研究 被引量:8
3
作者 邢英杰 奚中和 +4 位作者 俞大鹏 杭青岭 严涵斐 冯孙齐 薛增泉 《电子与信息学报》 EI CSCD 北大核心 2003年第2期259-262,共4页
该文报道一种直接在硅片上热生长硅纳米线的新方法.与传统的VLS生长机制不同,该方法在生长硅纳米线的过程中没有引入任何气态或液态硅源,是一种全新的固-液-固(SLS)生长机制.实验中使用了Ni,Au等金属作为催化剂,由Ar,H2等作为载流气体.... 该文报道一种直接在硅片上热生长硅纳米线的新方法.与传统的VLS生长机制不同,该方法在生长硅纳米线的过程中没有引入任何气态或液态硅源,是一种全新的固-液-固(SLS)生长机制.实验中使用了Ni,Au等金属作为催化剂,由Ar,H2等作为载流气体.系统压强为2 5×104Pa,生长温度为950-1000℃.生长出的硅纳米线表面光滑,呈纯非舳态,直径为10-40nm,长度可达数十微米.升温特性对硅纳米线SLS热生长起重要作用.研究了各项实验参数(包括气氛压强,加热温度及加热时间等)对硅纳米线生长的影响. 展开更多
关键词 硅纳米线 SLS生长机制 升温特性 一维纳米材料 制备方法
下载PDF
Fabrication and Optical Properties of Silicon Nanowires Arrays by Electroless Ag-catalyzed Etching 被引量:4
4
作者 Jie Tang Jianwei Shi +1 位作者 Lili Zhou Zhongquan Ma 《Nano-Micro Letters》 SCIE EI CAS 2011年第2期129-134,共6页
In order to realize ultralow surface reflectance and broadband antireflection effects which common pyramidal textures and antireflection coatings can't achieve in photovoltaic industry,we used low-cost and easy-ma... In order to realize ultralow surface reflectance and broadband antireflection effects which common pyramidal textures and antireflection coatings can't achieve in photovoltaic industry,we used low-cost and easy-made Ag-catalyzed etching techniques to synthesize silicon nanowires(Si NWs) arrays on the substrate of single-crystalline silicon.The dense vertically-aligned Si NWs arrays are fabricated by local oxidation and selective dissolution of Si in etching solution containing Ag catalyst.The Si NWs arrays with 3 μm in depth make reflectance reduce to less than 3% in the range of 400 to 1000 nm while reflectance gradually reached the optimum value with the increasing of etching time.The antireflection of Si NWs arrays are based on indexgraded mechanism:Si NWs arrays on a subwavelength scale strongly scatter incident light and have graded refractive index that enhance the incidence of light in usable wavelength range.However,surface recombination of Si NWs arrays are deteriorated due to numerous dangling bonds and residual Ag particles. 展开更多
关键词 si nanowires Ag-catalyzed etching Broadband antireflection Surface recombination
下载PDF
硅纳米线和聚3-十二烷基噻吩混合薄膜在场效应晶体管中的应用研究 被引量:5
5
作者 朱昊云 黄威 +1 位作者 黄宇立 汪伟志 《化学学报》 SCIE CAS CSCD 北大核心 2016年第5期429-434,共6页
为了提高聚3-十二烷基噻吩的场效应迁移率,将硅纳米线混入聚3-十二烷基噻吩的溶液中制成薄膜.退火后的聚3-十二烷基噻吩能够自组装成有序的微晶结构,有利于电子传输.聚3-十二烷基噻吩薄膜在场效应晶体管中能够获得0.015 cm2·V^(-1)... 为了提高聚3-十二烷基噻吩的场效应迁移率,将硅纳米线混入聚3-十二烷基噻吩的溶液中制成薄膜.退火后的聚3-十二烷基噻吩能够自组装成有序的微晶结构,有利于电子传输.聚3-十二烷基噻吩薄膜在场效应晶体管中能够获得0.015 cm2·V^(-1)·s^(-1)的迁移率,而混合薄膜能够获得高达0.68 cm2·V^(-1)·s^(-1)的迁移率.这是因为硅纳米线优异的电子传输性能使得电子通过硅纳米线就像通过快速通道一样,从而能够缩短电子在场效应晶体管中的传输时间,提高传输速度.此外,使用离子胶作为介电层也能够提升场效应晶体管的性能,混合薄膜能够获得高达6.2 cm2·V^(-1)·s^(-1)的迁移率. 展开更多
关键词 硅纳米线 聚3-十二烷基噻吩 共轭聚合物 场效应晶体管 离子胶
原文传递
A stepwise-designed Rh-Au-Si nanocomposite that surpasses Pt/C hydrogen evolution activity at high overpotentials 被引量:3
6
作者 Binbin Jiang Lulu Yang +4 位作者 Fan Liao Minqi Sheng Haozhe Zhao Haiping Lin Mingwang Shao 《Nano Research》 SCIE EI CAS CSCD 2017年第5期1749-1755,共7页
Hydrogen evolution by electrocatalysis clean energy. However, it is challenging is an attractive method of supplying to find cheap and efficient alternatives to rare and expensive platinum based catalysts. Pt provides... Hydrogen evolution by electrocatalysis clean energy. However, it is challenging is an attractive method of supplying to find cheap and efficient alternatives to rare and expensive platinum based catalysts. Pt provides the best hydrogen evolution performance, because it optimally balances the free energies of adsorption and desorption. Appropriate control of these quantities is essential for producing an efficient electrocatalyst. We demonstrate, based on first principles calculations, a stepwise designed Rh-Au-Si ternary catalyst, in which adsorption (the Volmer reaction) and desorption (the Heyrovsky reaction) take place on Rh and Si surfaces, respectively. The intermediate Au surface plays a vital role by promoting hydrogen diffusion from the Rh to the Si surface. Theoretical predictions have been explored extensively and verified by experimental observations. The optimized catalyst (Rh-Au-SiNW-2) has a com- position of 2.2:28.5:69.3 (Rh:Au:Si mass ratio) and exhibits a Tafel slope of 24.0 mV.dec-L Its electrocatalytic activity surpasses that of a commercial 40 wt.% Pt/C catalyst at overpotentials above 0.19 V by exhibiting a current density of greater than 108 mA-cm-2. At 0.3 V overpotential, the turnover frequency of Rh-Au-SiNW-2 is 10.8 times greater than that of 40 wt.% Pt/C. These properties may open new directions in the stepwise design of highly efficient catalysts for the hydrogen evolution reaction (HER). 展开更多
关键词 Au nanoparticles Rh nanoparticles si nanowires ELECTROCATALYsiS hydrogen evolutionreaction
原文传递
Eu掺杂Si纳米线的光致发光特性 被引量:3
7
作者 范志东 周子淳 +2 位作者 刘绰 马蕾 彭英才 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2015年第14期347-351,共5页
利用Si(111)衬底,以Au-Al为金属催化剂,基于固-液-固生长机理,在温度为1100°C,N2气流量为1.5 L/min、生长时间为30—90 min等工艺条件下,制备了直径约为100 nm、长度为数微米的高密度、均匀分布、大面积的Si纳米线(~1010cm 2).对S... 利用Si(111)衬底,以Au-Al为金属催化剂,基于固-液-固生长机理,在温度为1100°C,N2气流量为1.5 L/min、生长时间为30—90 min等工艺条件下,制备了直径约为100 nm、长度为数微米的高密度、均匀分布、大面积的Si纳米线(~1010cm 2).对Si纳米线进行了Eu掺杂,实验研究了不同长度的Si纳米线以及不同掺杂温度、掺杂时间等工艺参数对Eu离子红光发射的影响,利用扫描电子显微镜和X射线衍射仪对Si纳米线表面形貌和Eu掺杂后Si纳米线的结晶取向进行了测量和表征;室温下利用Hitachi F-4600型荧光分光光度计对样品的激发光谱和发射光谱进行了测试和分析.结果表明:在Si纳米线生长时间为30 min、掺杂温度为1000°C、最佳激发波长为395 nm时,样品最强荧光波长为619 nm(5D0→7F2);同时,还出现了576 nm(5D0→7F0),596 nm(5D0→7F1),658 nm(5D0→7F3)和708 nm(5D0→7F4)四条谱带. 展开更多
关键词 si纳米线 EU掺杂 光致发光
下载PDF
聚苯乙烯纳米球模板和Si衬底的微结构随离子束轰击时间的演变规律 被引量:1
8
作者 李东泽 张明灵 +2 位作者 杨杰 王茺 杨宇 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2020年第24期24155-24159,共5页
使用离子束正入射轰击Si衬底上有序密排的聚苯乙烯(PS)纳米球模板,通过分析PS纳米球和Si衬底的微结构与离子束轰击时间的关系,研究了离子束的非选择性刻蚀对PS纳米球和Si衬底的刻蚀作用。实验结果表明:随着离子束轰击时间的延长,PS纳米... 使用离子束正入射轰击Si衬底上有序密排的聚苯乙烯(PS)纳米球模板,通过分析PS纳米球和Si衬底的微结构与离子束轰击时间的关系,研究了离子束的非选择性刻蚀对PS纳米球和Si衬底的刻蚀作用。实验结果表明:随着离子束轰击时间的延长,PS纳米球的直径和高度都呈单调递减的趋势,但是高度减小得更快。在这个过程中,PS纳米颗粒发生了由对称的圆形到非对称的圆形再到圆锥形的形貌转变,第一阶段的形变是离子束的各向异性刻蚀造成的,第二阶段可能与离子束的长时间轰击导致的热量积累有关。当PS纳米颗粒的尺寸和形貌发生变化的同时,Si衬底的微结构也在改变。当轰击时间为4 min时,在PS纳米颗粒下方观察到凸起的Si平台,随着时间的延长,Si平台的底端直径呈先稳定后减小的趋势,其高度则持续增加。同样,Si平台也经历着形貌的转变,第一阶段由圆柱形平台向截顶圆锥形平台转变,该形貌转变导致Si平台底端直径在轰击初期保持稳定;第二阶段发生在PS纳米颗粒消失后,由截顶圆锥形转变为圆锥形,形成了有序的Si纳米锥阵列,其直径在65~100 nm范围内。结合金属辅助化学刻蚀以及合适的非密排PS纳米颗粒模板,制备出有序的Si纳米线阵列,纳米线的直径为70~124 nm。这些结果为新型有序纳米材料的研制和应用提供了一定的基础及参考。 展开更多
关键词 离子束刻蚀 纳米球刻蚀 有序阵列 si纳米线 si纳米锥
下载PDF
热蒸发法制备第Ⅳ族半导体纳米线的研究进展
9
作者 李瑞 张析 +1 位作者 张丹青 向钢 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2013年第11期27-32,共6页
系统地分析了压强和温度在热蒸发法生长中对Si纳米线的产量和形貌结构的影响,并全面解析了用热蒸发法制备Ⅳ族纳米线的氧化物辅助生长机理。同时,对国内外采用热蒸发法制备第Ⅳ族半导体(Si、Ge、SiGe)纳米线的研究现状进行了详细介绍,... 系统地分析了压强和温度在热蒸发法生长中对Si纳米线的产量和形貌结构的影响,并全面解析了用热蒸发法制备Ⅳ族纳米线的氧化物辅助生长机理。同时,对国内外采用热蒸发法制备第Ⅳ族半导体(Si、Ge、SiGe)纳米线的研究现状进行了详细介绍,并展望了其应用前景。 展开更多
关键词 热蒸发法 第Ⅳ族半导体 si纳米线 Ge纳米线 siGe纳米线
下载PDF
Low-Programmable-Voltage Nonvolatile Memory Devices Based on Omega-shaped Gate Organic Ferroelectric P(VDF-TrFE) Field Effect Transistors Using p-type Silicon Nanowire Channels 被引量:1
10
作者 Ngoc Huynh Van Jae-Hyun Lee +1 位作者 Dongmok Whang Dae Joon Kang 《Nano-Micro Letters》 SCIE EI CAS 2015年第1期35-41,共7页
A facile approach was demonstrated for fabricating high-performance nonvolatile memory devices based on ferroelectric-gate field effect transistors using a p-type Si nanowire coated with omega-shaped gate organic ferr... A facile approach was demonstrated for fabricating high-performance nonvolatile memory devices based on ferroelectric-gate field effect transistors using a p-type Si nanowire coated with omega-shaped gate organic ferroelectric poly(vinylidene fluoride-trifluoroethylene)(P(VDF-Tr FE)). We overcame the interfacial layer problem by incorporating P(VDF-Tr FE) as a ferroelectric gate using a low-temperature fabrication process. Our memory devices exhibited excellent memory characteristics with a low programming voltage of ±5 V, a large modulation in channel conductance between ON and OFF states exceeding 105, a long retention time greater than 3 9 104 s, and a high endurance of over 105 programming cycles while maintaining an ION/IOFFratio higher than 102. 展开更多
关键词 si nanowires Field effect transistor Ferroelectric memory
下载PDF
应变加载下Si纳米线电输运性能的原位电子显微学研究 被引量:2
11
作者 王疆靖 邵瑞文 +1 位作者 邓青松 郑坤 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2014年第11期267-273,共7页
半导体纳米材料超大的弹性极限使其物理性能具有很宽的调谐范围,被认为是应变工程理想的研究材料,引起了人们广泛的关注.本研究中,利用聚焦离子束技术从p型Si的单晶薄膜上切割出?100?取向的单根纳米线,在透射电子显微镜中利用纳米操控... 半导体纳米材料超大的弹性极限使其物理性能具有很宽的调谐范围,被认为是应变工程理想的研究材料,引起了人们广泛的关注.本研究中,利用聚焦离子束技术从p型Si的单晶薄膜上切割出?100?取向的单根纳米线,在透射电子显微镜中利用纳米操控系统对其加载弯曲形变,同时实时监测其电流-电压曲线的变化,研究弯曲应变对其电学性能的影响.结果表明,随着应变的增大,纳米线输运性能明显增强,当应变接近2%时,输运性能随应变的提升接近饱和;当应变达到3%以后,输运性能有时会略微下降,这可能由塑形事件导致的.本实验结果可能会对Si应变工程起到重要的参考意义. 展开更多
关键词 si纳米线 应变 塑性形变 电输运性能
原文传递
钼网衬底上大面积硅纳米线的制备及其光催化性能研究 被引量:2
12
作者 黄奔 李玄泽 +3 位作者 王磊 夏静 朱丹丹 孟祥敏 《影像科学与光化学》 CAS CSCD 北大核心 2016年第3期257-264,共8页
硅纳米材料广泛应用于光功能导向的各个领域,发展针对光功能应用及一维硅纳米结构的规模化可控制备方法,实现硅纳米结构的宏量制备,将为硅纳米结构的应用提供材料保障。本文采用简单的化学气相沉积法成功地在Mo网衬底上制备了大面积的... 硅纳米材料广泛应用于光功能导向的各个领域,发展针对光功能应用及一维硅纳米结构的规模化可控制备方法,实现硅纳米结构的宏量制备,将为硅纳米结构的应用提供材料保障。本文采用简单的化学气相沉积法成功地在Mo网衬底上制备了大面积的硅纳米线(SiNWs),并通过扫描电子显微镜、透射电子显微镜、X射线粉末衍射仪、拉曼光谱仪,对制备的SiNWs进行了详细的研究。通过在低功率紫外光照射下SiNWs对罗丹明B和甲基蓝的光降解能力的研究,发现在Mo网衬底上生长的SiNWs对于有机染料具有很好的降解能力。 展开更多
关键词 硅纳米线 化学气相沉积法 Mo网衬底 光催化
下载PDF
合成温度对C/C复合材料表面SiC纳米线制备的影响
13
作者 强新发 严龙 +2 位作者 方青 陈宁宇 张薛佳 《中国材料进展》 CAS CSCD 北大核心 2017年第12期950-955,共6页
为了提升C/C复合材料表面SiC涂层的韧性及其与基体的结合强度,以三氯甲基硅烷为前驱体,采用常压化学气相沉积法在C/C复合材料表面制备了SiC纳米线,研究了不同合成温度对纳米线的物相、形貌和结构的影响。借助XRD、SEM、TEM和EDS对所制... 为了提升C/C复合材料表面SiC涂层的韧性及其与基体的结合强度,以三氯甲基硅烷为前驱体,采用常压化学气相沉积法在C/C复合材料表面制备了SiC纳米线,研究了不同合成温度对纳米线的物相、形貌和结构的影响。借助XRD、SEM、TEM和EDS对所制备的纳米线进行物相、形貌和结构的表征,结果表明1300℃下可制备得到较为纯净的Si C纳米线,形状平直,表面光滑,取向随机呈网状分布,直径大约为100~160 nm,长度可达几百微米;随着合成温度的不断升高,纳米线的物相逐渐由β-SiC和Si双相转变为单一的β-SiC相,其中Si相是以单晶Si纳米线的形式夹杂在SiC纳米线中;另外,纳米线的沉积速率也随着温度的升高大幅度增加,产量增多,致密性增高。 展开更多
关键词 C/C复合材料 siC纳米线 化学气相沉积 si纳米线
下载PDF
Atomistic simulations of the tensile and melting behavior of silicon nanowires
14
作者 荆宇航 孟庆元 赵伟 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2009年第6期20-24,共5页
Molecular dynamics simulations with Stillinger-Weber potential are used to study the tensile and melting behavior of single-crystalline silicon nanowires(SiNWs).The tensile tests show that the tensile behavior of th... Molecular dynamics simulations with Stillinger-Weber potential are used to study the tensile and melting behavior of single-crystalline silicon nanowires(SiNWs).The tensile tests show that the tensile behavior of the SiNWs is strongly dependent on the simulation temperature,the strain rate,and the diameter of the nanowires.For a given diameter,the critical load significantly decreases as the temperature increases and also as the strain rate decreases.Additionally,the critical load increases as the diameter increases.Moreover,the melting tests demonstrate that both melting temperature and melting heat of the SiNWs decrease with decreasing diameter and length,due to the increase in surface energy.The melting process of SiNWs with increasing temperature is also investigated. 展开更多
关键词 si nanowires molecular dynamics tensile behavior melting behavior
原文传递
基于Au辅助化学刻蚀法实现低成本制备硅纳米线阵列 被引量:1
15
作者 段花花 李新化 +4 位作者 周步康 史同飞 李宁 陈健 王玉琦 《半导体光电》 CAS 北大核心 2015年第4期597-601,649,共6页
Au在Si表面的成膜质量对金属辅助化学刻蚀法制备硅纳米线至关重要。以Ti、Cr作为浸润层,可显著改善Au在硅表面的成岛趋势,获得优质的Au膜并大幅度减少Au的使用量。同时,针对加入Ti、Cr后对Au辅助化学刻蚀影响的研究表明,Cr在刻蚀液中是... Au在Si表面的成膜质量对金属辅助化学刻蚀法制备硅纳米线至关重要。以Ti、Cr作为浸润层,可显著改善Au在硅表面的成岛趋势,获得优质的Au膜并大幅度减少Au的使用量。同时,针对加入Ti、Cr后对Au辅助化学刻蚀影响的研究表明,Cr在刻蚀液中是稳定的,因此阻碍了Au催化刻蚀反应,而Ti与反应溶液快速反应,不影响Au对Si衬底化学刻蚀的催化作用。基于以上工作,以PS球为模板沉积制备Ti/Au(3nm/20nm)优质膜,使用金属辅助化学刻蚀,制备了有序的Si纳米线阵列。 展开更多
关键词 Au膜 金属辅助化学刻蚀 si纳米线 浸润层 低成本
下载PDF
Tb掺杂Si纳米线的光致发光特性 被引量:1
16
作者 范志东 周子淳 +2 位作者 刘绰 马蕾 彭英才 《光谱学与光谱分析》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2016年第7期2055-2058,共4页
以金属Au-Al为催化剂,在温度为1 100℃,N_2气流量为1 500 sccm、生长时间为30 min,从Si(100)衬底上直接生长了直径约为50~120 nm、长度为数百纳米的高密度、大面积的Si纳米线。然后,利用Tb_2O_3在不同温度(1 000~1 200℃)、掺杂时间(30~... 以金属Au-Al为催化剂,在温度为1 100℃,N_2气流量为1 500 sccm、生长时间为30 min,从Si(100)衬底上直接生长了直径约为50~120 nm、长度为数百纳米的高密度、大面积的Si纳米线。然后,利用Tb_2O_3在不同温度(1 000~1 200℃)、掺杂时间(30~90 min)和N_2气流量(0~1 000 sccm)等工艺条件下对Si纳米线进行了Tb掺杂。最后,对Si(100)衬底进行了Tb掺杂对比。室温下,利用荧光分光光度计(Hita—chi F-4600)测试了Tb掺杂Si纳米线的光致发光特性。实验研究了不同掺杂工艺参数(温度、时间和N_2气流量)对Tb^(3+)绿光发射的影响。根据Tb^(3+)能级结构和跃迁特性对样品的发射光谱进行了分析。结果表明,在温度为1 100℃,N_2气流量为1 500 sccm、时间为30 min等条件下制备的Si纳米线为掺杂基质,Tb掺杂温度为1 100℃,N_2气流量为1 000 sccm、光激发波长为243 nm时,获得了最强荧光发射,其波长为554nm(~5D_4→~7F_5),同时还出现强度相对较弱的494 nm(~5D_4→~7F_6),593 nm(~5D_4→~7F_4)和628 nm(~5D_4→~7F_3)三条谱带。Tb掺杂的体Si衬底在波长554 nm处仅有极其微弱的光致发光峰。 展开更多
关键词 si纳米线 Tb掺杂 光致发光
下载PDF
常压下金催化硅纳米线生长实验研究 被引量:1
17
作者 于蕾 凌晨晓骥 +2 位作者 马昕瑶 闫帅 崔益民 《大学物理实验》 2012年第3期1-4,13,共5页
采用固-液-固(SLS)生长机制,研究常压下金催化硅纳米线的制备方法。实验中将硅基Au薄膜在氩氢气中退火,退火温度为1 050℃和1 080℃,退火完成后在扫描电镜下观察硅片表面的形貌变化,分析不同退火温度、通气量和金膜厚度下的实验结果,并... 采用固-液-固(SLS)生长机制,研究常压下金催化硅纳米线的制备方法。实验中将硅基Au薄膜在氩氢气中退火,退火温度为1 050℃和1 080℃,退火完成后在扫描电镜下观察硅片表面的形貌变化,分析不同退火温度、通气量和金膜厚度下的实验结果,并在此基础上进一步讨论了各变量对硅纳米线的生长影响及其机理。 展开更多
关键词 硅纳米线 常压 SLS生长机制
下载PDF
Ce掺杂Si纳米线的制备及其蓝光发射特性
18
作者 范志东 刘绰 +2 位作者 李旭 马蕾 彭英才 《光谱学与光谱分析》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2018年第1期281-284,共4页
以抛光和"金字塔"织构表面的单晶Si(100)为衬底,分别以Au和Au-Al为金属催化剂,在温度为1 100℃、N2气流量为1 500sccm、生长时间为15~60min等工艺条件下,制备了直径约为50~200nm、长度为数微米至数十微米和不同分布的Si纳米... 以抛光和"金字塔"织构表面的单晶Si(100)为衬底,分别以Au和Au-Al为金属催化剂,在温度为1 100℃、N2气流量为1 500sccm、生长时间为15~60min等工艺条件下,制备了直径约为50~200nm、长度为数微米至数十微米和不同分布的Si纳米线。然后,利用CeO2粉末为掺杂剂,在温度为1 100~1 200℃、N2流量为1 000sccm、掺杂时间为30~60min等工艺条件下对Si纳米线进行Ce掺杂。实验研究了不同Si纳米线长度、密度和分布等对Ce3+蓝光发射的影响。室温下利用Hitachi F-4600型荧光分光光度计对样品的激发光谱和发射光谱进行了测试和分析,同时利用FLS920全功能型荧光光谱仪对样品的荧光量子效率进行了测试。结果表明,在Si纳米线生长时间为30min、织构表面和密度相对较低时以及最佳激发光波长为328nm时,样品发射光波长为405nm(5d→2 F5/2)荧光强度较大,实现了强的蓝光发射,其荧光量子效率达到了65.57%。通过光谱功率分布和CIE-1931标准公式进行计算,Ce掺杂Si纳米线样品的色坐标为(0.16,0.03);发光强度大,量子效率高使其在照明、显示等领域有着潜在的应用价值,同时对Si纳米线在发光领域的研究和应用具有一定的参考价值。 展开更多
关键词 si纳米线 CE掺杂 光致发光
下载PDF
Au掺杂浓度对Si纳米线电子结构和磁性的影响
19
作者 梁伟华 赵亚军 +3 位作者 王秀丽 郭建新 傅广生 王英龙 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2012年第2期390-394,400,共6页
利用基于密度泛函理论的第一性原理,对不同直径和浓度Au掺杂Si纳米线的态密度和磁性进行了计算。结果表明:杂质Au的形成能随Si纳米线直径的增大和掺杂浓度的降低而下降,这说明直径越小的Si纳米线掺杂越困难,杂质浓度越高的Si纳米线越不... 利用基于密度泛函理论的第一性原理,对不同直径和浓度Au掺杂Si纳米线的态密度和磁性进行了计算。结果表明:杂质Au的形成能随Si纳米线直径的增大和掺杂浓度的降低而下降,这说明直径越小的Si纳米线掺杂越困难,杂质浓度越高的Si纳米线越不稳定。其磁性是由于Au d轨道和Si p轨道的p-d耦合而产生的;改变Au的掺杂浓度可改变Si纳米线的带隙,也改变了其磁矩的大小。 展开更多
关键词 si纳米线 掺杂浓度 磁性 电子结构
下载PDF
硅纳米线的PECVD生长研究
20
作者 徐泓 宋经纬 +3 位作者 周祥 吴金姿 陈忠平 马锡英 《大学物理实验》 2010年第2期27-30,共4页
本文以硅烷(SiH4)为反应气体,利用等离子体化学气相沉积(PECVD)方法在硅(100)衬底上生长硅纳米晶体、纳米线。应用扫描电镜观察不同条件下生长的样品表面,发现衬底条件对硅纳米结构的影响十分显著。在温度、压强等其它条件相同的情况下... 本文以硅烷(SiH4)为反应气体,利用等离子体化学气相沉积(PECVD)方法在硅(100)衬底上生长硅纳米晶体、纳米线。应用扫描电镜观察不同条件下生长的样品表面,发现衬底条件对硅纳米结构的影响十分显著。在温度、压强等其它条件相同的情况下,对硅衬底应用Fe3+催化剂处理后,呈纳米线状结构生长,而无Fe催化剂涂覆情况下,基本呈纳米晶体状生长,说明催化剂对Si纳米线的生成起了重要的促进生长作用。通过进一步研究硅纳米晶体、纳米线的等离子增强化学气相生长机理,发现它们以气-液-固(VLS)机制生长。 展开更多
关键词 硅纳米线 PECVD VLS机制 催化剂 硅纳米晶粒
下载PDF
上一页 1 2 下一页 到第
使用帮助 返回顶部