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四甲基二硅桥联茚基环戊二烯基四羰基二铁的合成、结构及热重排反应 被引量:2
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作者 孙怀林 张会利 +1 位作者 马玉新 黄学斌 《化学学报》 SCIE CAS CSCD 北大核心 2004年第3期283-287,共5页
ClMe2 SiSiMe2 Cl顺序与茚基锂和环戊二烯基锂作用 ,生成 (1 C9H7)Me2 SiSiMe2 C5H5.后者进一步与五羰基铁反应 ,得到硅硅桥联茚基环戊二烯基化合物 [η5,η5 (1 C9H6)Me2 SiSiMe2 C5H4]Fe2 (CO) 4 (2 ) .化合物 2在加热条件下发生重排... ClMe2 SiSiMe2 Cl顺序与茚基锂和环戊二烯基锂作用 ,生成 (1 C9H7)Me2 SiSiMe2 C5H5.后者进一步与五羰基铁反应 ,得到硅硅桥联茚基环戊二烯基化合物 [η5,η5 (1 C9H6)Me2 SiSiMe2 C5H4]Fe2 (CO) 4 (2 ) .化合物 2在加热条件下发生重排反应 ,给出硅硅键和铁铁键复分解产物 Me2 Si(η5 1 C9H6)Fe(CO) 2 SiMe2 (η5 C5H4)Fe(CO) 2 (3 ) .利用X射线衍射法 ,测定了 2和 展开更多
关键词 四甲基二硅桥联茚基环戊二烯基四羰基二铁 合成 晶体结构 热重排反应 硅硅键 铁铁键 不对称合成
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Palladium(o)-Catalyzed Si-Si Bond Insertion by the Terminal Nitrogen of Diazo Compoundst
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作者 Zhenxing Liu Tianren Fu +2 位作者 Jingfeng Huo Sheng Feng Jianbo Wang 《Chinese Journal of Chemistry》 SCIE CAS CSCD 2018年第10期945-949,共5页
The palladium(o)-catalyzed nitrogen insertion into cyclic Si-Si bonds has been realized by using N-tosylhydrazones/diazo compounds as the nitrogen source. The palladium(Ⅱ) nitrene formation and subsequent migrato... The palladium(o)-catalyzed nitrogen insertion into cyclic Si-Si bonds has been realized by using N-tosylhydrazones/diazo compounds as the nitrogen source. The palladium(Ⅱ) nitrene formation and subsequent migratory insertion process are proposed as the key steps for this reaction. 展开更多
关键词 INSERTION diazo compounds si-si bond palladium catalysts palladium(Ⅱ) nitrene CARBENES
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PECVD非晶SiO_2薄膜的红外吸收特性研究 被引量:3
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作者 何乐年 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2002年第1期76-78,共3页
用傅里叶红外吸收(FT-IR)光谱研究了等离子体化学气相沉积法(PECVD)制备的非晶SiO2薄膜(a-SiO2)的Si—O—Si键的红外吸收特性与膜厚的关系。Si—O—Si伸缩振动模在1050cm-1和1150cm... 用傅里叶红外吸收(FT-IR)光谱研究了等离子体化学气相沉积法(PECVD)制备的非晶SiO2薄膜(a-SiO2)的Si—O—Si键的红外吸收特性与膜厚的关系。Si—O—Si伸缩振动模在1050cm-1和1150cm-1附近分别有两个吸收峰,弯曲振动模在800cm-1附近有一个吸收峰。1050cm-1和1150cm-1吸收带的积分强度随着膜层的递增而增加,而800cm-1吸收带的积分强度不随膜层的递增而变化。因此我们推测薄膜密度不随膜厚而变化,1050cm-1吸收带的积分强度随着膜层的递增而增加的原因是由于1150 cm-1吸收带对1050cm-1吸收带的影响。另外,800cm-1和1050cm-1这两个吸收峰的表观吸收系数αapp被发现和膜厚d成正比:αapp=k×d。利用αapp和d的正比关系,PECVD a-SiO2的膜厚可用非破坏性的FT-IR快速方便地测定。 展开更多
关键词 非晶siO2薄膜 PECVD 红外光谱 si-O-si
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