无机法制备Si-B-C-N系非晶/纳米晶新型陶瓷及复合材料研究进展 被引量：4

1

作者 梁斌 杨治华 +2 位作者 贾德昌 段小明 周玉 《科学通报》 EI CAS CSCD 北大核心 2015年第3期236-245,共10页

可以在高温氧化、剧烈热震、燃气流烧蚀等苛刻条件下服役的新型高温结构和多功能防热材料是现代航空航天技术发展的迫切需求之一.Si-B-C-N系非晶及纳米晶复相陶瓷组织结构独特,高温性能优异,在高温结构和多功能防热领域极具应用潜力.有... 可以在高温氧化、剧烈热震、燃气流烧蚀等苛刻条件下服役的新型高温结构和多功能防热材料是现代航空航天技术发展的迫切需求之一.Si-B-C-N系非晶及纳米晶复相陶瓷组织结构独特,高温性能优异,在高温结构和多功能防热领域极具应用潜力.有机聚合物先驱体裂解法(有机法)在致密Si-B-C-N系块体陶瓷的制备方面受限,哈尔滨工业大学特种陶瓷研究所开创的机械合金化-热压法(无机法)工艺简单,制备材料组织结构均匀、性能优良,成为Si-B-C-N系致密块体陶瓷和耐高温构件的有效制备手段,弥补了有机法的不足,对于丰富和完善该材料的实验数据和理论研究具有重要意义.本文综述了无机法制备Si-B-C-N系陶瓷及复合材料在显微组织结构特征及演变规律、力学和热物理学性能、抗氧化性能、抗热震性能、耐烧蚀性能和相关机理分析等方面的新近成果,并展望了其发展趋势. 展开更多

关键词 si-b-c-n系陶瓷 非晶/纳米晶 机械合金化 热压烧结 组织结构 力学性能 热物理学性能 高温性能

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耐高温、抗冲刷Si-B-O-N系陶瓷透波材料的研究(英文) 被引量：1

2

作者 张伟儒 王重海 +2 位作者 李伶 刘建 陈文 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第2期348-352,共5页

本研究选择Si3N4-BN-SiO2体系，通过气氛压力烧结工艺（Gas Pressure Sintering，GPS）研制了耐高温、抗冲刷Si-B-O-N系陶瓷透波材料。系统研究了BN和纳米SiO2含量对复合材料力学和介电性能的影响，分析了该材料的显微结构特点及增强机... 本研究选择Si3N4-BN-SiO2体系，通过气氛压力烧结工艺（Gas Pressure Sintering，GPS）研制了耐高温、抗冲刷Si-B-O-N系陶瓷透波材料。系统研究了BN和纳米SiO2含量对复合材料力学和介电性能的影响，分析了该材料的显微结构特点及增强机理。实验结果表明：通过控制材料组分和工艺参数的变化，制备的Si-B-O-N系陶瓷透波材料性能良好，弯曲强度：74．7～174．83MPa；介电常数：3．5-4．2；介电损耗：0．5-4．5×10^-3，可满足高性能导弹用陶瓷天线罩对透波材料的要求。 展开更多

关键词 透波材料 si-b-O-n系陶瓷 介电常数

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机械合金化与热压烧结法制备2Si-B-3C-N陶瓷 被引量：3

3

作者 杨治华 段小明 +1 位作者 贾德昌 周玉 《稀有金属材料与工程》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2009年第A02期150-152,共3页

以Si3N4、B4C、C、Si等粉末为原料,采用机械合金化方法制备2Si-B-3C-N粉末,在氮气保护下1900℃,40MPa热压烧结30min获得2Si-B-3C-N陶瓷,研究了块体陶瓷微观组织结构与力学性能。高能球磨粉末在热压烧结后致密度达到了97.9%。热压烧结的2... 以Si3N4、B4C、C、Si等粉末为原料,采用机械合金化方法制备2Si-B-3C-N粉末,在氮气保护下1900℃,40MPa热压烧结30min获得2Si-B-3C-N陶瓷,研究了块体陶瓷微观组织结构与力学性能。高能球磨粉末在热压烧结后致密度达到了97.9%。热压烧结的2Si-B-3C-N陶瓷中主要含有等轴状的β-SiC和层片状的h-BCN相。BCN晶粒尺寸约为200nm,SiC晶粒尺寸约为400～500nm。BCN晶粒主要分布在SiC晶粒周围。2Si-B-3C-N陶瓷的室温抗弯强度、弹性模量、断裂韧性、硬度分别为446.6MPa、144.6GPa、5.10MPa·m1/2和5.53GPa。在高温空气状态下,2Si-B-3C-N陶瓷的抗弯强度随温度的升高而降低,1000和1400℃下的抗弯强度分别为358.7和202.1MPa。 展开更多

关键词 si—b-c-n陶瓷 机械合金化 热压烧结 微观组织 力学性能

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抗氧化和抗高温腐蚀的Si-Al-C-N 聚合物前驱体陶瓷 被引量：3

4

作者 张立功 范翊 +4 位作者 罗劲松 褚明晖 Wang Yiguang L.Bharadwaj 安立楠 《稀有金属材料与工程》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2005年第z1期486-489,共4页

利用聚合物前驱体陶瓷工艺制备了Si-Al-C-N陶瓷,并对陶瓷氧化和腐蚀特性进行了研究.结果表明:掺入少量的Al将极大地提高Si-Al-C-N陶瓷的抗氧化和抗腐蚀能力.含1.4at%Al的Si-Al-C-N陶瓷的氧化速率较文献报道硅基材料的低10倍,并且在1200... 利用聚合物前驱体陶瓷工艺制备了Si-Al-C-N陶瓷,并对陶瓷氧化和腐蚀特性进行了研究.结果表明:掺入少量的Al将极大地提高Si-Al-C-N陶瓷的抗氧化和抗腐蚀能力.含1.4at%Al的Si-Al-C-N陶瓷的氧化速率较文献报道硅基材料的低10倍,并且在1200℃,50 h观察不到任何腐蚀.还讨论了Si-Al-C-N陶瓷的抗氧化与腐蚀的机理. 展开更多

关键词 聚合物前驱体 si-Al-c-n陶瓷 抗高温腐蚀 抗氧化

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Si-B-O-N陶瓷粉末的制备与性能表征 被引量：1

5

作者 李峰 温广武 +2 位作者 宋亮 雷廷权 周玉 《陶瓷科学与艺术》 CAS 2003年第6期37-39,共3页

本文使用溶胶凝胶法制备了有机聚合物先驱体,通过高温裂解得到了不含氧化硼的Si-B-O-N陶瓷粉末。采用XRD、FT-IR和TEM等技术分析了Si-B-O-N陶瓷粉末结构特性。研究表明Si-B-O-N陶瓷粉体呈非晶态,其中含有B-N,Si-O,Si-N-O等结构单元。粉... 本文使用溶胶凝胶法制备了有机聚合物先驱体,通过高温裂解得到了不含氧化硼的Si-B-O-N陶瓷粉末。采用XRD、FT-IR和TEM等技术分析了Si-B-O-N陶瓷粉末结构特性。研究表明Si-B-O-N陶瓷粉体呈非晶态,其中含有B-N,Si-O,Si-N-O等结构单元。粉末由球形粒子组成,其粒径在50nm左右。 展开更多

关键词 si-b-O-n陶瓷 陶瓷粉末 溶胶-凝胶法 制备 性能表征 有机聚合物 先驱体 非晶态

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先驱体转化法制备Si-B-C-N陶瓷微球 被引量：1

6

作者 刘洪丽 王雯 +3 位作者 李婧 罗永明 张海媛 康伟 《化工新型材料》 CAS CSCD 北大核心 2016年第8期224-226,共3页

以聚硼硅氮烷（PSNB）为先驱体聚合物,烷基酚聚氧乙烯醚（OP-10）为乳化剂,采用先驱体转化法结合乳液工艺制备了Si-B-C-N微球。研究了乳化剂OP-10用量、固化反应时间以及裂解温度对微球表面形貌的影响。结果表明：OP-10含量为0.1%（质... 以聚硼硅氮烷（PSNB）为先驱体聚合物,烷基酚聚氧乙烯醚（OP-10）为乳化剂,采用先驱体转化法结合乳液工艺制备了Si-B-C-N微球。研究了乳化剂OP-10用量、固化反应时间以及裂解温度对微球表面形貌的影响。结果表明：OP-10含量为0.1%（质量分数）,反应8h制备的PSNB微球分散性良好,粒径为400~700nm;裂解温度为800~1500℃时,裂解得到的Si-B-C-N陶瓷微球能保持完整的球形结构,随着温度升高微球尺寸逐渐减小,1500℃时微球直径约为345nm;X射线衍射结果表明,800~1300℃时,裂解产物为非晶状态,1500℃时产物基本完成结晶,析出β-SiC和BN晶相。 展开更多

关键词 聚硼硅氮烷 乳液法 先驱体转化法 PSnb微球 si-b-c-n陶瓷微球

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低温合成PSN微球及其裂解制备Si-C-N空心陶瓷微球 被引量：1

7

作者 王雯 刘洪丽 +3 位作者 李婧 罗永明 康伟 张海媛 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2015年第9期2468-2473,共6页

以含乙烯基聚硅氮烷（PSN）为先驱体聚合物,二乙烯基苯（DVB）为交联剂,采用乳液工艺,在低温条件下交联固化合成聚硅氮烷（PSN）微球,并在高温下裂解制得Si-C-N空心陶瓷微球。研究了原料比例、固化时间和裂解条件对PSN微球及Si-C-N空心... 以含乙烯基聚硅氮烷（PSN）为先驱体聚合物,二乙烯基苯（DVB）为交联剂,采用乳液工艺,在低温条件下交联固化合成聚硅氮烷（PSN）微球,并在高温下裂解制得Si-C-N空心陶瓷微球。研究了原料比例、固化时间和裂解条件对PSN微球及Si-C-N空心陶瓷微球形貌、尺寸和形成过程的影响。结果表明,当PSN与DVB的比例为2∶1、固化时间为6 h时,可在80℃下得到表面光滑、尺寸较均匀、直径为600~800 nm的PSN微球;Si-C-N陶瓷微球随着PSN与DVB比例的增加,逐渐显现出空心结构;1000~1200℃裂解后,空心球形成,XRD表明此时产物呈非晶态;裂解温度1400℃时,空心微球表面变得粗糙,生成Si3N4和Si C晶粒。 展开更多

关键词 聚硅氮烷 二乙烯基苯 乳液法 裂解 si-c-n空心陶瓷

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2Si-B-3C-N陶瓷的热压烧结工艺 被引量：1

8

作者 张鹏飞 徐盼盼 +2 位作者 于仁红 贾德昌 杨治华 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2019年第18期3161-3165,共5页

采用热压烧结工艺对机械合金化的2Si-B-3C-N陶瓷进行烧结成型。采用XRD、SEM、TEM等方法研究了工艺参数改变对陶瓷组织性能的影响规律。结果表明,温度和压力对陶瓷组织性能的影响较大,而保温时间与气氛压力的影响较小。当温度和压力分别... 采用热压烧结工艺对机械合金化的2Si-B-3C-N陶瓷进行烧结成型。采用XRD、SEM、TEM等方法研究了工艺参数改变对陶瓷组织性能的影响规律。结果表明,温度和压力对陶瓷组织性能的影响较大,而保温时间与气氛压力的影响较小。当温度和压力分别为1900℃和80MPa时,陶瓷具有较高的力学性能,其致密度、抗弯强度、弹性模量、断裂韧度、维氏硬度分别为88.7%、331.1MPa、139.4GPa、2.8MPa·m^1/2和5.7GPa。当温度降至1800℃或压力减为50MPa时,陶瓷的致密度和力学性能都明显降低。这说明高温高压有利于原子扩散与颗粒滑动重排,从而促进陶瓷的烧结致密化与力学性能的提高。 展开更多

关键词 2si-b-3c-n陶瓷 烧结工艺 致密化 组织结构 力学性能

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纳米Si-B-O-N陶瓷粉末的合成与表征 被引量：10

9

作者 张俊宝 雷廷权 +1 位作者 温广武 周玉 《材料科学与工艺》 EI CAS CSCD 2003年第3期230-232,共3页

为了制备氧化硅和氮化硼在分子甚至于原子级水平均匀混合的纳米级Si-B-O-N陶瓷粉体,利用溶胶-凝胶法合成了无碳型Si-B-O-N先驱体,通过先驱体热分解制备了Si-B-O-N陶瓷粉末,并利用DSC-TG、XRD、IR和TEM技术详细分析了Si-B-O-N先驱体凝胶... 为了制备氧化硅和氮化硼在分子甚至于原子级水平均匀混合的纳米级Si-B-O-N陶瓷粉体,利用溶胶-凝胶法合成了无碳型Si-B-O-N先驱体,通过先驱体热分解制备了Si-B-O-N陶瓷粉末,并利用DSC-TG、XRD、IR和TEM技术详细分析了Si-B-O-N先驱体凝胶的热分解特性和纳米粉体的组织结构与形貌特征.研究表明:先驱体凝胶的热分解主要发生在250～400℃,通过脱氨基原位聚合和无机化转变完成;Si-B-O-N陶瓷粉体呈非晶态,由均匀分布的B-N环、Si-O和Si-N-O等结构组成;粉末的形貌呈单一形态的球形颗粒,颗粒的平均粒径约为20nm. 展开更多

关键词 纳米si-b-O-n陶瓷粉末 合成 氧化硅 氮化硼 溶胶-凝胶法 先驱体 热分解特性

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利用高沸物二硅烷中的甲基氯二硅烷制备无氯Si-C-N陶瓷 被引量：5

10

作者 孟凡君 谭业邦 +3 位作者 刘宗林 茹淼焱 刘爱祥 孟霞 《高分子材料科学与工程》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第1期187-190,共4页

直接法生产甲基氯硅烷的高沸点副产物分离出的甲基氯二硅烷(DS)与八甲基环四硅氮烷反应形成氯硅烷低聚物,经氨解成为聚硅氮烷(PSZ)前躯体,并发现PSZ甲苯溶液为假塑性流体,得到70%(质量)的PSZ甲苯溶液的粘流活化能为18.3kJ/mol。PSZ在110... 直接法生产甲基氯硅烷的高沸点副产物分离出的甲基氯二硅烷(DS)与八甲基环四硅氮烷反应形成氯硅烷低聚物,经氨解成为聚硅氮烷(PSZ)前躯体,并发现PSZ甲苯溶液为假塑性流体,得到70%(质量)的PSZ甲苯溶液的粘流活化能为18.3kJ/mol。PSZ在1100℃高温裂解后,可得到无氯Si-C-N无定型陶瓷,认为该路线是制备高性能Si-C-N陶瓷的最经济的方法之一。 展开更多

关键词 si-c-n陶瓷 高沸物二硅烷 甲基氯二硅烷 聚硅氮烷 流变特性 高温裂解

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先驱体转化法制备Si-B-N-C陶瓷纤维及表征 被引量：5

11

作者 唐云 王军 +3 位作者 李效东 李文华 王浩 王小宙 《高等学校化学学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2008年第8期1515-1518,共4页

以聚硼硅氮烷为先驱体，经熔融纺丝、不熔化处理及氮气中高温热解、烧结得到Si—B—N．C陶瓷纤维．利用元素分析、FTIR、XRD、高温热重分析等手段对Si—B—N—C纤维的组成、结构以及高温稳定性和抗氧化性等进行了表征．结果表明，纤维... 以聚硼硅氮烷为先驱体，经熔融纺丝、不熔化处理及氮气中高温热解、烧结得到Si—B—N．C陶瓷纤维．利用元素分析、FTIR、XRD、高温热重分析等手段对Si—B—N—C纤维的组成、结构以及高温稳定性和抗氧化性等进行了表征．结果表明，纤维主要由Si3N4，BN和SiC等相组成，其室温抗拉强度为2．1GPa，弹性模量为230GPa，具有很好的非晶稳定性和高温抗氧化性，惰性气氛中可保持非晶至1700℃，空气中加热至1100℃以下时无增重，在1100～1400℃温度范围内增重约3．3％． 展开更多

关键词 si-b-n—c陶瓷纤维 先驱体转化法 聚硼硅氮烷 耐高温 抗氧化

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Si-C-N陶瓷在雷达吸收方面的应用研究 被引量：2

12

作者 孟凡君 茹淼焱 +2 位作者 刘爱祥 刘宗林 吴秀荣 《材料科学与工艺》 EI CAS CSCD 2003年第1期93-96,共4页

对前驱体法制备的Si-C-N陶瓷粉末在X波段(8 2～12 4GHz)的雷达波吸收性能进行了研究.通过共氨解甲基氯硅烷和二苯基二氯硅烷(Ph2SiCl2),得到含苯基聚硅氮烷前驱体,经高温裂解和球磨获得Si-C-N陶瓷粉末.实验结果表明,Si-C-N陶瓷能够吸收... 对前驱体法制备的Si-C-N陶瓷粉末在X波段(8 2～12 4GHz)的雷达波吸收性能进行了研究.通过共氨解甲基氯硅烷和二苯基二氯硅烷(Ph2SiCl2),得到含苯基聚硅氮烷前驱体,经高温裂解和球磨获得Si-C-N陶瓷粉末.实验结果表明,Si-C-N陶瓷能够吸收X波段的雷达波,并且有机硅单体中Ph2SiCl2的摩尔比对最终的Si-C-N陶瓷吸波性能具有显著的影响.当Ph2SiCl2的含量为5%时,Si-C-N陶瓷对X波段雷达波具有最好的反射损耗,在9 1～12 4GHz的范围内,反射损耗R.L.小于-10dB即吸收带宽为3 3GHz,在10 6GHz处具有的最大反射损耗为-15dB. 展开更多

关键词 雷达波吸收材料 聚硅氮烷 si-c-n陶瓷 氨解 吸波材料 雷达波 碳化硅 氮化硅 隐身技术

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先驱体转化法制备高性能Si-B-N陶瓷纤维 被引量：4

13

作者 唐云 王军 +3 位作者 李效东 李文华 王小宙 王浩 《化学学报》 SCIE CAS CSCD 北大核心 2009年第23期2750-2754,共5页

以聚硼硅氮烷为先驱体,经熔融纺丝、不熔化处理以及在氨气气氛中高温裂解制备了Si-B-N陶瓷纤维.利用元素分析、FTIR、XRD、SEM和波导法等对纤维的组成结构和性能进行了表征.结果表明:Si-B-N纤维的组成为Si1.13BN2.47,室温下纤维的抗拉... 以聚硼硅氮烷为先驱体,经熔融纺丝、不熔化处理以及在氨气气氛中高温裂解制备了Si-B-N陶瓷纤维.利用元素分析、FTIR、XRD、SEM和波导法等对纤维的组成结构和性能进行了表征.结果表明:Si-B-N纤维的组成为Si1.13BN2.47,室温下纤维的抗拉强度为1.8GPa,弹性模量为196GPa;纤维具有很好的高温稳定性,在惰性气氛中可以保持非晶状态至1700℃,加热至1850℃结晶,形成Si3N4和BN等相.同时,纤维表现出优良的介电性能,室温下,在测试频率为2～18GHz时,其平均介电常数和介电损耗角正切值分别为3.68和0.0042.该纤维有望成为新型耐高温透波复合材料的候选增强材料. 展开更多

关键词 si-b-n陶瓷纤维 先驱体转化法 聚硼硅氮烷 透波纤维 耐高温

原文传递

Si-B-N-C陶瓷纤维的高温抗氧化性 被引量：4

14

作者 张婧 唐彬彬 +3 位作者 韩克清 刘振全 孙泽玉 余木火 《合成纤维》 CAS 2012年第8期14-17,26,共5页

将Si-B-N-C陶瓷纤维在静置的空气氛围下分别于1300～1400℃区间内处理不同时间,通过扫描电镜(SEM)观察其微观结构的变化,用X-射线能量色散仪(EDS)、元素分析(EA)表征其截面及内部的元素分布和含量变化,并借助X-射线衍射光谱(XRD)表征氧... 将Si-B-N-C陶瓷纤维在静置的空气氛围下分别于1300～1400℃区间内处理不同时间,通过扫描电镜(SEM)观察其微观结构的变化,用X-射线能量色散仪(EDS)、元素分析(EA)表征其截面及内部的元素分布和含量变化,并借助X-射线衍射光谱(XRD)表征氧化处理对纤维晶型变化的影响。结果表明:氧化后的纤维有明显的皮芯结构,并且皮层大致可分为3层,主要由B、N、Si、O元素组成;氧化保护层的存在,很好地阻隔了纤维核心层与外界空气的直接接触,从而保留了纤维本身优异的耐高温性能。 展开更多

关键词 si-b-n-c陶瓷纤维 高温抗氧化性 晶型结构

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Si-C-N陶瓷前驱体聚硅氮烷合成的研究进展 被引量：1

15

作者 孟凡君 茹淼焱 +1 位作者 刘爱祥 刘宗林 《有机硅材料》 CAS 2003年第3期23-27,43,共6页

综述了合成Si-C -N陶瓷前驱体聚硅氮烷的主要方法 ,即氨 /胺解氯硅烷法、硅氮烷低聚物交联法、硅氮烷低聚物与氯硅烷反应法及氯硅氮烷和氯硅烷脱氯缩聚法 ,并介绍了用铝、硼、钛、钇等元素对聚硅氮烷进行改性 ,以提高Si-C

关键词 si—c—n陶瓷 前驱体 聚硅氮烷 合成 研究进展 裂解 氯硅烷

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以聚硅氮烷为前驱体的Si-C-N陶瓷对雷达波的吸收应用

16

作者 盂凡君 茹淼焱 +2 位作者 刘爱祥 刘宗林 孟霞 《高分子材料科学与工程》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第2期144-147,共4页

氨解甲基氯硅烷和苯基氯硅烷单体可得到聚硅氮烷前驱体,其高温裂解和球磨后获得的Si-C-N陶瓷粉末能吸收X波段(8GHz～12GHz)的雷达波,其吸收性能随氯硅烷单体的配比不同而变化。当将Si-C-N陶瓷粉末与磁性材料复合后,吸收性能大为改进,厚... 氨解甲基氯硅烷和苯基氯硅烷单体可得到聚硅氮烷前驱体,其高温裂解和球磨后获得的Si-C-N陶瓷粉末能吸收X波段(8GHz～12GHz)的雷达波,其吸收性能随氯硅烷单体的配比不同而变化。当将Si-C-N陶瓷粉末与磁性材料复合后,吸收性能大为改进,厚度2.20mm的吸收层,面密度仅为2.86kg/m2,在10.47GHz处吸收可达-28.84dB,证明了阻抗匹配在研制雷达吸收材料方面的重要性,并提出Si-C-N陶瓷与μ′、μ″值更高的磁性材料复合,吸收性能将会得到更大的提高。 展开更多

关键词 聚硅氮烷 前驱体 si-c-n陶瓷 雷达波 甲基氯硅烷 苯基氯硅烷 氨解 磁性材料 吸波材料

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C/PyC/Si-C-N复合材料的热物理性能研究 被引量：1

17

作者 卢国锋 《硅酸盐通报》 CAS CSCD 北大核心 2016年第4期1015-1019,1027,共6页

本研究采用CVI方法制备出了以Si-C-N陶瓷为基体以热解碳为界面的碳纤维增强陶瓷基复合材料(C/PyC/Si-C-N)。用热膨胀仪和激光导热仪分别测试了C/PyC/Si-C-N的热膨胀性能和热扩散性能。研究结果表明:在25~1200℃范围内,C/PyC/Si-C-N复合... 本研究采用CVI方法制备出了以Si-C-N陶瓷为基体以热解碳为界面的碳纤维增强陶瓷基复合材料(C/PyC/Si-C-N)。用热膨胀仪和激光导热仪分别测试了C/PyC/Si-C-N的热膨胀性能和热扩散性能。研究结果表明:在25~1200℃范围内,C/PyC/Si-C-N复合材料的平均热膨胀系数为0.638×10^(-6)K^(-1);而热扩散率则随温度的升高而减小,并与温度呈一种指数关系,常温下的热扩散率约为0.00925cm^2·s^(-1)。 展开更多

关键词 复合材料 热膨胀 热扩散 si-c-n陶瓷

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化学气相沉积法制备的块体Si-C-N陶瓷的热行为(英文) 被引量：1

18

作者 卢国锋 乔生儒 +1 位作者 张程煜 焦更生 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2011年第7期779-784,共6页

采用化学气相沉积法制备了块体非晶态Si-C-N陶瓷.用TG/DSC、XRD、SEM和TEM等技术方法研究了所制备的Si-C-N陶瓷的热行为.研究结果表明:在热处理过程中,非晶态Si-C-N首先发生相分离,分离后的一种相呈颗粒状;β-SiC就是从这种颗粒状的分... 采用化学气相沉积法制备了块体非晶态Si-C-N陶瓷.用TG/DSC、XRD、SEM和TEM等技术方法研究了所制备的Si-C-N陶瓷的热行为.研究结果表明:在热处理过程中,非晶态Si-C-N首先发生相分离,分离后的一种相呈颗粒状;β-SiC就是从这种颗粒状的分离相中形成.在热处理条件下,非晶Si-C-N的晶化温度约为1200℃;在加热速率为20℃/min的连续加热条件下,其晶化温度为1372.6℃.β-SiC在1200℃首先形成,β-Si3N4和α-SiC则在1500℃形成.在扫描电镜观察中,热处理后的Si-C-N中出现一种类似于层状的组织,这种组织的晶化程度较高. 展开更多

关键词 非晶态 si-c-n陶瓷 热行为 晶化

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CVI法制备的C/PyC/Si-C-N复合材料弯曲行为研究 被引量：1

19

作者 卢国锋 乔生儒 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2015年第24期27-30,48,共5页

采用CVI方法制备出了以Si-C-N陶瓷为基体、以热解碳为界面的碳纤维增强陶瓷基复合材料(C/PyC/Si-C-N)。用扫描电子显微镜(SEM)分析了C/PyC/Si-C-N的断口形貌,用三点弯曲法测试了C/PyC/Si-C-N的弯曲行为。研究结果表明:在1600℃以下,C/Py... 采用CVI方法制备出了以Si-C-N陶瓷为基体、以热解碳为界面的碳纤维增强陶瓷基复合材料(C/PyC/Si-C-N)。用扫描电子显微镜(SEM)分析了C/PyC/Si-C-N的断口形貌,用三点弯曲法测试了C/PyC/Si-C-N的弯曲行为。研究结果表明:在1600℃以下,C/PyC/Si-C-N的弯曲强度随温度的升高而增加,弹性模量基本保持不变并略有增加;随温度的升高,PyC界面层较厚的区域其界面结合会逐渐变强,而界面层厚度非常小或无界面层的区域其界面结合会逐渐变弱。 展开更多

关键词 复合材料 弯曲强度 模量 si-c-n陶瓷

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C/PyC/Si-C-N复合材料的热膨胀行为

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作者 卢国锋 《材料导报（纳米与新材料专辑）》 EI CAS 2016年第1期432-435,共4页

采用CVI方法制备出了具有热解碳界面层的碳纤维增强Si-C-N陶瓷基复合材料（C/PyC/Si-C-N）和无界面层的碳纤维增强Si-C-N陶瓷基复合材料（C/Si-C-N）。用热膨胀仪分别测试了C/PyC/Si-C-N和C/Si-C-N的热膨胀性能,研究了碳界面对复合材料... 采用CVI方法制备出了具有热解碳界面层的碳纤维增强Si-C-N陶瓷基复合材料（C/PyC/Si-C-N）和无界面层的碳纤维增强Si-C-N陶瓷基复合材料（C/Si-C-N）。用热膨胀仪分别测试了C/PyC/Si-C-N和C/Si-C-N的热膨胀性能,研究了碳界面对复合材料热膨胀性能的影响。研究结果表明：在25~1200℃范围内,C/PyC/Si-C-N复合材料的平均热膨胀系数为0.638×10-6 K-1,线膨胀率为0.0752%;在780℃以上,碳界面的存在使碳纤维增强SiC-N基复合材料的热膨胀系数降低,在780℃以下时则对复合材料的热膨胀系数基本无影响。 展开更多

关键词 平均热膨胀系数 线膨胀率 si-c-n陶瓷 复合材料

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