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Si衬底GaN外延生长的应力调控
被引量：
2
1
作者
巩小亮
陈峰武
+4 位作者
罗才旺
鲍苹
魏唯
彭立波
程文进
《电子工业专用设备》
2018年第4期27-31,41,共6页
针对Si衬底GaN外延生长中由于张应力引起的表面裂纹问题,采用AlN/Al GaN多缓冲层结构和低温AlN插入层技术,在标准厚度Si(111)衬底上制备了100 mm(4英寸)无裂纹GaN外延材料。试验结果表明,AlN/Al GaN各层厚度的合理搭配和低温AlN插入层...
针对Si衬底GaN外延生长中由于张应力引起的表面裂纹问题,采用AlN/Al GaN多缓冲层结构和低温AlN插入层技术,在标准厚度Si(111)衬底上制备了100 mm(4英寸)无裂纹GaN外延材料。试验结果表明,AlN/Al GaN各层厚度的合理搭配和低温AlN插入层可以起到良好的应力调控效果,无裂纹GaN层生长厚度达到1.6μm,晶体质量良好,表面粗糙度低于2 nm;HEMT结构外延片电学性能测试结果表明Si衬底GaN的生长质量满足制备器件的要求。
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关键词
si
衬底
gan
外延生长
金属有机物化学气相沉积
应力调控
下载PDF
职称材料
Si衬底上外延生长GaN基射频电子材料的研究进展
2
作者
杨学林
沈波
《人工晶体学报》
CAS
北大核心
2023年第5期723-731,共9页
Si衬底因兼具大尺寸、低成本以及与现有CMOS工艺兼容等优势,使Si衬底上GaN基射频(RF)电子材料和器件成为继功率电子器件之后下一个该领域关注的焦点。由于力学性质与低阻Si衬底不同,高阻Si衬底上GaN基外延材料生长的应力控制和位错抑制...
Si衬底因兼具大尺寸、低成本以及与现有CMOS工艺兼容等优势,使Si衬底上GaN基射频(RF)电子材料和器件成为继功率电子器件之后下一个该领域关注的焦点。由于力学性质与低阻Si衬底不同,高阻Si衬底上GaN基外延材料生长的应力控制和位错抑制问题仍然困难,且严重的射频损耗问题限制着其在射频电子领域的应用。本文简要介绍了Si衬底上GaN基射频电子材料的研究现状和面临的挑战,重点介绍了北京大学研究团队在高阻Si衬底上GaN基材料射频损耗的产生机理,以及低位错密度、低射频损耗GaN的外延生长等方面的主要研究进展。最后对Si衬底上GaN基射频电子材料和器件的未来发展作了展望。
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关键词
si
衬底
上
gan
金属有机化合物化学气相沉积
应力
位错
射频损耗
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职称材料
第三代半导体GaN功率开关器件的发展现状及面临的挑战
被引量：
27
3
作者
何亮
刘扬
《电源学报》
CSCD
2016年第4期1-13,共13页
氮化镓(GaN)材料具有优异的物理特性,非常适合于制作高温、高速和大功率电子器件,具有十分广阔的市场前景。Si衬底上GaN基功率开关器件是目前的主流技术路线,其中结型栅结构(p型栅)和共源共栅级联结构(Cascode)的常关型器件已经逐步实...
氮化镓(GaN)材料具有优异的物理特性,非常适合于制作高温、高速和大功率电子器件,具有十分广阔的市场前景。Si衬底上GaN基功率开关器件是目前的主流技术路线,其中结型栅结构(p型栅)和共源共栅级联结构(Cascode)的常关型器件已经逐步实现产业化,并在通用电源及光伏逆变等领域得到应用。但是鉴于以上两种器件结构存在的缺点,业界更加期待能更充分发挥GaN性能的"真"常关MOSFET器件。而GaN MOSFET器件的全面实用化,仍然面临着在材料外延方面和器件稳定性方面的挑战。
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关键词
氮化镓
si
衬底
上
gan
功率电子器件
gan
MOSFET器件
产业化
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职称材料
题名
Si衬底GaN外延生长的应力调控
被引量：
2
1
作者
巩小亮
陈峰武
罗才旺
鲍苹
魏唯
彭立波
程文进
机构
中国电子科技集团公司第四十八研究所
出处
《电子工业专用设备》
2018年第4期27-31,41,共6页
文摘
针对Si衬底GaN外延生长中由于张应力引起的表面裂纹问题,采用AlN/Al GaN多缓冲层结构和低温AlN插入层技术,在标准厚度Si(111)衬底上制备了100 mm(4英寸)无裂纹GaN外延材料。试验结果表明,AlN/Al GaN各层厚度的合理搭配和低温AlN插入层可以起到良好的应力调控效果,无裂纹GaN层生长厚度达到1.6μm,晶体质量良好,表面粗糙度低于2 nm;HEMT结构外延片电学性能测试结果表明Si衬底GaN的生长质量满足制备器件的要求。
关键词
si
衬底
gan
外延生长
金属有机物化学气相沉积
应力调控
Keywords
gan
on
si
Epitaxial growth
Metal or
gan
ic chemical vapor depo
si
tion（MOCVD）
Stress control.
分类号
TN304.054 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
Si衬底上外延生长GaN基射频电子材料的研究进展
2
作者
杨学林
沈波
机构
北京大学宽禁带半导体研究中心
北京大学人工微结构和介观物理国家重点实验室
教育部纳光电子前沿科学中心
量子物质科学协同创新中心
出处
《人工晶体学报》
CAS
北大核心
2023年第5期723-731,共9页
基金
国家重点研发计划(2021YFB3602400,2022YFB3604400)
国家自然科学基金(62234002,61927806)
广东省重点研发计划(2020B010171002)。
文摘
Si衬底因兼具大尺寸、低成本以及与现有CMOS工艺兼容等优势,使Si衬底上GaN基射频(RF)电子材料和器件成为继功率电子器件之后下一个该领域关注的焦点。由于力学性质与低阻Si衬底不同,高阻Si衬底上GaN基外延材料生长的应力控制和位错抑制问题仍然困难,且严重的射频损耗问题限制着其在射频电子领域的应用。本文简要介绍了Si衬底上GaN基射频电子材料的研究现状和面临的挑战,重点介绍了北京大学研究团队在高阻Si衬底上GaN基材料射频损耗的产生机理,以及低位错密度、低射频损耗GaN的外延生长等方面的主要研究进展。最后对Si衬底上GaN基射频电子材料和器件的未来发展作了展望。
关键词
si
衬底
上
gan
金属有机化合物化学气相沉积
应力
位错
射频损耗
Keywords
gan
-on-
si
MOCVD
stress
dislocation
RF loss
分类号
O484.1 [理学—固体物理]
下载PDF
职称材料
题名
第三代半导体GaN功率开关器件的发展现状及面临的挑战
被引量：
27
3
作者
何亮
刘扬
机构
中山大学电子与信息工程学院
中山大学电力电子及控制技术研究所
出处
《电源学报》
CSCD
2016年第4期1-13,共13页
基金
国家自然科学基金资助项目(51177175)
国家高技术研究发展计划(863计划)资助项目(2014AA032606)
广东省自然科学基金资助项目(2015A030312011)~~
文摘
氮化镓(GaN)材料具有优异的物理特性,非常适合于制作高温、高速和大功率电子器件,具有十分广阔的市场前景。Si衬底上GaN基功率开关器件是目前的主流技术路线,其中结型栅结构(p型栅)和共源共栅级联结构(Cascode)的常关型器件已经逐步实现产业化,并在通用电源及光伏逆变等领域得到应用。但是鉴于以上两种器件结构存在的缺点,业界更加期待能更充分发挥GaN性能的"真"常关MOSFET器件。而GaN MOSFET器件的全面实用化,仍然面临着在材料外延方面和器件稳定性方面的挑战。
关键词
氮化镓
si
衬底
上
gan
功率电子器件
gan
MOSFET器件
产业化
Keywords
gan
gan
power electronic devices on
si
substrate
gan
MOSFET
industrialization
分类号
TN304.23 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
Si衬底GaN外延生长的应力调控
巩小亮
陈峰武
罗才旺
鲍苹
魏唯
彭立波
程文进
《电子工业专用设备》
2018
2
下载PDF
职称材料
2
Si衬底上外延生长GaN基射频电子材料的研究进展
杨学林
沈波
《人工晶体学报》
CAS
北大核心
2023
0
下载PDF
职称材料
3
第三代半导体GaN功率开关器件的发展现状及面临的挑战
何亮
刘扬
《电源学报》
CSCD
2016
27
下载PDF
职称材料
已选择
0
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