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Si基PIN光电探测器电场隔离结构对暗电流的影响 被引量:4
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作者 丰亚洁 何晓颖 +4 位作者 刘巧莉 王华强 李冲 胡宗海 郭霞 《半导体光电》 北大核心 2017年第6期802-805,共4页
对Si基PIN光电探测器的电场隔离结构进行了研究,讨论了电场隔离结构的作用以及其与暗电流的关系,并进行了仿真模拟与测试分析。电场隔离结构主要将有源区和边缘隔离从而降低暗电流,结合仿真模拟结果和实验测试结果,分析得到电场隔离结... 对Si基PIN光电探测器的电场隔离结构进行了研究,讨论了电场隔离结构的作用以及其与暗电流的关系,并进行了仿真模拟与测试分析。电场隔离结构主要将有源区和边缘隔离从而降低暗电流,结合仿真模拟结果和实验测试结果,分析得到电场隔离结构主要降低与周长有关的暗电流,对于小尺寸器件作用更明显。 展开更多
关键词 si光电探测器 电场隔离结构 暗电流
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