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双AlN插入层法在Si图形衬底上进行AlGaN/GaN HEMT的MOCVD生长
1
作者 王勇 余乃林 +1 位作者 王丛舜 刘纪美 《长春理工大学学报（自然科学版）》 2011年第4期9-12,共4页
双AlN插入层方法被用来在Si(111)图形衬底上进行AlGaN/GaN高迁移率晶体管(HEMT)的金属有机物化学气相沉积(MOCVD)外延生长。Si图形衬底采用SiO2掩膜和湿法腐蚀(无掩膜)两种方法进行制备。高温生长双AlN插入层用来释放GaN外延层和Si衬底... 双AlN插入层方法被用来在Si(111)图形衬底上进行AlGaN/GaN高迁移率晶体管(HEMT)的金属有机物化学气相沉积(MOCVD)外延生长。Si图形衬底采用SiO2掩膜和湿法腐蚀(无掩膜)两种方法进行制备。高温生长双AlN插入层用来释放GaN外延层和Si衬底之间由于晶格失配和热失配而产生的张应力。AlGaN/GaN HEMT的生长特性被讨论和分析。在使用优化的双AlN插入层之前,可以在图形[1-100]方向观察到比[11-20]方向更多的由于应力而引起的裂纹。这是由于GaN在(1-100)面比(11-20)更稳定。建议在图形设计中,长边应沿着[11-20]方向进行制备。拉曼测试显示在图形凹角处比凸角处有更大的拉曼频移,证明在图形凹角处有更大的张应力。 展开更多
关键词 金属有机物化学气相沉积 AlGaN/GaN高迁移率晶体管 si图形衬底 双AlN插入层
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Si图形衬底的制备及半极性GaN生长
2
作者 苏军 李述体 +1 位作者 尹以安 曹健兴 《华南师范大学学报（自然科学版）》 CAS 北大核心 2010年第4期60-63,共4页
利用KOH溶液的各向异性腐蚀,通过研究温度、异丙醇(IPA)及超声波振动对Si衬底腐蚀的影响,在Si(001)平面衬底上刻蚀出侧面为(111)面的槽状图形衬底.在此基础上,实现了GaN在Si图形衬底(111)侧面的生长.X射线双晶衍射测量GaN薄膜的Bragg角... 利用KOH溶液的各向异性腐蚀,通过研究温度、异丙醇(IPA)及超声波振动对Si衬底腐蚀的影响,在Si(001)平面衬底上刻蚀出侧面为(111)面的槽状图形衬底.在此基础上,实现了GaN在Si图形衬底(111)侧面的生长.X射线双晶衍射测量GaN薄膜的Bragg角为18.45°,表明在Si图形衬底上成功生长出了(1-101)半极性GaN薄膜.其X射线衍射峰半高宽为1 556弧秒. 展开更多
关键词 KOH溶液 各向异性腐蚀 异丙醇 超声波振动 半极性GaN si图形衬底
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