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磁控溅射技术制备硅纳米晶多层膜及微观结构表征
1
作者
赵志明
马二云
+7 位作者
张晓静
田亚萍
屈直
丁宇
曹智睿
白力静
张国君
蒋百灵
《功能材料》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2012年第6期732-735,共4页
在室温下,分别利用常规磁控溅射和反应磁控溅射技术交替沉积Si薄膜和Si1-xNx薄膜在单晶硅基体上制备了Si/Si1-xNx纳米多层膜。接下来,在高温下对Si/Si1-xNx多层膜进行退火诱发各层中形成硅纳米晶。研究了Si1-xNx层厚度和N2流量沉积对Si/...
在室温下,分别利用常规磁控溅射和反应磁控溅射技术交替沉积Si薄膜和Si1-xNx薄膜在单晶硅基体上制备了Si/Si1-xNx纳米多层膜。接下来,在高温下对Si/Si1-xNx多层膜进行退火诱发各层中形成硅纳米晶。研究了Si1-xNx层厚度和N2流量沉积对Si/Si1-xNx多层膜中Si量子点形成的影响。TEM检测结果表明,N2流量为2.5mL/min时沉积的多层膜退火后形成了尺寸为20～30nm的等轴Si3N4纳米晶;N2流量为5.0mL/min时沉积的多层膜退火后在Si层和Si1-xNx多层中均形成了硅纳米晶,而在7.5mL/min N2流量下沉积的Si/Si1-xNx多层膜退火后仅在Si层中形成了硅纳米晶。
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关键词
磁控溅射技术
si
/
si
1
-
xnx
多层
膜
si
纳米晶
si
3N4纳米晶
TEM
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职称材料
题名
磁控溅射技术制备硅纳米晶多层膜及微观结构表征
1
作者
赵志明
马二云
张晓静
田亚萍
屈直
丁宇
曹智睿
白力静
张国君
蒋百灵
机构
西安理工大学材料科学与工程学院
出处
《功能材料》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2012年第6期732-735,共4页
基金
陕西省自然科学基金资助项目(2010JQ6008)
文摘
在室温下,分别利用常规磁控溅射和反应磁控溅射技术交替沉积Si薄膜和Si1-xNx薄膜在单晶硅基体上制备了Si/Si1-xNx纳米多层膜。接下来,在高温下对Si/Si1-xNx多层膜进行退火诱发各层中形成硅纳米晶。研究了Si1-xNx层厚度和N2流量沉积对Si/Si1-xNx多层膜中Si量子点形成的影响。TEM检测结果表明,N2流量为2.5mL/min时沉积的多层膜退火后形成了尺寸为20～30nm的等轴Si3N4纳米晶;N2流量为5.0mL/min时沉积的多层膜退火后在Si层和Si1-xNx多层中均形成了硅纳米晶,而在7.5mL/min N2流量下沉积的Si/Si1-xNx多层膜退火后仅在Si层中形成了硅纳米晶。
关键词
磁控溅射技术
si
/
si
1
-
xnx
多层
膜
si
纳米晶
si
3N4纳米晶
TEM
Keywords
magnetron sputtering
si
/
si
1
-
xnx
multilayers
si
3N4 nanocrystallines
si
nanocrystallines
TEM
分类号
TB34 [一般工业技术—材料科学与工程]
下载PDF
职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
磁控溅射技术制备硅纳米晶多层膜及微观结构表征
赵志明
马二云
张晓静
田亚萍
屈直
丁宇
曹智睿
白力静
张国君
蒋百灵
《功能材料》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2012
0
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职称材料
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