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与CMOS兼容的硅基波导型光电探测器的研究
1
作者
曾凡平
韩培德
+4 位作者
高利朋
冉启江
毛雪
赵春华
米艳红
《光通信技术》
CSCD
北大核心
2009年第5期38-40,共3页
硅基波导型光电探测器作为一类重要的光电探测器,由于其能与标准的CMOS工艺兼容以及制备工艺简单等性能,因而在光电子单片集成方面具备广阔的市场应用前景。文章着重阐述了通过离子注入引入深能级、Ge/Si自组装岛、SOI波导共振腔增强和A...
硅基波导型光电探测器作为一类重要的光电探测器,由于其能与标准的CMOS工艺兼容以及制备工艺简单等性能,因而在光电子单片集成方面具备广阔的市场应用前景。文章着重阐述了通过离子注入引入深能级、Ge/Si自组装岛、SOI波导共振腔增强和AlGaInAs-Si混合集成等四种方式来制备硅基光电探测器的研究现状和研究进展,并对四类器件的结构,制作工艺和光电性能指标进行了详细地介绍。
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关键词
硅基光电探测器
深能级缺陷
si
/
ge
自组装
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职称材料
题名
与CMOS兼容的硅基波导型光电探测器的研究
1
作者
曾凡平
韩培德
高利朋
冉启江
毛雪
赵春华
米艳红
机构
中国科学院半导体研究所集成光电子国家重点实验室
出处
《光通信技术》
CSCD
北大核心
2009年第5期38-40,共3页
基金
国家自然科学基金(No.60776046)资助
国家自然科学重点基金(No.O912030003)资助
国家基础研究973(No.2006CB302802)资助
文摘
硅基波导型光电探测器作为一类重要的光电探测器,由于其能与标准的CMOS工艺兼容以及制备工艺简单等性能,因而在光电子单片集成方面具备广阔的市场应用前景。文章着重阐述了通过离子注入引入深能级、Ge/Si自组装岛、SOI波导共振腔增强和AlGaInAs-Si混合集成等四种方式来制备硅基光电探测器的研究现状和研究进展,并对四类器件的结构,制作工艺和光电性能指标进行了详细地介绍。
关键词
硅基光电探测器
深能级缺陷
si
/
ge
自组装
Keywords
si
licon-based photodetetor deep-level defect
si
/
ge
self-assembled island
分类号
TN929.11 [电子电信—通信与信息系统]
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题名
作者
出处
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1
与CMOS兼容的硅基波导型光电探测器的研究
曾凡平
韩培德
高利朋
冉启江
毛雪
赵春华
米艳红
《光通信技术》
CSCD
北大核心
2009
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