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带有Bragg反射镜的谐振腔增强型Si光电探测器 被引量:5
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作者 李成 赖虹凯 +1 位作者 陈松岩 王启明 《光电子.激光》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第1期62-64,共3页
采用电子束蒸发和键合技术,制作了具有高反射率的、表面为薄层单晶Si的分布Bragg反射器。用标准光刻工艺在单晶Si薄层上制作出窄带谐振腔增强型(RCE)金属-半导体-金属(MSM)光电探测器,响应峰值波长分别在836、900、965和1 030 nm处,其中... 采用电子束蒸发和键合技术,制作了具有高反射率的、表面为薄层单晶Si的分布Bragg反射器。用标准光刻工艺在单晶Si薄层上制作出窄带谐振腔增强型(RCE)金属-半导体-金属(MSM)光电探测器,响应峰值波长分别在836、900、965和1 030 nm处,其中在900 nm处峰值半高宽为18 nm。该器件具有波长选择特性,可有效抑制相邻频道间的串扰,而且容易制成集成面阵。 展开更多
关键词 si光电探测器 谐振腔 键合
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Si基PIN光电探测器电场隔离结构对暗电流的影响 被引量:4
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作者 丰亚洁 何晓颖 +4 位作者 刘巧莉 王华强 李冲 胡宗海 郭霞 《半导体光电》 北大核心 2017年第6期802-805,共4页
对Si基PIN光电探测器的电场隔离结构进行了研究,讨论了电场隔离结构的作用以及其与暗电流的关系,并进行了仿真模拟与测试分析。电场隔离结构主要将有源区和边缘隔离从而降低暗电流,结合仿真模拟结果和实验测试结果,分析得到电场隔离结... 对Si基PIN光电探测器的电场隔离结构进行了研究,讨论了电场隔离结构的作用以及其与暗电流的关系,并进行了仿真模拟与测试分析。电场隔离结构主要将有源区和边缘隔离从而降低暗电流,结合仿真模拟结果和实验测试结果,分析得到电场隔离结构主要降低与周长有关的暗电流,对于小尺寸器件作用更明显。 展开更多
关键词 si基光电探测器 电场隔离结构 暗电流
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光通信用的硅基长波长光电探测器
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作者 李成 杨沁清 王启明 《半导体光电》 CAS CSCD 北大核心 1999年第4期226-230,共5页
硅基长波长光电探测器是最有希望与微电子集成的一种用于光通信的光电器件。介绍了当前硅基长波长光电探测器的发展现状和趋势,讨论了提高硅基长波长光电探测器性能的途径。
关键词 硅基光电探测器 siGe/si多量子阱 siGEC 共振腔
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