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金属援助硅化学刻蚀法可控制备硅纳米线阵列 被引量:6
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作者 吕文辉 张帅 《半导体光电》 CAS CSCD 北大核心 2011年第3期363-365,397,共4页
基于金属援助硅化学刻蚀机理,成功地发展了一种形貌可控地制备硅纳米线阵列的有效方法。在该方法中,通过银纳米颗粒催化层的微结构和硅化学刻蚀的时间来调控硅纳米线阵列的形貌。扫描电子显微镜(SEM)形貌表征的实验结果证实:硅纳米线阵... 基于金属援助硅化学刻蚀机理,成功地发展了一种形貌可控地制备硅纳米线阵列的有效方法。在该方法中,通过银纳米颗粒催化层的微结构和硅化学刻蚀的时间来调控硅纳米线阵列的形貌。扫描电子显微镜(SEM)形貌表征的实验结果证实:硅纳米线阵列的孔隙率依赖银纳米颗粒催化层的微结构,硅纳米线阵列的高度依赖于硅的刻蚀时间。这种形貌可控地制备单晶硅纳米线阵列的方法简单、有效,可用于构筑硅纳米线光伏电池等各种硅基纳米电子器件。 展开更多
关键词 硅纳米线阵列 金属援助硅化学刻蚀 形貌控制
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Synthesis of ordered Si nanowire arrays in porous anodic aluminum oxide templates 被引量:2
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作者 Mengke Li Chengwei Wang Hulin Li 《Chinese Science Bulletin》 SCIE EI CAS 2001年第21期1793-1796,共4页
Highly ordered poly crystalline Si nanowire arrays were synthesized in porous anodic aluminum oxide (AAO) templates by the chemical vapor deposition (CVD) method. The morphological structure, the crystal character of ... Highly ordered poly crystalline Si nanowire arrays were synthesized in porous anodic aluminum oxide (AAO) templates by the chemical vapor deposition (CVD) method. The morphological structure, the crystal character of Si nanowire arrays and the individual nanowire were analyzed by the transmission electron microscopy (TEM), scanning electron microscopy (SEM), atom force microscopy (AFM) and the X-ray diffraction spectrum (XRD), respectively. It is shown that most fabricated silicon nanowires (SiNWs) tend to be assembled parallelly in bundles and constructed with highly orientated arrays. This method provides a simple and low cost fabricating craftwork and the diameters and lengths of SiNWs can be controlled, the large area Si nanowire arrays can be achieved easily under such a way. The curling and twisting SiNWs are fewer than those by other synthesis methods. 展开更多
关键词 si nanowire arrays chemical vapor deposition POROUS anodic aluminum OXIDE template.
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纳米线织构的多晶硅太阳电池研究 被引量:2
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作者 万霞 王庆康 +1 位作者 李翔 黄堃 《太阳能学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2015年第7期1567-1572,共6页
采用无电化学刻蚀技术,通过优化AgNO,浓度、刻蚀温度和刻蚀时间,研究在125mm×125mm多晶硅片表面制备均匀分布硅纳米线阵列的方法,获得了硅纳米线织构的多晶硅在宽光谱范围内(300~1000nm)平均反射率约为8%。成功制备了表面... 采用无电化学刻蚀技术,通过优化AgNO,浓度、刻蚀温度和刻蚀时间,研究在125mm×125mm多晶硅片表面制备均匀分布硅纳米线阵列的方法,获得了硅纳米线织构的多晶硅在宽光谱范围内(300~1000nm)平均反射率约为8%。成功制备了表面具有硅纳米线织构的多晶硅太阳电池,并通过两种改进方法提高太阳电池效率:1)优化硅纳米线阵列的长度(约1.5μm),并利用PECVD方法在硅纳米线阵列表面生长70nmSi3N4薄膜进行表面钝化,纳米线织构的多晶硅太阳电池效率从8.95%提高到了11.41%。2)使用HNO,和HF混合溶液去除硅衬底背表面的硅纳米线阵列,使铝背电极与多晶硅紧密接触,太阳电池效率进一步提高到13.99%。研究表明:所采用的改进方法能有效提高纳米线织构多晶硅太阳电池的效率。 展开更多
关键词 硅纳米线阵列 太阳电池 陷光结构 表面复合
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图形化硅纳米线阵列场发射阴极的制备及其场发射性能 被引量:3
4
作者 吕文辉 张帅 《液晶与显示》 CAS CSCD 北大核心 2011年第4期486-489,共4页
结合光刻工艺和金属援助硅化学刻蚀法成功地制备了图形化的硅纳米线阵列场发射阴极,研究了其场发射性能。扫描电子显微镜照片显示,嵌入在硅衬底的硅纳米线阵列为垂直取向,形成图形化。场发射测试与分析表明,该阴极能够有效实现场电子发... 结合光刻工艺和金属援助硅化学刻蚀法成功地制备了图形化的硅纳米线阵列场发射阴极,研究了其场发射性能。扫描电子显微镜照片显示,嵌入在硅衬底的硅纳米线阵列为垂直取向,形成图形化。场发射测试与分析表明,该阴极能够有效实现场电子发射,并且有利于获得图形化、低发散角的电子束。本研究提供了一种在硅基底上简单、有效地选域制备图形化硅纳米线阵列场发射阴极的途径,可潜在用于构筑各种真空微电子器件。 展开更多
关键词 图形化的硅纳米线阵列 金属援助硅化学刻蚀 场发射
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硅纳米线阵列光阳极的制备及其光电转换性能研究 被引量:2
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作者 吕文辉 张帅 《功能材料与器件学报》 CAS CSCD 北大核心 2011年第4期402-406,共5页
结合光刻和金属援助硅化学刻蚀法成功地制备出了用于光伏型光电化学池的图形化硅纳米线阵列光阳极,并表征和研究了其光电转换性能。扫描电子显微镜和漫反射光谱测试表明光阳极表面为多孔状,在300nm-1000nm的光谱范围之内光反射率低于5%... 结合光刻和金属援助硅化学刻蚀法成功地制备出了用于光伏型光电化学池的图形化硅纳米线阵列光阳极,并表征和研究了其光电转换性能。扫描电子显微镜和漫反射光谱测试表明光阳极表面为多孔状,在300nm-1000nm的光谱范围之内光反射率低于5%。基于该光阳极的光电化学池具有明显的光响应,光电转换效率为0.33%。通过光电转换过程分析,光生载流子在硅纳米线/电解液界面上的复合可能是导致较低光转换效率的主要原因。 展开更多
关键词 硅纳米线阵列光阳极 光电化学池 光电转换
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