期刊文献+
共找到7篇文章
< 1 >
每页显示 20 50 100
氟化物溶液腐蚀后硅表面形态的STM与XPS研究 被引量:1
1
作者 李静 吴孙桃 +1 位作者 叶建辉 LI S F Y 《厦门大学学报(自然科学版)》 CAS CSCD 北大核心 2003年第5期591-595,共5页
利用扫描隧道显微技术(STM)和X 射线光电子能谱(XPS)技术,研究了Si(111)在几种不同比例的NH4F HCl溶液中被腐蚀后的表面形态及洁净度.通过分析表面的STM图像与XPS谱图,表明在较高pH值的NH4F HCl溶液中被腐蚀的Si(111)表面粗糙度较小,且... 利用扫描隧道显微技术(STM)和X 射线光电子能谱(XPS)技术,研究了Si(111)在几种不同比例的NH4F HCl溶液中被腐蚀后的表面形态及洁净度.通过分析表面的STM图像与XPS谱图,表明在较高pH值的NH4F HCl溶液中被腐蚀的Si(111)表面粗糙度较小,且表面洁净度及化学稳定性较好. 展开更多
关键词 半导体工艺 湿法腐蚀 氟化物溶液 表面形态 洁净度 STM XPS 表面粗糙度 化学稳定性
下载PDF
Molecular simulation of alkyl monolayers on the Si(111)surface
2
作者 苑世领 蔡政亭 +2 位作者 肖莉 徐桂英 刘永军 《Science China Chemistry》 SCIE EI CAS 2003年第2期168-175,共8页
The structure of twelve-carbon monolayers on the H-terminated Si(111) surface is inves-tigated by molecular simulation method. The best substitution percent on Si(111) surface obtained via molecular mechanics calculat... The structure of twelve-carbon monolayers on the H-terminated Si(111) surface is inves-tigated by molecular simulation method. The best substitution percent on Si(111) surface obtained via molecular mechanics calculation is equal to 50%, and the (88) simulated cell can be used to depict the structure of alkyl monolayer on Si surface. After two-dimensional cell containing alkyl chains and four-layer Si(111) crystal at the substitution 50% is constructed, the densely packed and well-ordered monolayer on Si(111) surface can be shown through energy minimization in the suitable-size simulation cell. These simulation results are in good agreement with the experiments. These conclusions show that molecular simulation can provide otherwise inaccessible mesoscopic information at the molecular level, and can be considered as an adjunct to experiments. 展开更多
关键词 MONOLAYER film si(111) surface MOLECULAR simulation MOLECULAR mechanics ALKYL chain.
原文传递
湿法腐蚀后硅表面形态微结构的研究
3
作者 李静 吴孙桃 +1 位作者 叶建辉 S.F.Y.Li 《微纳电子技术》 CAS 2003年第3期19-22,共4页
随着半导体工艺集成度的不断提高及微纳米技术的发展,半导体硅材料的湿法腐蚀及腐蚀后硅表面的平整度及洁净度对半导体器件的影响越来越重要,有关此方面的研究也日益受到重视。本文利用扫描隧道显微镜(STM)技术,研究了Si(111)在几种不... 随着半导体工艺集成度的不断提高及微纳米技术的发展,半导体硅材料的湿法腐蚀及腐蚀后硅表面的平整度及洁净度对半导体器件的影响越来越重要,有关此方面的研究也日益受到重视。本文利用扫描隧道显微镜(STM)技术,研究了Si(111)在几种不同比例的NH_4F-HCl溶液中腐蚀后的表面形态及洁净度。表面的STM图像分析,表明在较高pH值的NH_4F-HCl溶液中腐蚀的Si(111)表面粗糙度较小。 展开更多
关键词 湿法腐蚀 si(111)表面 微结构 STM 扫描隧道显微镜
下载PDF
Si(111)湿法腐蚀后表面形态的FTIR研究
4
作者 李静 吴孙桃 +1 位作者 叶建辉 S.F.YLi 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2003年第2期145-148,182,共5页
运用偏振衰减全反射傅立叶变换红外光谱技术 (ATR-FTIR) ,研究了 Si(1 1 1 )在不同比例的 NH4F-HCl溶液中腐蚀后的表面形态。通过分析表面振动模型的偏振波长及红外粗糙因子 ,表明在较低的 PH值的NH4F-HCl溶液中腐蚀的 Si(1 1 1 )表面... 运用偏振衰减全反射傅立叶变换红外光谱技术 (ATR-FTIR) ,研究了 Si(1 1 1 )在不同比例的 NH4F-HCl溶液中腐蚀后的表面形态。通过分析表面振动模型的偏振波长及红外粗糙因子 ,表明在较低的 PH值的NH4F-HCl溶液中腐蚀的 Si(1 1 1 )表面粗糙度较大 ,与通过扫描隧道显微镜 (STM) 展开更多
关键词 扫描隧道显微镜 湿法腐蚀 表面形态 FTIR 偏振衰减全反射傅立叶变换红外光谱技术 硅片表面 111晶面
下载PDF
Si{111}的吸附表面结构 被引量:2
5
作者 关荣敏 蓝田 《原子与分子物理学报》 CAS CSCD 北大核心 1997年第3期427-432,共6页
利用低能电子衍射研究了金属和非金属吸附在Si{111}表面的表面结构。结果显示出:对Al、Ga、Bi和Au原子,形成α-Si{111}3×3R30°-M或β-Si{111}3×3R30°-M结构的共价... 利用低能电子衍射研究了金属和非金属吸附在Si{111}表面的表面结构。结果显示出:对Al、Ga、Bi和Au原子,形成α-Si{111}3×3R30°-M或β-Si{111}3×3R30°-M结构的共价吸附。对Li、Na和Ag原子,形成正离子吸附,全部经高温解吸后,便诱导出Si{111}1×3重构。对Te原子,形成负离子吸附,经高温解吸后,便诱导出Si{111}类(1×1)结构。 展开更多
关键词 金属 非金属 LEED谱 吸附表面结构 硅表面
下载PDF
醇类在Si-H表面形成单分子膜的特性 被引量:1
6
作者 孙乔玉 黄吉儿 +2 位作者 C.Henry de Villeneuve 力虎林 P.Allongue 《应用化学》 CAS CSCD 北大核心 2003年第6期557-561,共5页
以界面电容分析法为主并结合XPS、AFM技术研究了醇类分子在Si(111) H表面上形成的有机单分子膜的特性。并探讨了嫁接反应中影响单分子膜特性的某些因素和单分子膜的稳定性及其对硅表面氧化的钝化作用。在所选择的反应条件下 ,不同链长... 以界面电容分析法为主并结合XPS、AFM技术研究了醇类分子在Si(111) H表面上形成的有机单分子膜的特性。并探讨了嫁接反应中影响单分子膜特性的某些因素和单分子膜的稳定性及其对硅表面氧化的钝化作用。在所选择的反应条件下 ,不同链长醇分子修饰的硅表面上 ,嫁接分子所占体积分数约为 80 % ,平带电位约为 - 1 0 0V(vs .SSE)。研究表明 。 展开更多
关键词 si(111)-H表面 单分子膜 醇类
下载PDF
直流电场作用下Au吸附Si(111)表面Ag薄膜的电迁移和相变 被引量:1
7
作者 时方晓 《沈阳建筑大学学报(自然科学版)》 CAS 2008年第6期1014-1019,共6页
目的研究直流电场作用下不同覆盖度Au吸附Si(111)表面上Ag薄膜的电迁移扩散和相变行为,探索外电场控制制备纳米结构的新途径.方法在超高真空条件下制备了具有不同表面结构的Au吸附Si(111)表面,并在其上沉积几个单原子层厚的Ag薄膜,利用... 目的研究直流电场作用下不同覆盖度Au吸附Si(111)表面上Ag薄膜的电迁移扩散和相变行为,探索外电场控制制备纳米结构的新途径.方法在超高真空条件下制备了具有不同表面结构的Au吸附Si(111)表面,并在其上沉积几个单原子层厚的Ag薄膜,利用扫描电镜和反射高能电子衍射原位动态分析了Ag在外电场下的电迁移和相变过程.结果在清洁的和Au吸附的Si(111)表面Ag均向负极方向迁移,但迁移速率和扩展能力有显著差异,Au覆盖度及相应的表面吸附结构类型是电迁移的控制因素;在(5×2+α-3^(1/2)×3^(1/2))混合结构表面上迁移扩散达到峰值,而由3^(1/2)×3^(1/2)-(Ag+Au)向(21)^(1/2)×(21)^(1/2)-(Ag+Au)的相转变在Ag薄膜的电迁移过程中起决定作用.结论半导体表面金属薄膜的电迁移具有结构敏感性,覆盖度低于单原子层的Au可作为调控Ag薄膜电迁移动力学的有效手段. 展开更多
关键词 直流电场 相变 Ag薄膜 Au/si(111)吸附表面 电迁移 结构敏感性
下载PDF
上一页 1 下一页 到第
使用帮助 返回顶部