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质子辐照对RADFETs的γ辐照剂量响应的影响研究
被引量：
1
1
作者
马函
孙静
+1 位作者
何承发
荀明珠
《核技术》
CAS
CSCD
北大核心
2022年第1期37-43,共7页
针对辐射敏感晶体管(Radiation Sensitive Field-Effect Transistors,RADFETs)在地面标定使用(60)^Coγ射线源而实际空间应用时存在的质子电子辐射环境的差异性问题,进行了10 MeV质子和(60)^Coγ射线的对比辐照与协和辐照试验。采用中...
针对辐射敏感晶体管(Radiation Sensitive Field-Effect Transistors,RADFETs)在地面标定使用(60)^Coγ射线源而实际空间应用时存在的质子电子辐射环境的差异性问题,进行了10 MeV质子和(60)^Coγ射线的对比辐照与协和辐照试验。采用中带电压法(Mid-gap Technique,MGT)和电荷泵法(Charge Pumping,CP)对器件辐照过程中的氧化物陷阱电荷和界面态陷阱电荷进行了分离,结合Geant4工具包仿真质子在氧化层中初级反冲原子(Primary Knock-on Atom,PKA)的产生过程,对RADFETs质子与(60)^Coγ辐射响应差异的微观机理进行了探讨。研究结果表明:RADFETs对质子的剂量响应较少,但质子辐照会在RADFETs中引入位移损伤,加剧其邻近界面处的陷阱电荷对测量结果的影响。因此RADFETs在空间应用时,有必要使用质子电子的通量模型对测量数据进行修正或设计特定的标定方案。
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关键词
RADFETS
质子辐照
γ剂量标定
陷阱电荷分离
原文传递
浮栅晶体管的辐照响应及退火特性研究
2
作者
任李贤
孙静
+1 位作者
何承发
荀明珠
《固体电子学研究与进展》
CAS
北大核心
2023年第3期281-286,共6页
对浮栅晶体管进行了^(60)Co-γ射线总剂量辐照试验,研究了浮栅晶体管的电离辐射响应特性,通过对晶体管在辐照后的常温和高温100℃下的退火,分析了电离辐射环境下浮栅晶体管的陷阱电荷的产生及变化过程,监测了浮栅电荷存储能力。结果表明...
对浮栅晶体管进行了^(60)Co-γ射线总剂量辐照试验,研究了浮栅晶体管的电离辐射响应特性,通过对晶体管在辐照后的常温和高温100℃下的退火,分析了电离辐射环境下浮栅晶体管的陷阱电荷的产生及变化过程,监测了浮栅电荷存储能力。结果表明,辐照导致浮栅晶体管中多晶硅浮动栅极存储电荷的丢失,界面处感生的陷阱电荷数量远少于氧化物陷阱电荷及浮栅中电荷丢失量,退火效应可恢复浮栅受辐射影响的存储能力。试验数据为浮栅晶体管在电离辐射环境的测试及应用提供参考。
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关键词
浮栅晶体管
总剂量效应
陷阱电荷分离
辐照响应分析
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职称材料
题名
质子辐照对RADFETs的γ辐照剂量响应的影响研究
被引量：
1
1
作者
马函
孙静
何承发
荀明珠
机构
中国科学院新疆理化技术研究所
中国科学院大学
出处
《核技术》
CAS
CSCD
北大核心
2022年第1期37-43,共7页
基金
国家自然科学基金(No.11975305)资助。
文摘
针对辐射敏感晶体管(Radiation Sensitive Field-Effect Transistors,RADFETs)在地面标定使用(60)^Coγ射线源而实际空间应用时存在的质子电子辐射环境的差异性问题,进行了10 MeV质子和(60)^Coγ射线的对比辐照与协和辐照试验。采用中带电压法(Mid-gap Technique,MGT)和电荷泵法(Charge Pumping,CP)对器件辐照过程中的氧化物陷阱电荷和界面态陷阱电荷进行了分离,结合Geant4工具包仿真质子在氧化层中初级反冲原子(Primary Knock-on Atom,PKA)的产生过程,对RADFETs质子与(60)^Coγ辐射响应差异的微观机理进行了探讨。研究结果表明:RADFETs对质子的剂量响应较少,但质子辐照会在RADFETs中引入位移损伤,加剧其邻近界面处的陷阱电荷对测量结果的影响。因此RADFETs在空间应用时,有必要使用质子电子的通量模型对测量数据进行修正或设计特定的标定方案。
关键词
RADFETS
质子辐照
γ剂量标定
陷阱电荷分离
Keywords
RADFETs
Proton
radiation
γradiation
separation
of
traps
charge
分类号
TL818 [核科学技术—核技术及应用]
原文传递
题名
浮栅晶体管的辐照响应及退火特性研究
2
作者
任李贤
孙静
何承发
荀明珠
机构
中国科学院特殊环境功能材料与器件重点实验室
中国科学院大学
出处
《固体电子学研究与进展》
CAS
北大核心
2023年第3期281-286,共6页
基金
国家自然科学基金面上项目(11975305)
中国科学院西部青年学者项目(2021-XBQNXZ-020)
特殊环境机器人技术四川省重点实验室开放基金资助项目(21kftk03)。
文摘
对浮栅晶体管进行了^(60)Co-γ射线总剂量辐照试验,研究了浮栅晶体管的电离辐射响应特性,通过对晶体管在辐照后的常温和高温100℃下的退火,分析了电离辐射环境下浮栅晶体管的陷阱电荷的产生及变化过程,监测了浮栅电荷存储能力。结果表明,辐照导致浮栅晶体管中多晶硅浮动栅极存储电荷的丢失,界面处感生的陷阱电荷数量远少于氧化物陷阱电荷及浮栅中电荷丢失量,退火效应可恢复浮栅受辐射影响的存储能力。试验数据为浮栅晶体管在电离辐射环境的测试及应用提供参考。
关键词
浮栅晶体管
总剂量效应
陷阱电荷分离
辐照响应分析
Keywords
floating
gate
transistor
total
ionizing
radiation
separation
of
traps
charge
ra-diation
responsemechanism
分类号
TN386.1 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
质子辐照对RADFETs的γ辐照剂量响应的影响研究
马函
孙静
何承发
荀明珠
《核技术》
CAS
CSCD
北大核心
2022
1
原文传递
2
浮栅晶体管的辐照响应及退火特性研究
任李贤
孙静
何承发
荀明珠
《固体电子学研究与进展》
CAS
北大核心
2023
0
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职称材料
已选择
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参考文献
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