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Flash型FPGA的编程及干扰抑制技术
被引量：
1
1
作者
曹正州
单悦尔
张艳飞
《半导体技术》
CAS
北大核心
2023年第7期624-631,共8页
为了降低Flash型现场可编程门阵列(FPGA)中的Flash开关单元在编程中受到编程干扰对阈值电压的影响,提高驱动能力的一致性,提出了高位宽编程技术与常用的选择管隔离技术相结合来抑制编程干扰的方法。通过高位宽编程技术降低编程过程中栅...
为了降低Flash型现场可编程门阵列(FPGA)中的Flash开关单元在编程中受到编程干扰对阈值电压的影响,提高驱动能力的一致性,提出了高位宽编程技术与常用的选择管隔离技术相结合来抑制编程干扰的方法。通过高位宽编程技术降低编程过程中栅扰对同一行中Flash开关单元阈值电压的影响;通过选择管隔离技术降低编程过程中漏扰对同一列中Flash开关单元阈值电压的影响;采用NMOS晶体管作为隔离管实现自限制编程,对Flash开关单元的阈值电压进行精确控制。实验结果表明,参照系统等效门数为百万门级Flash型FPGA中的Flash开关阵列形式2 912 bit×480 WL×20 Bank,按最差条件进行479次漏扰测试,Flash开关单元受编程干扰后的阈值电压漂移约为0 V;进行时长为40μs的栅扰测试,Flash开关单元受编程干扰后阈值电压漂移约为0.02 V。
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关键词
Flash型现场可编程门阵列(FPGA)
阈值电压
编程干扰
布局布线
高位宽编程
sense
-
switch
结构
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职称材料
题名
Flash型FPGA的编程及干扰抑制技术
被引量：
1
1
作者
曹正州
单悦尔
张艳飞
机构
中国电子科技集团公司第五十八研究所
出处
《半导体技术》
CAS
北大核心
2023年第7期624-631,共8页
文摘
为了降低Flash型现场可编程门阵列(FPGA)中的Flash开关单元在编程中受到编程干扰对阈值电压的影响,提高驱动能力的一致性,提出了高位宽编程技术与常用的选择管隔离技术相结合来抑制编程干扰的方法。通过高位宽编程技术降低编程过程中栅扰对同一行中Flash开关单元阈值电压的影响;通过选择管隔离技术降低编程过程中漏扰对同一列中Flash开关单元阈值电压的影响;采用NMOS晶体管作为隔离管实现自限制编程,对Flash开关单元的阈值电压进行精确控制。实验结果表明,参照系统等效门数为百万门级Flash型FPGA中的Flash开关阵列形式2 912 bit×480 WL×20 Bank,按最差条件进行479次漏扰测试,Flash开关单元受编程干扰后的阈值电压漂移约为0 V;进行时长为40μs的栅扰测试,Flash开关单元受编程干扰后阈值电压漂移约为0.02 V。
关键词
Flash型现场可编程门阵列(FPGA)
阈值电压
编程干扰
布局布线
高位宽编程
sense
-
switch
结构
Keywords
Flash-based
field
programmable
gate
array(FPGA)
threshold
voltage
programming
disturbance
place
and
route
high
bit
width
programme
sense
-
switch
structure
分类号
TP331.2 [自动化与计算机技术—计算机系统结构]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
Flash型FPGA的编程及干扰抑制技术
曹正州
单悦尔
张艳飞
《半导体技术》
CAS
北大核心
2023
1
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职称材料
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参考文献
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