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溶胶——凝胶法制备VOx薄膜的半导体——金属相转变 被引量:4
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作者 陆松伟 侯立松 干福熹 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 1990年第2期175-180,共6页
本文用 VO(i-OC_3H_7)_3为原料采用溶胶—凝胶浸渍法在石英玻璃基片上制备了凝胶薄膜,通过真空热处理获得了具有半导体—金属可逆相转变现象的 VO_x(2≤x<2.5)薄膜,其相转变温度为67℃,相转变前后近红外区域薄膜的透过率变化可达50%... 本文用 VO(i-OC_3H_7)_3为原料采用溶胶—凝胶浸渍法在石英玻璃基片上制备了凝胶薄膜,通过真空热处理获得了具有半导体—金属可逆相转变现象的 VO_x(2≤x<2.5)薄膜,其相转变温度为67℃,相转变前后近红外区域薄膜的透过率变化可达50%,红外光谱研究表明,x 值接近于2。 展开更多
关键词 VOx薄膜 半导体—金属相转变观象 溶胶—凝胶法
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VO_(2)薄膜材料的变温光学性质及1550 nm激光防护性能研究
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作者 段嘉欣 江林 +6 位作者 郑国彬 丁长春 黄敬国 刘奕 高艳卿 周炜 黄志明 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2024年第2期150-157,共8页
具有半导体-金属态相变性质的二氧化钒材料可用于光电探测器的激光致盲防护。本文报道了基于磁控溅射法制备二氧化钒薄膜材料的结构、形貌特性,以及在不同温度下的光学性质。使用椭偏光谱法测量了20~100℃下可见-近红外波段二氧化钒材... 具有半导体-金属态相变性质的二氧化钒材料可用于光电探测器的激光致盲防护。本文报道了基于磁控溅射法制备二氧化钒薄膜材料的结构、形貌特性,以及在不同温度下的光学性质。使用椭偏光谱法测量了20~100℃下可见-近红外波段二氧化钒材料的椭偏参数,利用Gaussian、Lorentz模型获取了薄膜在相变前的光学性质,结合Drude模型拟合获取了材料在相变后的光学特性,获取了材料在300~1700 nm之间的变温折射率和消光系数等参数。变功率下1550 nm红外激光透射率的实验测试研究表明,VO_(2)薄膜样品的相变阈值功率为12 W/cm^(2),相变前后透射率由51%减小到15%~17%,开关率为69%。 展开更多
关键词 激光防护 二氧化钒薄膜 半导体-金属态相变 红外光学性质
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Au doping effects on electrical and optical properties of vanadium dioxides 被引量:2
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作者 YaBin Zhu Fan He Jie Na 《Science China(Physics,Mechanics & Astronomy)》 SCIE EI CAS 2012年第3期409-412,共4页
Vanadium dioxides were fabricated on normal glass substrates using reactive radio frequency (RF) magnetron sputtering. The oxygen flow volume and annealed temperatures as growth parameters are systematically investi... Vanadium dioxides were fabricated on normal glass substrates using reactive radio frequency (RF) magnetron sputtering. The oxygen flow volume and annealed temperatures as growth parameters are systematically investigated. The electrical and opti- cal properties of VO2 and Au:VO2 thin films with different growth conditions are discussed. The semiconductor-metal phase transition temperature decreased by -10~C for the sample with Au doping compared to the sample without Au doping. How- ever, the optical transmittance of Au:VO2 thin films is much lower than that of bare VO2. These results show that Au doping has a marked effect on the electrical and optical properties. 展开更多
关键词 VO2 thin film TRANSMITTANCE semiconductor-metal phase transition
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飞秒激光诱导二氧化钒光学特性转变(特邀) 被引量:1
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作者 王梓鑫 董宁宁 +2 位作者 王路路 曹逊 王俊 《光子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2022年第10期112-119,共8页
为研究激光诱导对二氧化钒光学性质的具体影响,采用磁控溅射技术制备了二氧化钒薄膜。利用原子力显微镜和X射线衍射仪对样品进行表征,发现其具有良好的平整度及致密均匀的结构,是纯相二氧化钒(M)薄膜,并且在透过率-温度变化曲线中观察... 为研究激光诱导对二氧化钒光学性质的具体影响,采用磁控溅射技术制备了二氧化钒薄膜。利用原子力显微镜和X射线衍射仪对样品进行表征,发现其具有良好的平整度及致密均匀的结构,是纯相二氧化钒(M)薄膜,并且在透过率-温度变化曲线中观察到了典型的热滞回线。采用透/反射强度扫描系统研究了二氧化钒薄膜的光学特性,实验结果表明,在飞秒激光诱导下样品经历了非线性吸收过程、相变过程、稳态过程和损伤过程,非线性吸收过程由双光子吸收效应主导而相变过程与激光热效应息息相关。进一步研究发现,随着激光重复频率增加,增强的热效应导致其相变开启阈值和损伤阈值明显下降。 展开更多
关键词 二氧化钒 飞秒激光诱导 半导体-金属相变 非线性光学 透/反射强度扫描
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纳米二氧化钒薄膜的制备及其特性研究 被引量:1
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作者 李建国 惠龙飞 +3 位作者 冯昊 秦利军 龚婷 安忠维 《半导体光电》 CAS 北大核心 2015年第1期75-80,共6页
采用原子层沉积(ALD)方法,分别以VO(OC3H7)3和H2O2为钒源和氧源,在载玻片基底上沉积钒氧化物薄膜;在还原气氛的管式炉中,对钒氧化物薄膜进行还原退火结晶,进而得到VO2薄膜晶体。通过扫描电镜(SEM)、X-射线衍射(XRD)及X-射线光电子能谱(X... 采用原子层沉积(ALD)方法,分别以VO(OC3H7)3和H2O2为钒源和氧源,在载玻片基底上沉积钒氧化物薄膜;在还原气氛的管式炉中,对钒氧化物薄膜进行还原退火结晶,进而得到VO2薄膜晶体。通过扫描电镜(SEM)、X-射线衍射(XRD)及X-射线光电子能谱(XPS)研究所制备的钒氧化物薄膜表面形貌、晶体结构以及组分的变化;利用傅里叶红外光谱(FT-IR)对VO2薄膜的红外透射性进行测试分析。结果表明:ALD所制备的薄膜以非晶态V2O5、VO2和V2O3为主;在通以还原气氛(95%Ar,5%H2)并500℃热处理2h后得到以(011)择优取向的单斜金红石纳米VO2薄膜,VO2晶体薄膜相变前后红外透过率突变量较大。 展开更多
关键词 原子层沉积(ALD) 纳米二氧化钒薄膜 半导体-金属相变 红外透过率
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VO_(2)/GaAs异质结的制备及其光电特性研究
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作者 李军显 李毅 +2 位作者 周建忠 田蓉 刘进 《光学仪器》 2021年第2期48-54,共7页
采用直流磁控溅射和后退火氧化工艺在p型GaAs单晶衬底上成功制备了n-VO_(2)/p-GaAs异质结,研究了不同退火温度和退火时间对VO_(2)/GaAs异质结性能的影响,并分析其结晶取向、化学组分、膜层质量以及光电特性。结果表明,在退火时间2 h和... 采用直流磁控溅射和后退火氧化工艺在p型GaAs单晶衬底上成功制备了n-VO_(2)/p-GaAs异质结,研究了不同退火温度和退火时间对VO_(2)/GaAs异质结性能的影响,并分析其结晶取向、化学组分、膜层质量以及光电特性。结果表明,在退火时间2 h和退火温度693 K下能得到相变性能最佳的VO_(2)薄膜,相变前后电阻变化约2个数量级。VO_(2)/GaAs异质结在308 K、318 K和328 K温度下具有较好的整流特性,对应温度下的阈值跳变电压分别为6.9 V、6.6 V和6.2 V,该结果为基于VO_(2)相变特性的异质结光电器件的设计与应用提供了可行性。 展开更多
关键词 VO_(2) GAAS 半导体−金属相变 异质结 整流特性
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磁控溅射沉积二氧化钒薄膜及其电致相变特性研究
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作者 张玲 牟永强 +1 位作者 冯浩 崔敬忠 《真空与低温》 2010年第1期17-20,共4页
采用反应射频磁控溅射技术在熔融石英玻璃衬底上制备了组分单一的二氧化钒薄膜。在制备好的二氧化钒薄膜上使用半导体工艺制备了金属叉指电极,通过半导体测试仪测试其电致相变特性。结果表明,当电极上所加电压达到一定阈值时电流发生突... 采用反应射频磁控溅射技术在熔融石英玻璃衬底上制备了组分单一的二氧化钒薄膜。在制备好的二氧化钒薄膜上使用半导体工艺制备了金属叉指电极,通过半导体测试仪测试其电致相变特性。结果表明,当电极上所加电压达到一定阈值时电流发生突变,即薄膜发生半导体-金属相变。 展开更多
关键词 二氧化钒 薄膜 电致相变
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High Electrical Conductivity and Conspicuous Phase Transitions in Single Crystals of K-TCNQ
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作者 Yadunath Singh 《Advances in Materials Physics and Chemistry》 2017年第11期375-394,共20页
This paper is to report the temperature dependent electrical conductivity of single crystals of radical ion salt (RIS) potassium-TCNQ (K-tetracyanoquino- dimethane) in a wide range of temperatures from 30 to 500 K. Th... This paper is to report the temperature dependent electrical conductivity of single crystals of radical ion salt (RIS) potassium-TCNQ (K-tetracyanoquino- dimethane) in a wide range of temperatures from 30 to 500 K. This RIS is quasi-one-dimensional in nature. These single crystals of K-TCNQ are grown by different methods like electrochemical, solution growth and diffusion method. Activation energy is determined for the sample in different temperature regions and found different values. More than one semiconductor to metal phase transition is observed in the studied samples during electrical measurements below and above room temperature. All the features observed in the studied samples are analyzed in the framework of their molecular structure as well as under different effects like disorder, impurity, Coulomb interaction, charge density wave (CDW), scattering and 3-D effects etc. 展开更多
关键词 Electrical Conductivity RADICAL Ion Salt TETRACYANOQUINODIMETHANE CHARGE Density Wave CHARGE Transfer Complexes A semiconductor to a metal phase transition
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