复合散SrTiO_3基半导体陶瓷的压敏特性 被引量：1

1

作者 徐廷献 薄占满 +1 位作者 曲远方 鲁燕萍 《天津大学学报》 EI CAS CSCD 1994年第6期698-706,共9页

研究了４种复合氧化物（ＰｂＯ－Ｂｉ２Ｏ。－Ｂ２Ｏ３，ＭｎＯ－Ｂｉ２Ｏ３，Ｎａ２Ｏ－ＳｉＯ２和ＬｉＮｂＯ３）为扩散剂对半导化的ＳｒＴｉＯ３基陶瓷显微结构、压敏和介电特性的影响．在实验基础上，提出了新的晶界势垒模型．

关键词 半导体陶瓷 复合氧化物 晶界势垒

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SnO_2基半导体陶瓷的酒敏特性及机理探讨 被引量：4

2

作者 徐廷献 安建军 赵俊国 《硅酸盐学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1993年第2期193-196,共4页

采用湿化学法和厚膜技术制备了掺Sb_2O_2的SnO_2半导体陶瓷以测试其酒敏特性。发现在这种陶瓷中掺杂γ-Al_2O_3可大幅度提高其对乙醇的灵敏度。用程序升温脱附实验TPD(Tcmperature Programmed Desorption)研究了这种材料的敏感过程,并... 采用湿化学法和厚膜技术制备了掺Sb_2O_2的SnO_2半导体陶瓷以测试其酒敏特性。发现在这种陶瓷中掺杂γ-Al_2O_3可大幅度提高其对乙醇的灵敏度。用程序升温脱附实验TPD(Tcmperature Programmed Desorption)研究了这种材料的敏感过程,并提出了新的酒敏机理,即在Al_2O_3催化下,乙醇脱水生成乙烯,乙烯极易氧化,因而降低了工作温度,提高了灵敏度及对乙醇的选择性。 展开更多

关键词 半导体陶瓷 湿化学法 厚膜技术

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晶界势垒对晶界层电容器性能的影响 被引量：1

3

作者 钟吉品 王鸿 殷之文 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 1990年第2期126-131,共6页

本文从晶界势垒的角度研究了中间夹层的 Schottky 晶界势垒对晶界层电容的介电常数、工作电压等电性能的影响。对在空气中烧成和在还原气氛中烧成的 SrTiO_3晶界层电容器电性能的较大差别给予了一些解释。

关键词 半导体陶瓷 陶瓷电容器 晶界势垒

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分散剂对99.8%高纯氧化铝喷雾造粒粉的影响 被引量：2

4

作者 孟姗姗 王安英 +3 位作者 于修水 李世慧 徐东昌 王国阳 《山东陶瓷》 CAS 2021年第5期3-6,共4页

本文介绍了聚羧酸铵盐、丙烯酸树脂、丙烯酸铵盐3种分散剂对半导体行业核心部件用99.8%高纯氧化铝陶瓷喷雾造粒粉的影响。通过氧化铝陶瓷材料的配方设计,调控球磨分散工艺,制备粒度集中、分散均匀的料浆;之后进行喷雾造粒,制备出颗粒级... 本文介绍了聚羧酸铵盐、丙烯酸树脂、丙烯酸铵盐3种分散剂对半导体行业核心部件用99.8%高纯氧化铝陶瓷喷雾造粒粉的影响。通过氧化铝陶瓷材料的配方设计,调控球磨分散工艺,制备粒度集中、分散均匀的料浆;之后进行喷雾造粒,制备出颗粒级配合理、球形度好、流动性好的喷雾造粒粉体;通过电子显微镜测定造粒粉的球形度、颗粒大小,最终选定了丙烯酸树脂分散剂作为最优分散剂,其合适的添加量为0.40%~0.80%。丙烯酸树脂分散剂浆料喷雾造粒粉体的球形度高,无缺陷,颗粒大小约在45~150μm之间。流动时间为21s,松装密度为1.16g/cm^(3),该粉体具有良好的流动性和松装密度,有利于压制高密度的99.8%高纯氧化铝坯体。 展开更多

关键词 喷雾造粒 分散剂 99.8%高纯氧化铝陶瓷 半导体陶瓷

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从专利申请大数据看半导体陶瓷创新态势 被引量：2

5

作者 黄桂花 余祖发 +2 位作者 周婧 鄢春根 景普国 《山东陶瓷》 CAS 2019年第6期7-13,共7页

半导体陶瓷是具有半导体特性的陶瓷,一般分为热敏陶瓷、压敏陶瓷、光敏陶瓷等。其电导率因温度、气氛、色度、压力等外界物理条件的变化而变化,基于此特性,可以将其制成各种用途的敏感陶瓷元件、陶瓷传感器等。从而执行某种特定的指令... 半导体陶瓷是具有半导体特性的陶瓷,一般分为热敏陶瓷、压敏陶瓷、光敏陶瓷等。其电导率因温度、气氛、色度、压力等外界物理条件的变化而变化,基于此特性,可以将其制成各种用途的敏感陶瓷元件、陶瓷传感器等。从而执行某种特定的指令和完成某种艰苦环境下的工作,现在广泛应用于电子工业、化学工程、汽车工业、石油工业、人工智能。本文通过对半导体陶瓷专利的申请趋势、申请人类型、创新主体、专利营运等的分析,阐述了科技创新要服务于社会,其原动力是来自工业技术进步的需要,在我国半导体陶瓷领域的创新主体主要是企业;专利营运是半导体陶瓷领域的瓶颈,有待加强。 展开更多

关键词 半导体陶瓷 敏感陶瓷 专利分析 陶瓷传感器

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钇掺杂BaTiO_3半导体陶瓷的制备 被引量：2

6

作者 骆春媛 刘敬肖 +2 位作者 史非 唐乃岭 钱超 《大连工业大学学报》 CAS 北大核心 2014年第2期124-126,共3页

以BaCO3和TiO2为原料,采用固相反应法制备了钇(Y)掺杂的BaTiO3半导体陶瓷。并且结合XRD分析的结果,讨论了不同煅烧温度对陶瓷半导化的影响和样品的室温电阻率与施主Y的摩尔分数的关系;提出了煅烧温度的选取原则。研究结果表明,随着煅烧... 以BaCO3和TiO2为原料,采用固相反应法制备了钇(Y)掺杂的BaTiO3半导体陶瓷。并且结合XRD分析的结果,讨论了不同煅烧温度对陶瓷半导化的影响和样品的室温电阻率与施主Y的摩尔分数的关系;提出了煅烧温度的选取原则。研究结果表明,随着煅烧温度的升高,材料半导化程度先增加后减小,最佳的煅烧温度为1 200℃。随着Y摩尔分数的增加室温电阻率先增加后减小。当Y摩尔分数为0.6%时在1 200℃煅烧2h获得的材料的室温电阻率最低为31.80Ω·cm。 展开更多

关键词 半导体陶瓷 BATIO3 Y施主 煅烧温度

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高频感应加热法制备 SrTiO_3 BLC 半导瓷 被引量：1

7

作者 陈章其 汪云华 吴冲若 《东南大学学报（自然科学版）》 EI CAS CSCD 1997年第6期118-122,共5页

采用真空高频感应加热法制备ＳｒＴｉＯ３晶界层电容器半导瓷，研究了掺杂材料、掺杂量、烧结温度、保温时间、成型密度等对半导瓷性能结构的影响．所制备的半导瓷经二次烧结成的ＳｒＴｉＯ３ＢＬＣ，其视在介电常数Ｋｅｆｆ＞３×... 采用真空高频感应加热法制备ＳｒＴｉＯ３晶界层电容器半导瓷，研究了掺杂材料、掺杂量、烧结温度、保温时间、成型密度等对半导瓷性能结构的影响．所制备的半导瓷经二次烧结成的ＳｒＴｉＯ３ＢＬＣ，其视在介电常数Ｋｅｆｆ＞３×１０４，损耗角正切ｔａｎδ≈１０－２，绝缘电阻率ρ＞１０１０Ω·ｃｍ． 展开更多

关键词 半导体陶瓷 晶界层电容器 高频感应加热法

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半导体陶瓷电极欧姆接触理论分析

8

作者 章登宏 康建虎 《江汉石油学院学报》 CSCD 北大核心 2002年第4期110-111,104,共3页

针对半导瓷敏感元件 ,应用金属半导体欧姆接触原理 ,分析了半导瓷电极欧姆接触的表面吸附层和能带结构 ;应用金属半导体欧姆接触的伏安特性 ,导出了金属半导瓷欧姆接触的导电机理 。

关键词 半导体陶瓷电极 欧姆接触 金属电极 隧穿效应 场发射

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摩托车用高性能PTCR发热元件的研制

9

作者 詹益增 《电子器件》 CAS 1999年第1期40-45,共6页

利用国产化的原材料和常规的ＰＴＣ陶瓷生产工艺，制备了适宜于摩托车用的ＰＴＣ陶瓷发热元件，该元件的居里温度Ｔｃ≈１１０℃、室温电阻率ρ２５℃≈２８Ω·ｃｍ、电阻温度系数α≈１６．０／％℃－１、电阻突跳度Ｒｍａｘ／Ｒ... 利用国产化的原材料和常规的ＰＴＣ陶瓷生产工艺，制备了适宜于摩托车用的ＰＴＣ陶瓷发热元件，该元件的居里温度Ｔｃ≈１１０℃、室温电阻率ρ２５℃≈２８Ω·ｃｍ、电阻温度系数α≈１６．０／％℃－１、电阻突跳度Ｒｍａｘ／Ｒｍｉｎ＞１０５、表面温度Ｔｓｕｆ＝１３５±５℃；且有良好的耐电流和稳定性。 展开更多

关键词 半导体陶瓷 电阻率 PTC发热元件 摩托车

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用热处理方法降低 PTC 陶瓷发热体的电阻值

10

作者 詹益增 《华南理工大学学报（自然科学版）》 EI CAS CSCD 北大核心 1998年第4期72-76,共5页

提出了一种利用隧道窑热处理方式降低ＰＴＣ陶瓷发热体电阻值的新方法．这种方法不仅能降低电阻值而且还能提高ＰＴＣ陶瓷的主要电性能；同时还讨论了热处理条件对电性能的影响．

关键词 半导体陶瓷 热处理 电阻值 PTC发热体

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烧结温度对PTC陶瓷晶界势垒特性的影响

11

作者 陈亚杰 刘培生 《电子元件与材料》 CAS CSCD 1995年第3期47-50,共4页

研究了两种温度下烧成的ＢａＴｉＯ３基ＰＴＣ半导体陶瓷的晶界特性。利用海旺模型定量计算了这两个样品的受主表面态密度Ｎｓｏ，以及在不同温度下的晶界势垒高度φ０。同时，，分析了样品表观相对介电系数ε＇ｍ与温度Ｔ的关系，发现... 研究了两种温度下烧成的ＢａＴｉＯ３基ＰＴＣ半导体陶瓷的晶界特性。利用海旺模型定量计算了这两个样品的受主表面态密度Ｎｓｏ，以及在不同温度下的晶界势垒高度φ０。同时，，分析了样品表观相对介电系数ε＇ｍ与温度Ｔ的关系，发现在居里温度Ｔｃ以上４０～６０℃较窄的温区内服从居里－外斯定律。 展开更多

关键词 半导体陶瓷 晶界势垒 烧结温度 正温度系数

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半导瓷湿敏元件的研究

12

作者 王毅 王连星 游恩溥 《陶瓷》 CAS 1992年第5期1-4,共4页

本文研究了ZnO-Cr_2O_3-LiCl系统的湿敏特性,结果证实该新型敏感元件具有良好的时间稳定性和感湿特性;微观结构分析表明,其结构对该湿敏元件的性能具有较大的影响。

关键词 半导体陶瓷 湿敏元件 微观结构

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表面层型半导体陶瓷电容器 被引量：1

13

作者 王振平 赵俊斌 +1 位作者 李勇 章士瀛 《电子元件与材料》 CAS CSCD 2000年第5期13-16,共4页

对表面层型半导体陶瓷电容器的基本结构原理、关键生产技术、关键设计参数、关键生产设备以及电容器规格和典型特性作了简要介绍。

关键词 表面层型 半导体陶瓷电容器 烧结 再氧化

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控制铅挥发制备钛酸锶铅半导体陶瓷 被引量：2

14

作者 赵景畅 吴兴惠 李龙土 《电子元件与材料》 CAS CSCD 北大核心 2004年第7期19-21,共3页

在 Y 掺杂的钛酸锶铅中,分别添加过量 PbO、SiO_2、ZrO_2制备之半导体陶瓷样品,在居里点(约 120℃)以上具有强的 PTC 效应,升阻比接近 5 个数量级。其中,SiO_2或 ZrO_2增强了居里点以下的 NTC 效应,降阻比可达 1个数量级;而少量 PbO 则... 在 Y 掺杂的钛酸锶铅中,分别添加过量 PbO、SiO_2、ZrO_2制备之半导体陶瓷样品,在居里点(约 120℃)以上具有强的 PTC 效应,升阻比接近 5 个数量级。其中,SiO_2或 ZrO_2增强了居里点以下的 NTC 效应,降阻比可达 1个数量级;而少量 PbO 则降低了陶瓷的室温电阻率和 NTC 效应。通过热处理可以使热敏特性由 PTC 型向 NTC-PTC复合型转变,表明 NTC 效应与铅含量变化密切相关,控制铅挥发能获得不同热敏特性的钛酸锶铅半导体陶瓷。 展开更多

关键词 钛酸锶铅半导瓷 PTC效应 NTC效应 控制Pb挥发

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石墨造孔PTCR性能和结构的研究 被引量：3

15

作者 苏士美 《郑州工业大学学报》 2000年第1期49-52,共4页

对采用规模工业级原料取得的石墨造孔PTCR的工艺技术、性能和微观结构进行了全面的研究和探讨 .当石墨的质量分数为 1 .0 %时 ,采用快速升温、自然冷却的方法 ,可得到室温电阻率低 (2 0～1 0 0Ω·cm)、升阻比高 (≥ 1 0 5)、温度... 对采用规模工业级原料取得的石墨造孔PTCR的工艺技术、性能和微观结构进行了全面的研究和探讨 .当石墨的质量分数为 1 .0 %时 ,采用快速升温、自然冷却的方法 ,可得到室温电阻率低 (2 0～1 0 0Ω·cm)、升阻比高 (≥ 1 0 5)、温度系数大 (2 1 % /℃ )的热敏电阻 ;通过对样品微观结构的分析 ,提出了多孔PTC效应主要起因于晶界氧的吸附 ,而晶粒细小并非是必需的条件的观点 ,并借助Heywany模型作了进一步的理论解释 . 展开更多

关键词 热敏电阻 PTCR 石墨造孔剂 钛酸钡 陶瓷半导体

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钛酸钡系PTCR半导体陶瓷界面态分析

16

作者 张道礼 曹明贺 +1 位作者 龚树萍 周东祥 《压电与声光》 CSCD 北大核心 2000年第1期40-42,共3页

对形成钛酸钡系半导瓷ＰＴＣＲ效应的界面态进行了探讨，分析了在居里点以上由于界面态和介电常数的共同作用引起的材料电阻率猛增几个数量级的原因；同时对钛酸钡系ＰＴＣＲ半导瓷界面态的组成进行了研究，并提出一种直接测量界面态密... 对形成钛酸钡系半导瓷ＰＴＣＲ效应的界面态进行了探讨，分析了在居里点以上由于界面态和介电常数的共同作用引起的材料电阻率猛增几个数量级的原因；同时对钛酸钡系ＰＴＣＲ半导瓷界面态的组成进行了研究，并提出一种直接测量界面态密度的方法。 展开更多

关键词 钛酸钡系 半导瓷PTCR陶瓷 界面态

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铁电半导体陶瓷材料电声成像中电声信号的产生 被引量：1

17

作者 张冰阳 江福明 +3 位作者 惠森兴 杨阳 姚烈 殷庆瑞 《功能材料与器件学报》 CAS CSCD 1996年第1期53-57,共5页

本文利用扫描电声显微镜成像技术对铁电半导体陶瓷材料进行了无损成像观察和分析。通过对不同条件下获得的电声像的讨论，得出在这种材料的电声成像中，热波耦合机制和压电耦合机制对电声信号的产生均有着贡献，但热波耦合机制占主导地... 本文利用扫描电声显微镜成像技术对铁电半导体陶瓷材料进行了无损成像观察和分析。通过对不同条件下获得的电声像的讨论，得出在这种材料的电声成像中，热波耦合机制和压电耦合机制对电声信号的产生均有着贡献，但热波耦合机制占主导地位。另外扫描电声显微镜在对材料的亚表面缺陷无损观察方面有着其它观察手段所无法比拟的优点。 展开更多

关键词 铁电半导体陶瓷 电声信号 缺陷

原文传递

半导体热电陶瓷ZnO热压成型的研究

18

作者 李瑜煜 张仁元 《硅酸盐通报》 CAS CSCD 北大核心 2008年第3期610-614,共5页

研究了半导体热电陶瓷ZnO热压成型技术,采用正交试验研究优化出其热压成型工艺;试验结果表明,所用的热压成型工艺,具有显著的活化烧结功效,可明显地降低压制压力和热压温度并缩短热压时间。试样组织疏松、有较多的孔隙,这有利于降低其... 研究了半导体热电陶瓷ZnO热压成型技术,采用正交试验研究优化出其热压成型工艺;试验结果表明,所用的热压成型工艺,具有显著的活化烧结功效,可明显地降低压制压力和热压温度并缩短热压时间。试样组织疏松、有较多的孔隙,这有利于降低其热导率提高热电性能。在无粘结剂中、温低压条件下的可制备出具有一定机械强度、热电性能良好的ZnO块体热电陶瓷。 展开更多

关键词 热压成型 半导体热电陶瓷 ZNO 热压工艺 粘结剂

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化学敏感材料的应用与发展 被引量：2

19

作者 叶勇 王源升 朱金华 《海军工程大学学报》 CAS 2001年第4期108-111,116,共5页

对敏感材料的特点、分类及其在科技、化工等领域内的广泛应用和发展前景 。

关键词 化学敏感材料 智能材料 传感器 半导陶瓷 形状记忆合金 高分子液晶 高分子压电材料

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陶瓷湿敏元件失效模式和失效机理 被引量：1

20

作者 李和太 韦春才 +1 位作者 王军 崔志武 《沈阳工业大学学报》 EI CAS 1998年第3期40-43,共4页

在对陶瓷湿敏元件现场应用情况调查和进行各种应力实验的基础上，采用扫描电镜等现代分析手段和物理化学理论统计分析，得出了陶瓷湿敏元件的主要失效模式和三种失效机理．

关键词 半导体陶瓷 失效模式 湿敏元件 失效机理

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