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HfO_2高k栅介质漏电流机制和SILC效应 被引量：7
1
作者 王成刚 韩德栋 +5 位作者 杨红 刘晓彦 王玮 王漪 康晋锋 韩汝琦 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第7期841-846,共6页
利用室温下反应磁控溅射的方法在 p- Si(1 0 0 )衬底上制备了 Hf O2 栅介质层 ,研究了 Hf O2 高 k栅介质的电流传输机制和应力引起泄漏电流 (SIL C)效应 .对 Hf O2 栅介质泄漏电流输运机制的分析表明 ,在电子由衬底注入的情况下 ,泄漏... 利用室温下反应磁控溅射的方法在 p- Si(1 0 0 )衬底上制备了 Hf O2 栅介质层 ,研究了 Hf O2 高 k栅介质的电流传输机制和应力引起泄漏电流 (SIL C)效应 .对 Hf O2 栅介质泄漏电流输运机制的分析表明 ,在电子由衬底注入的情况下 ,泄漏电流主要由 Schottky发射机制引起 ,而在电子由栅注入的情况下 ,泄漏电流由 Schottky发射和 Frenkel-Poole发射两种机制共同引起 .通过对 SIL C的分析 ,在没有加应力前 Hf O2 / Si界面层存在较少的界面陷阱 ,而加上负的栅压应力后在界面处会产生新的界面陷阱 ,随着新产生界面陷阱的增多 ,这时在衬底注入的情况下 ,电流传输机制就不仅仅是由 Schottky发射机制引起 ,而存在 Frenkel- Poole发射机制起作用 .同时研究表明面积对 SIL 展开更多
关键词 HFO2栅介质 泄漏电流输运机制 schottky发射 Frenkel—Poole发射 SILC PACC 7360 7755 EEACC 2550 2530
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Al_2O_3栅介质的制备工艺及其泄漏电流输运机制 被引量：5
2
作者 任驰 杨红 +3 位作者 韩德栋 康晋锋 刘晓彦 韩汝琦 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2003年第10期1109-1114,共6页
利用室温下反应磁控溅射结合炉退火的方法在P Si(10 0 )衬底上制备了Al2 O3 栅介质层 ,研究了不同的溅射气氛和退火条件对Al2 O3 栅介质层物理特性的影响 .结果表明 :在较高温度下N2 气氛中退火有助于减小泄漏电流 ;在O2 气氛中退火有... 利用室温下反应磁控溅射结合炉退火的方法在P Si(10 0 )衬底上制备了Al2 O3 栅介质层 ,研究了不同的溅射气氛和退火条件对Al2 O3 栅介质层物理特性的影响 .结果表明 :在较高温度下N2 气氛中退火有助于减小泄漏电流 ;在O2 气氛中退火有助于减少Al2 O3 栅介质中的氧空位缺陷 .对Al2 O3 栅介质泄漏电流输运机制的分析表明 ,在电子由衬底注入的情况下 ,泄漏电流主要由Schottky发射机制引起 ,而在电子由栅注入的情况下 ,泄漏电流可能由Schot tky发射和Frenkel Poole发射两种机制共同引起 . 展开更多
关键词 A12O3栅介质 泄漏电流输运机制 schottky发射 Frenkel-Poole发射
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扩展的Schottky发射高分辨扫描电镜 被引量：3
3
作者 陈文雄 徐军 《电子显微学报》 CAS CSCD 1995年第6期449-457,共9页
本文从理论上评述了扫描电镜中作为电子源的五种发射制式，对冷场发射，热场发射，Ｓｃｈｏｔｔｋｙ发射和扩展的Ｓｃｈｏｔｔｋｙ发射四种制式，就虚源，能量分散，亮度，噪声等一些重要方面进行了详细的比较，指出了扩展的Ｓｃｈｏｔ... 本文从理论上评述了扫描电镜中作为电子源的五种发射制式，对冷场发射，热场发射，Ｓｃｈｏｔｔｋｙ发射和扩展的Ｓｃｈｏｔｔｋｙ发射四种制式，就虚源，能量分散，亮度，噪声等一些重要方面进行了详细的比较，指出了扩展的Ｓｃｈｏｔｔｋｙ发射的优越性。同时给出了我们应用扩展的Ｓｃｈｏｔｔｋｙ发射扫描电镜（ＡＭＲＡＹ１９１０ＦＥ）所获得的一些高分辨形貌像。 展开更多
关键词 显微镜 场发射 schottky发射 扫描电镜
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非晶氧化铝超薄膜中的电荷输运特性 被引量：1
4
作者 朱炎 赵登涛 +1 位作者 狄国庆 方亮 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2001年第3期296-297,300,共3页
研究了反应射频磁控溅射制备的非晶氧化铝薄膜中电荷输运过程，发现交流和直流电导导电机制是明显不同的．对直流输运，以 Ｐｏｏｌｅ—Ｆｒｅｎｋｅｌ发射模式为主，而新样品的立流电导则常常是带陷阱的空间电荷限制电流模式。交流电... 研究了反应射频磁控溅射制备的非晶氧化铝薄膜中电荷输运过程，发现交流和直流电导导电机制是明显不同的．对直流输运，以 Ｐｏｏｌｅ—Ｆｒｅｎｋｅｌ发射模式为主，而新样品的立流电导则常常是带陷阱的空间电荷限制电流模式。交流电导则是由所谓的声子辅助的定域载流子的跳跃引起的。电导的温度特性表明，交流电导有两种不同的导电机制，即低温区的浅陷阱发射和高温区的因氧缺陷导致的深陷阱的发射过程，直流电导与交流电导在高温区趋于一致。 展开更多
关键词 非晶氧化铝薄膜 schottky发射 Poole-Frenkel发射 激活能 电荷输运
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Au/(C/SiO_2)/p-Si结构中的电流输运机理研究 被引量：1
5
作者 张汉谋 马书懿 《西北师范大学学报（自然科学版）》 CAS 2006年第4期44-46,52,共4页
采用射频磁控溅射方法制备了镶嵌纳米碳粒的SiO2薄膜,利用Au/(C/SiO2)/p-Si结构的I-V特性曲线,对其电流输运机理进行了分析.结果表明,正向偏压较小时,薄膜中的电流符合欧姆电流输运机制;正向偏压较大时,薄膜中的电流主要是Schottky发射... 采用射频磁控溅射方法制备了镶嵌纳米碳粒的SiO2薄膜,利用Au/(C/SiO2)/p-Si结构的I-V特性曲线,对其电流输运机理进行了分析.结果表明,正向偏压较小时,薄膜中的电流符合欧姆电流输运机制;正向偏压较大时,薄膜中的电流主要是Schottky发射和Frenkel-Poole发射2种电流输运机制的共同作用结果.这一结论与样品的EL(electroluminescence)是由SiO2中的发光中心引起的结论相一致. 展开更多
关键词 射频磁控溅射 I-V特性 schottky发射 Frenkel-Poole发射
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Cu掺杂CaCu_3Ti_4O_(12)陶瓷的介电性能和晶界特征 被引量：3
6
作者 莫兴婵 韦小圆 +3 位作者 韦成峰 郑少英 覃远东 刘来君 《电子元件与材料》 CAS CSCD 北大核心 2013年第3期33-36,共4页
采用传统的固相反应工艺制备了Cu掺杂的CaCu3Ti4O12(Cu-CCTO)陶瓷。采用Schottky热电子发射模型研究了其晶界特征。研究了保温时间对Cu-CCTO陶瓷的介电性能和晶界特征的影响。结果表明:保温时间从1 h延长到30 h,Cu-CCTO陶瓷在100 kHz下... 采用传统的固相反应工艺制备了Cu掺杂的CaCu3Ti4O12(Cu-CCTO)陶瓷。采用Schottky热电子发射模型研究了其晶界特征。研究了保温时间对Cu-CCTO陶瓷的介电性能和晶界特征的影响。结果表明:保温时间从1 h延长到30 h,Cu-CCTO陶瓷在100 kHz下的介电损耗保持在0.135,相对介电常数由3 600增至20 000以上。随着保温时间的延长,Cu-CCTO陶瓷的I-V非线性系数由1.8增至3.37,但击穿电场强度却由1 500 V/cm降至约700 V/cm。随着保温时间的延长,Cu-CCTO陶瓷的势垒高度和耗尽层宽度均增加。 展开更多
关键词 CaCu3Ti4O12(CCTO) CU掺杂 schottky热电子发射模型 晶界效应 势垒高度 非线性I-V特征 介电频谱 复阻抗谱
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