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Sb^(5+)掺杂TiO_2纳米带的制备及其乙醇气敏性能研究
1
作者 陈枫 肖奇 《中南大学学报（自然科学版）》 EI CAS CSCD 北大核心 2014年第7期2176-2181,共6页
采用水热法制备纯的及Sb5+掺杂的TiO2纳米带,并用XRD和TEM对样品进行表征。研究结果表明:700℃焙烧的TiO2纳米带依然保持为锐钛矿相;掺杂后TiO2纳米带的形貌基本保持不变,是长5~10μm,宽100~300 nm的纳米带结构。在最佳工作温度下,TiO2... 采用水热法制备纯的及Sb5+掺杂的TiO2纳米带,并用XRD和TEM对样品进行表征。研究结果表明:700℃焙烧的TiO2纳米带依然保持为锐钛矿相;掺杂后TiO2纳米带的形貌基本保持不变,是长5~10μm,宽100~300 nm的纳米带结构。在最佳工作温度下,TiO2纳米带对乙醇气体具有快速的响应和恢复特性;Sb5+掺杂不仅可以提高TiO2纳米带的灵敏度,而且降低最佳工作温度,由掺杂前的400℃降低为掺杂后的300℃;在n(Sb)/n(Ti)=7.5%的最佳掺杂量下,对体积分数为100×10-6的乙醇气体的响应时间为19 s,恢复时间为11 s,灵敏度为13.82,且检测下限可达到1×10-6。 展开更多
关键词 TIO2纳米带 sb5+掺杂 气敏 乙醇
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稀土Y改性Ti/Sb_2O_5-SnO_2电催化电极的制备及表征 被引量：5
2
作者 李善评 付敬 胡振 《山东大学学报（理学版）》 CAS CSCD 北大核心 2008年第9期22-26,共5页
为改善Ti/Sb2O5-SnO2电极的电催化性能,采用浸渍法制备了Y改性Ti/Sb2O5-SnO2电极。以活性艳红X-3B为目标有机物,考察了电极的电催化性能,对制备温度和Y掺杂量进行了详细的实验研究,确定的适宜制备条件为热处理温度550℃、Y掺杂量0.8%。... 为改善Ti/Sb2O5-SnO2电极的电催化性能,采用浸渍法制备了Y改性Ti/Sb2O5-SnO2电极。以活性艳红X-3B为目标有机物,考察了电极的电催化性能,对制备温度和Y掺杂量进行了详细的实验研究,确定的适宜制备条件为热处理温度550℃、Y掺杂量0.8%。采用SEM、EDS、XRD等分析方法对所制备电极的表面形貌、元素组成及结构进行分析,发现稀土Y的掺杂可以使SnO2粒径变小,有利于电极电催化性能的改善,同时Y元素的引入可使杂质元素Sb、Y在电极表面涂层富集。Y改性Ti/Sb2O5-SnO2电极表面主要是四方相金红石结构的SnO2晶体。电极动电位扫描测试结果表明Y改性Ti/Sb2O5-SnO2电极具有较高的阳极析氧电位,有利于有机物的阳极氧化降解。 展开更多
关键词 Ti/sb2O5-SnO2电极 Y 掺杂 电催化
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Sb_2O_5/TiO_2催化超声降解甲基橙溶液 被引量：2
3
作者 王君 韩建涛 +5 位作者 张向东 郭宝东 刘振荣 李绮 康平利 李红 《安全与环境学报》 CAS CSCD 2004年第6期27-29,共3页
采用实验室合成的 Sb2 O5掺杂 Ti O2 作为催化剂 ,研究各种因素对甲基橙的超声催化降解反应的影响。结果表明 ,在 Sb2 O5掺杂Ti O2 催化剂作用下 ,甲基橙的超声催化降解效果明显优于单独使用Ti O2 的情况。 1 .5 %掺杂量的催化剂 ,用量... 采用实验室合成的 Sb2 O5掺杂 Ti O2 作为催化剂 ,研究各种因素对甲基橙的超声催化降解反应的影响。结果表明 ,在 Sb2 O5掺杂Ti O2 催化剂作用下 ,甲基橙的超声催化降解效果明显优于单独使用Ti O2 的情况。 1 .5 %掺杂量的催化剂 ,用量在 1 .0～ 1 .5 g/L之间 ,超声波频率 2 5 k Hz,输出功率 1 .0 W/cm2 ,p H为 1 .0～ 3.0时 ,初始浓度为 2 0 mg/L的甲基橙水溶液 ,1 0 0 min左右基本可全部降解 ,COD去除率达到 99.0 %以上。Sb2 O5掺杂 Ti O2 展开更多
关键词 环境工程 TiO2改性 sb2O5掺杂 超声波 甲基磴降解
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硅离子注入对Ge2Sb2Te5结构和电阻的影响 被引量：3
4
作者 刘波 宋志棠 +2 位作者 封松林 Chen Bomy 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第z1期158-160,共3页
采用磁控射频溅射法制备了Ge2Sb2Te5薄膜,利用离子注入法研究了硅掺杂对薄膜结构和电阻性能的影响.研究发现,由于硅的掺杂,Ge2Sb2Te5薄膜的结构不仅保留了原有的面心立方低温晶相和六方高温晶相,而且出现了菱形六面体的Sb2Te3晶相;掺杂... 采用磁控射频溅射法制备了Ge2Sb2Te5薄膜,利用离子注入法研究了硅掺杂对薄膜结构和电阻性能的影响.研究发现,由于硅的掺杂,Ge2Sb2Te5薄膜的结构不仅保留了原有的面心立方低温晶相和六方高温晶相,而且出现了菱形六面体的Sb2Te3晶相;掺杂硅后,Ge2Sb2Te5薄膜的电阻有较大变化,晶态电阻的提高有利于降低非晶化相变过程的操作电流,薄膜电阻-温度稳定性的改善可保证有较宽的操作电流波动范围. 展开更多
关键词 Ge2sb2Te5 硅离子注入掺杂 方块电阻
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N-Ge_2Sb_2Te_5薄膜的相变特性研究 被引量：2
5
作者 刘巧丽 刘军伟 +2 位作者 李春波 李廷取 路大勇 《吉林化工学院学报》 CAS 2016年第3期80-82,共3页
采用射频磁控溅射法在室温下沉积了N-GST相变薄膜,利用原位XRD研究了其相变过程.结果表明：室温下沉积薄膜均为非晶态,且在室温～375℃温度范围内,纯GST薄膜发生了非晶态→立方晶态→六方晶态相转变;然而,当N2流量为12.8 sccm时,N掺杂GS... 采用射频磁控溅射法在室温下沉积了N-GST相变薄膜,利用原位XRD研究了其相变过程.结果表明：室温下沉积薄膜均为非晶态,且在室温～375℃温度范围内,纯GST薄膜发生了非晶态→立方晶态→六方晶态相转变;然而,当N2流量为12.8 sccm时,N掺杂GST薄膜则发生了非晶态→六方晶态直接相转变.此外,通过原位XRD确定结晶温度,表明N引入能够显著提高GST薄膜的结晶温度,这有利于提高相变薄膜的非晶热稳定性. 展开更多
关键词 相变特性 Ge2sb2Te5 N掺杂 原位XRD 结晶温度
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Sn掺杂Ge-Sb-Te相变薄膜的晶化特性 被引量：1
6
作者 顾四朋 侯立松 赵启涛 《材料研究学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第2期181-186,共6页
用磁控溅射法制备了掺杂Sn的Ge_2Sb_2Te_5相变材料薄膜,研究了Sn含量对结晶性能的影响.薄膜的X射线衍射(XRD)表明,热处理使薄膜发生了从非晶态到晶态的相变,并出现Sn-Te相.通过示差扫描量热(DSC)实验测出在不同加热速率下非晶态薄膜粉... 用磁控溅射法制备了掺杂Sn的Ge_2Sb_2Te_5相变材料薄膜,研究了Sn含量对结晶性能的影响.薄膜的X射线衍射(XRD)表明,热处理使薄膜发生了从非晶态到晶态的相变,并出现Sn-Te相.通过示差扫描量热(DSC)实验测出在不同加热速率下非晶态薄膜粉末的结晶峰温度,计算了材料的结晶活化能.根据结晶动力学分析和结晶活化能数据,掺杂Sn后的Ge-Sb-Te具有更高的结晶速率,用于光存储时将具有更高的擦除速度. 展开更多
关键词 无机非金属材料 Ge2sb2Te5 Sn掺杂 热致相变 结晶活化能
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Sb离子掺杂SnO_2的价态转变与电导性分子动力学模拟
7
作者 冯婷婷 李晨 董栋 《化工管理》 2016年第23期180-,共1页
本文采用分子动力学方法,模拟计算了300K常压下不同浓度及不同价态Sb/SnO2的结构参数及能量参数。结果表明,在低掺杂浓度范围(≤1.0 mol%),Sb/SnO2中Sb离子倾向于以Sb5+形态存在,而高掺杂浓度时(≥3.0 mol%),则以Sb3+形态存在,即随掺杂... 本文采用分子动力学方法,模拟计算了300K常压下不同浓度及不同价态Sb/SnO2的结构参数及能量参数。结果表明,在低掺杂浓度范围(≤1.0 mol%),Sb/SnO2中Sb离子倾向于以Sb5+形态存在,而高掺杂浓度时(≥3.0 mol%),则以Sb3+形态存在,即随掺杂浓度增大,部分Sb5+将转化为Sb3+,Sb/SnO2导电能力下降,电导率在掺杂浓度为1.0 mol%时达最大值。 展开更多
关键词 分子动力学 金红石相SnO2 sb3+、sb5+掺杂 电导性
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