期刊文献+
任意字段
题名或关键词
题名
关键词
文摘
作者
第一作者
机构
刊名
分类号
参考文献
作者简介
基金资助
栏目信息
共找到1篇文章
< 1 >
每页显示 20 50 100
已选择0条
导出题录 引用分析
参考文献
引证文献
 统计分析
检索结果
已选文献
显示方式：
基于STNMOS的混合电压I/O接口ESD保护
1
作者 吴道训 蒋苓俐 +1 位作者 方健 张波 《中国集成电路》 2012年第7期45-50,共6页
混合电压I/O接口的静电放电(electrostatic discharge,ESD)保护设计是小线宽工艺中片上系统(SoC)设计的主要挑战之一。混合电压I/O接口的片上ESD保护既要避免栅氧可靠性问题,又要防止不期望的泄漏电流路径产生。这篇论文讨论了基于堆叠N... 混合电压I/O接口的静电放电(electrostatic discharge,ESD)保护设计是小线宽工艺中片上系统(SoC)设计的主要挑战之一。混合电压I/O接口的片上ESD保护既要避免栅氧可靠性问题,又要防止不期望的泄漏电流路径产生。这篇论文讨论了基于堆叠NMOS(stacked-NMOS,STNMOS)的混合电压I/O接口的ESD保护设计构思和电路实现,通过不同ESD保护设计方案的比较,提出了一个最有效的保护方案。 展开更多
关键词 静电放电 混合电压 I/O接口 堆叠NMOS
下载PDF
已选择0条
导出题录 引用分析
参考文献
引证文献
 统计分析
检索结果
已选文献
上一页 1 下一页 到第 页
使用帮助 返回顶部