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C_(60)不同吸附取向的STM图象的理论模拟 被引量：8
1
作者 李群祥 杨金龙 +2 位作者 侯建国 汪克林 朱清时 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 1999年第8期1477-1483,共7页
采用离散变分局域密度泛涵（ Ｄ Ｖ Ｌ Ｄ Ｆ） 方法，基于 Ｔｅｒｓｏｆｆ Ｈａｍａｎｎ 的扫描隧道显微镜（ Ｓ Ｔ Ｍ） 理论，通过计算单个 Ｃ６０ 五种不同吸附取向的电荷密度分布图来模拟其 Ｓ Ｔ Ｍ 图象．计算结果表明，不... 采用离散变分局域密度泛涵（ Ｄ Ｖ Ｌ Ｄ Ｆ） 方法，基于 Ｔｅｒｓｏｆｆ Ｈａｍａｎｎ 的扫描隧道显微镜（ Ｓ Ｔ Ｍ） 理论，通过计算单个 Ｃ６０ 五种不同吸附取向的电荷密度分布图来模拟其 Ｓ Ｔ Ｍ 图象．计算结果表明，不同取向 Ｃ６０ 的电荷密度分布图有各自的特征‘指纹’，其中模拟正偏压情形下 Ｃ６０ 的最低未占据分子轨道（ Ｌ Ｕ Ｍ Ｏ） 分布图与其 Ｓ Ｔ Ｍ 图象具有较好的可比性．与实验上已有的 Ｓ Ｔ Ｍ 图象和文献中的理论计算结果比较，可以确定 Ｃ６０ 在一些表面上的吸附取向．根据我们实验上获得的 Ｓ Ｔ Ｍ 图象及理论模拟结果，发现 Ｃ６０ 在 Ｓｉ（１１１）７ ×７ 表面存在一种新的吸附取向，即５ —６ 键朝上．计算结果还对 Ｓ Ｔ Ｍ 的实验工作具有一定的指导意义，并可以采用这一方法，用来确定其他分子的吸附取向． 展开更多
关键词 碳60 stm图象 吸附取向 理论模拟
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表面吸附STM图象的激子动力学方法研究
2
作者 黄新堂 王昌燧 李永平 《中国科学技术大学学报》 CAS CSCD 北大核心 1995年第3期378-381,共4页
本文借助於激子动力学方法，推证了单吸附ＳＴＭ系统隧道电流和探针位置的直接关系式．该方法比现有的常规方法有更多的优越性．
关键词 stm图象 激子动力学 表面吸附
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