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低介电常数介质薄膜的研究进展
被引量：
6
1
作者
王娟
张长瑞
冯坚
《化学进展》
SCIE
CAS
CSCD
北大核心
2005年第6期1001-1011,共11页
用低介电常数介质薄膜作金属线间和层间介质可以降低超大规模集成电路(ULSI)的互连延迟、串扰和能耗。从介质极化的原理出发,揭示了开发低介电常数介质薄膜的可能途径;综述了低介电常数介质薄膜的制备方法、结构与性能表征、工艺兼容性...
用低介电常数介质薄膜作金属线间和层间介质可以降低超大规模集成电路(ULSI)的互连延迟、串扰和能耗。从介质极化的原理出发,揭示了开发低介电常数介质薄膜的可能途径;综述了低介电常数介质薄膜的制备方法、结构与性能表征、工艺兼容性等领域的最新进展。
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关键词
低介电常数
介质
薄膜
多孔薄膜
ssq
基
介质
纳米多孔SiO2薄膜
含氟氧化硅(SiOF)薄膜
含碳氧化硅(SiOCH)薄膜
有机聚合物
介质
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职称材料
题名
低介电常数介质薄膜的研究进展
被引量：
6
1
作者
王娟
张长瑞
冯坚
机构
国防科技大学航天与材料工程学院新型陶瓷纤维及其复合材料国防科技重点实验室
出处
《化学进展》
SCIE
CAS
CSCD
北大核心
2005年第6期1001-1011,共11页
基金
武器装备预研项目(41312040307)
文摘
用低介电常数介质薄膜作金属线间和层间介质可以降低超大规模集成电路(ULSI)的互连延迟、串扰和能耗。从介质极化的原理出发,揭示了开发低介电常数介质薄膜的可能途径;综述了低介电常数介质薄膜的制备方法、结构与性能表征、工艺兼容性等领域的最新进展。
关键词
低介电常数
介质
薄膜
多孔薄膜
ssq
基
介质
纳米多孔SiO2薄膜
含氟氧化硅(SiOF)薄膜
含碳氧化硅(SiOCH)薄膜
有机聚合物
介质
Keywords
low dielectric constant films
porous films
silsesquioxane （
ssq
） based dielectrics
nanoporous silica films
fluorine doped silica film （SiOF）
carbon doped silica film （SiOCH）
organic polymer dielectrics
分类号
O64 [理学—物理化学]
TB43 [理学—化学]
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题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
低介电常数介质薄膜的研究进展
王娟
张长瑞
冯坚
《化学进展》
SCIE
CAS
CSCD
北大核心
2005
6
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职称材料
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