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Single event upset induced multi-block error and its mitigation strategy for SRAM-based FPGA 被引量:5
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作者 XING KeFei YANG JianWei +1 位作者 ZHANG ChuangSheng HE Wei 《Science China(Technological Sciences)》 SCIE EI CAS 2011年第10期2657-2664,共8页
According to the SRAM-based FPGA's single event effect problem in space application,single event upset induced multi-block error(SEU-MBE) phenomenon and its mitigation strategy are studied in the paper.After analy... According to the SRAM-based FPGA's single event effect problem in space application,single event upset induced multi-block error(SEU-MBE) phenomenon and its mitigation strategy are studied in the paper.After analyzing the place and route result,the paper points out that the essence of SEU-MBE is that some important modules exceed the safe internal distance.Two approaches,area constraint method(ACM) and incremental route algorithm(IRA),are proposed,which can reduce the error rate by manipulating programmable switch matrix and interconnection points within FPGA route resource.Fault injection experiments indicate that error detection rate is above 98.6% for both strategies,and FPGA resources increment and performance penalty are around 10%. 展开更多
关键词 sram-based FPGA single event upset induced multi-block error place and route
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基于TMR的FPGA单粒子加固试验探究 被引量:4
2
作者 黄锦杰 孙鹏 +1 位作者 沈鸣杰 俞军 《复旦学报(自然科学版)》 CAS CSCD 北大核心 2011年第4期477-484,共8页
设计了一个可对基于静态随机存储器的现场可编程门阵列进行单粒子效应测试的系统.采用三模冗余和定时回读重配的方法对待测器件进行单粒子加固.测试电路为移位寄存器链,定时回读的间隔约为80 ms,测试时钟为10 MHz.在非辐照环境下先进行... 设计了一个可对基于静态随机存储器的现场可编程门阵列进行单粒子效应测试的系统.采用三模冗余和定时回读重配的方法对待测器件进行单粒子加固.测试电路为移位寄存器链,定时回读的间隔约为80 ms,测试时钟为10 MHz.在非辐照环境下先进行了单粒子翻转的仿真试验,获得系统基本参数后,在兰州中科院近代物理研究所进行了重离子单粒子效应辐照试验.试验芯片为商用FPGA,辐照试验增加单粒子闩锁监控,观察不同注量率下待测器件的加固效果.分析仿真试验与辐照试验结果,系统可正确实现加固与测试功能,也证明三模冗余技术结合回读重配方法能够提高FPGA芯片的单粒子加固能力. 展开更多
关键词 三模冗余 基于静态随机存储器的 现场可编程门阵列 单粒子加固 回读重配
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SRAM-Based FPGA Systems for Safety-Critical Applications: A Survey on Design Standards and Proposed Methodologies 被引量:2
3
作者 Cinzia Bernardeschi Luca Cassano Andrea Domenici 《Journal of Computer Science & Technology》 SCIE EI CSCD 2015年第2期373-390,共18页
As the ASIC design cost becomes affordable only for very large-scale productions, the FPGA technology is currently becoming the leading technology for those applications that require a small-scale production. FPGAs ca... As the ASIC design cost becomes affordable only for very large-scale productions, the FPGA technology is currently becoming the leading technology for those applications that require a small-scale production. FPGAs can be considered as a technology crossing between hardware and software. Only a small-number of standards for the design of safety-critical systems give guidelines and recommendations that take the peculiarities of the FPGA technology into consideration. The main contribution of this paper is an overview of the existing design standards that regulate the design and verification of FPCA-based systems in safety-critical application fields. Moreover, the paper proposes a survey of significant published research proposals and existing industrial guidelines about the topic, and collects and reports about some lessons learned from industrial and research projects involving the use of FPGA devices. 展开更多
关键词 design verification electronic design safety-critical system sram-based FPGA
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Total dose ionizing irradiation effects on a static random access memory field programmable gate array
4
作者 高博 余学峰 +5 位作者 任迪远 李豫东 孙静 崔江维 王义元 李明 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 2012年第3期42-47,共6页
SRAM-based FPGA devices are irradiated by ^(60)Coγrays at various aose rates 10 investigate total dose effects and the evaluation method.The dependences of typical electrical parameters such as static power current... SRAM-based FPGA devices are irradiated by ^(60)Coγrays at various aose rates 10 investigate total dose effects and the evaluation method.The dependences of typical electrical parameters such as static power current, peak-peak value,and delay time on total dose are discussed.The experiment results show that the static power current of the devices reduces rapidly at room temperature(25℃) and high temperature(80℃) annealing after irradiation.When the device is irradiated at a low dose rate,the delay time and peak-peak value change unobviously with an increase in the accumulated dose.In contrast,the function parameters completely fail at 2.1 kGy(Si) when the dose rate increases to 0.71 Gy(Si)/s. 展开更多
关键词 sram-based FPGA γ-^(60)Co ionizing irradiation effects evaluation methods
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A software solution to estimate the SEU-induced soft error rate for systems implemented on SRAM-based FPGAs
5
作者 王忠明 姚志斌 +1 位作者 郭红霞 吕敏 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2011年第5期117-123,共7页
SRAM-based FPGAs are very susceptible to radiation-induced Single-Event Upsets (SEUs) in space applications. The failure mechanism in FPGA's configuration memory differs from those in traditional memory device. As ... SRAM-based FPGAs are very susceptible to radiation-induced Single-Event Upsets (SEUs) in space applications. The failure mechanism in FPGA's configuration memory differs from those in traditional memory device. As a result, there is a growing demand for methodologies which could quantitatively evaluate the impact of this effect. Fault injection appears to meet such requirement. In this paper, we propose a new methodology to analyze the soft errors in SRAM-based FPGAs. This method is based on in depth understanding of the device architecture and failure mechanisms induced by configuration upsets. The developed programs read in the placed and routed netlist, search for critical logic nodes and paths that may destroy the circuit topological structure, and then query a database storing the decoded relationship of the configurable resources and corresponding control bit to get the sensitive bits. Accelerator irradiation test and fault injection experiments were carried out to validate this approach. 展开更多
关键词 radiation effect single-event effect sram-based FPGAs fault injection
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空间辐射效应对SRAM型FPGA的影响 被引量:11
6
作者 邢克飞 杨俊 季金明 《微电子学与计算机》 CSCD 北大核心 2006年第12期107-110,共4页
以Xilinx的FPGA为例,结合相关试验数据,分析了空间总剂量效应、单粒子翻转、单粒子闩锁、单粒子功能中断、单粒子烧毁、单粒子瞬态脉冲和位移损伤等辐射效应对SRAMFPGA器件的漏极电流、阈值电压、逻辑功能等影响,分析了辐射效应的机理以... 以Xilinx的FPGA为例,结合相关试验数据,分析了空间总剂量效应、单粒子翻转、单粒子闩锁、单粒子功能中断、单粒子烧毁、单粒子瞬态脉冲和位移损伤等辐射效应对SRAMFPGA器件的漏极电流、阈值电压、逻辑功能等影响,分析了辐射效应的机理以及FPGA的失效模式。文章可以为SRAM型FPGA在航天领域中的应用提供参考。 展开更多
关键词 总剂量效应 单粒子效应 位移损伤 sram型FPGA
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SRAM型FPGA的SEU容错技术研究 被引量:10
7
作者 郝亚男 高欣 许仕龙 《中国集成电路》 2015年第10期31-36,共6页
在空间辐射环境下,SRAM型FPGA比ASIC器件更容易产生单粒子翻转(SEU)效应,造成器件逻辑错误和系统故障,因此对航天应用中的SRAM型FPGA必须采取相应的抗单粒子翻转设计措施,提高FPGA空间应用的可靠性。分析了SEU产生原因及国内外针对SEU... 在空间辐射环境下,SRAM型FPGA比ASIC器件更容易产生单粒子翻转(SEU)效应,造成器件逻辑错误和系统故障,因此对航天应用中的SRAM型FPGA必须采取相应的抗单粒子翻转设计措施,提高FPGA空间应用的可靠性。分析了SEU产生原因及国内外针对SEU效应提出的FPGA加固设计方法,重点分析介绍了三模冗余技术、刷新回读技术和局部动态可重构技术等加固技术,总结比较了各种技术的优缺点。 展开更多
关键词 sram型FPGA 单粒子翻转 可靠性
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SRAM型FPGA单粒子翻转模拟系统研究 被引量:10
8
作者 郑晓云 王绍举 《红外与激光工程》 EI CSCD 北大核心 2014年第B12期164-168,共5页
SRAM型FPGA在空间辐照环境下,容易受到单粒子效应的影响,导致FPGA存储单元发生位翻转,翻转达到一定程度会导致功能错误。为了评估FPGA对单粒子效应的敏感程度和提高FPGA抗单粒子的可靠性,对实现故障注入的关键技术进行了研究,对现有技... SRAM型FPGA在空间辐照环境下,容易受到单粒子效应的影响,导致FPGA存储单元发生位翻转,翻转达到一定程度会导致功能错误。为了评估FPGA对单粒子效应的敏感程度和提高FPGA抗单粒子的可靠性,对实现故障注入的关键技术进行了研究,对现有技术进行分析,设计了单粒子翻转效应敏感位测试系统,利用SRAM型FPGA部分重配置特性,采用修改FPGA配置区数据位来模拟故障的方法,加速了系统的失效过程,实现对单粒子翻转敏感位的检测和统计,并通过实验进行验证,结果表明:设计合理可行,实现方式灵活,成本低,为SRAM型FPGA抗单粒子容错设计提供了有利支持。 展开更多
关键词 单粒子翻转 sram型FPGA 故障注入
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星用SRAM型FPGA加固设计方法研究 被引量:8
9
作者 邢克飞 杨俊 +1 位作者 周永彬 季金明 《电子器件》 CAS 2007年第1期202-205,209,共5页
结合实际工程实践,给出了解决常见的FPGA辐射失效问题的一些方法;分析了辐射效应对FPGA综合过程中经常出现的Half-latch的影响,并给出了几种设计时需要考虑的解决方法;最后提出了一种基于低等级FPGA器件的“由顶到底”的星载信号处理平... 结合实际工程实践,给出了解决常见的FPGA辐射失效问题的一些方法;分析了辐射效应对FPGA综合过程中经常出现的Half-latch的影响,并给出了几种设计时需要考虑的解决方法;最后提出了一种基于低等级FPGA器件的“由顶到底”的星载信号处理平台结构,分析了这种结构在对付辐射效应时的优势。给出的有关大规模可配置电子器件的设计方法可以为航天电子设备的设计提供参考。 展开更多
关键词 辐射效应 可靠性 加固设计 sram型FPGA
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基于静态随机存取存储器型FPGA的测试技术发展 被引量:7
10
作者 张颖 毛志明 陈鑫 《电子与封装》 2021年第1期33-43,共11页
可编程逻辑门阵列(FPGA)技术迅速发展,广泛应用于各种电子系统中,与此同时,对FPGA测试的需求也日益增多。针对FPGA的测试方法和特性进行综述研究,给出了测试对象FPGA的分类,根据FPGA的类型特点说明其测试重点,并着重介绍了目前应用最广... 可编程逻辑门阵列(FPGA)技术迅速发展,广泛应用于各种电子系统中,与此同时,对FPGA测试的需求也日益增多。针对FPGA的测试方法和特性进行综述研究,给出了测试对象FPGA的分类,根据FPGA的类型特点说明其测试重点,并着重介绍了目前应用最广泛的基于静态随机存取存储器(SRAM)型FPGA的内部资源结构。重点针对SRAM型FPGA,对相应的现有测试方法进行了分类与特性分析。最后对测试技术的发展方向进行了展望。 展开更多
关键词 FPGA测试 sram型FPGA 内建自测试 应用相关测试
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FPGA测试技术研究 被引量:6
11
作者 薛宏 赵欣 《微处理机》 2008年第2期11-14,共4页
随着FPGA的规模和复杂性的增加,测试显得尤为重要。FPGA测试对技术人员极具挑战性。首先介绍了SRAM型FPGA的结构概况,总结出FPGA的测试方法并应用于FPGA电路的实际测试,对FPGA测试技术进行了有益的探索。
关键词 现场可编程门阵列 存储器型FPGA 可编程逻辑块(CLB) 连线资源
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基于SRAM型FPGA抗单粒子措施研究 被引量:6
12
作者 张建华 王娜 +2 位作者 王琦 王鸣涛 张波 《空间电子技术》 2015年第2期83-85,91,共4页
文章分析了空间辐射效应对SRAM型FPGA的影响,介绍了几种可行的空间抗单粒子的措施,比较了对于不同应用情况下几种缓解措施的优劣,对于SRAM型FPGA在空间辐射环境下的使用具有参考意义。
关键词 sram型FPGA 抗辐射 措施
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SRAM型FPGA单粒子效应敏感性分析研究 被引量:5
13
作者 杜守刚 范隆 +5 位作者 岳素格 郑宏超 于春青 董攀 杨晓飞 贾海涛 《核电子学与探测技术》 CAS CSCD 北大核心 2012年第3期272-278,共7页
首先描述了典型的SRAM型FPGA内部通常包含的三类基本资源,并分析三类基本资源内部不同功能的电路单元对单粒子效应的敏感性,归纳出Virtex系列SRAM型FPGA中6种类型的单粒子效应敏感结构单元,并得出这些敏感结构单元的单粒子翻转、单粒子... 首先描述了典型的SRAM型FPGA内部通常包含的三类基本资源,并分析三类基本资源内部不同功能的电路单元对单粒子效应的敏感性,归纳出Virtex系列SRAM型FPGA中6种类型的单粒子效应敏感结构单元,并得出这些敏感结构单元的单粒子翻转、单粒子功能中断、单粒子闩锁的检测方式,最后对SRAM型FPGA单粒子效应评估研究的发展趋势做了简要总结。 展开更多
关键词 sram型FPGA 单粒子效应敏感性 单粒子翻转 单粒子功能中断 单粒子闩锁
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SRAM存算一体芯片研究:发展与挑战
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作者 叶乐 贾天宇 +2 位作者 陈沛毓 武蒙 黄如 《中国科学:信息科学》 CSCD 北大核心 2024年第1期25-33,共9页
人工智能时代对计算芯片的算力和能效都提出了极高要求.存算一体芯片技术被认为是有望解决处理器芯片“存储墙”瓶颈,大幅提升人工智能算力能效和算力密度的关键技术和重要解决方案.SRAM存算一体芯片技术由于其在兼容性、鲁棒性、灵活... 人工智能时代对计算芯片的算力和能效都提出了极高要求.存算一体芯片技术被认为是有望解决处理器芯片“存储墙”瓶颈,大幅提升人工智能算力能效和算力密度的关键技术和重要解决方案.SRAM存算一体芯片技术由于其在兼容性、鲁棒性、灵活性等方面的优势,已经得到多个旗舰公司的认可和相关领域的产业布局.本文基于国家自然科学基金委员会第347期“双清论坛(青年)”的讨论内容,回顾SRAM存算一体芯片领域近年来的研究现状和发展趋势,分析并总结了该领域未来的研究需求,凝练关键科学问题并进一步探讨前沿研究方向和科学基金资助战略. 展开更多
关键词 人工智能 存算一体 sram 存算 科学问题
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基于辐射回避的SRAM型FPGA瞬时电离辐射效应测试系统研制 被引量:3
15
作者 齐超 林东生 +3 位作者 陈伟 杨善潮 王桂珍 龚建成 《原子能科学技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2012年第B09期598-601,共4页
介绍了瞬时电离辐射环境中SRAM型FPGA配置存储器测试的实现方法,提出了将辐射回避应用于FPGA瞬时电离辐射效应测试的方法,设计了可辐射回避的在线测试系统,并对FPGA进行了瞬时电离辐射效应实验。结果表明,测试系统能准确、可靠地进行配... 介绍了瞬时电离辐射环境中SRAM型FPGA配置存储器测试的实现方法,提出了将辐射回避应用于FPGA瞬时电离辐射效应测试的方法,设计了可辐射回避的在线测试系统,并对FPGA进行了瞬时电离辐射效应实验。结果表明,测试系统能准确、可靠地进行配置存储器测试,辐射回避是实现大规模集成电路瞬时电离辐射效应测试的有效手段。 展开更多
关键词 sram型FPGA 瞬时电离辐射 辐射回避 测试系统
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SRAM型FPGA单粒子随机故障注入模拟与评估 被引量:3
16
作者 潘雄 邓威 +2 位作者 苑政国 李安琪 王磊 《微电子学与计算机》 CSCD 北大核心 2018年第7期23-27,共5页
在空间应用中,静态随机访问存储器(SRAM)型现场可编程门阵列(FPGA)电路会遭遇空间辐射环境单粒子效应(SEU)引起的逻辑位翻转错误.为了在设计过程中,快速对功能电路设计的容错防护能力进行评估,本文提出一种基于部分重配置技术的随机多... 在空间应用中,静态随机访问存储器(SRAM)型现场可编程门阵列(FPGA)电路会遭遇空间辐射环境单粒子效应(SEU)引起的逻辑位翻转错误.为了在设计过程中,快速对功能电路设计的容错防护能力进行评估,本文提出一种基于部分重配置技术的随机多位故障注入和统计评估的方法,可计算出动态翻转截面.并搭建了一个故障注入系统,以六路移位寄存器作为功能电路进行了多种参数组合(重复次数和注入位数)的随机故障注入试验.实验数据与传统方法数据进行对比,证明本文所述方法的可行和准确性. 展开更多
关键词 单粒子效应 故障注入 sram型FPGA 部分重配置
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基于部分重构的SRAM型FPGA单粒子翻转模拟 被引量:3
17
作者 李林 徐宇 +4 位作者 卢凌云 贾海涛 蔡刚 李悦 杨海钢 《微电子学与计算机》 CSCD 北大核心 2015年第12期95-99,104,共6页
介绍了一种基于部分重构技术的SRAM型FPGA单粒子翻转模拟方法.针对SRAM型FPGA的单粒子翻转特性,建立了一种能够模拟不同线性能量转移(LET)值和注量率(Flux)重离子入射的故障注入模型.该模拟方法可用于对SRAM型FPGA应用电路采用的抗辐照... 介绍了一种基于部分重构技术的SRAM型FPGA单粒子翻转模拟方法.针对SRAM型FPGA的单粒子翻转特性,建立了一种能够模拟不同线性能量转移(LET)值和注量率(Flux)重离子入射的故障注入模型.该模拟方法可用于对SRAM型FPGA应用电路采用的抗辐照加固效果进行定量预评估,验证不同加固方案的有效性,同时还可减少辐照试验的次数,降低试验成本.基于Virtex-4SRAM型FPGA,针对三模冗余(TMR)的单粒子翻转加固方法进行了定量评估.评估试验结果表明,该方法较好地模拟了入射粒子LET值和系统电路失效率之间的关系,验证了三模冗余加固方法的有效性. 展开更多
关键词 sram型FPGA 单粒子翻转(SEU)模拟 部分重构
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基于SRAM型FPGA可重构技术的故障注入系统设计 被引量:3
18
作者 朱启 赖晓玲 +2 位作者 巨艇 王健 周国昌 《空间电子技术》 2017年第5期22-26,共5页
空间辐射环境会导致SRAM型FPGA发生单粒子翻转问题,空间应用需要采取缓解单粒子翻转的加固措施,而加固措施的有效性需要在地面进行重离子辐照试验评估,但试验周期长、成本高,且具有破坏性。基于SRAM型FPGA的动态可重构特性,在研究FPGA... 空间辐射环境会导致SRAM型FPGA发生单粒子翻转问题,空间应用需要采取缓解单粒子翻转的加固措施,而加固措施的有效性需要在地面进行重离子辐照试验评估,但试验周期长、成本高,且具有破坏性。基于SRAM型FPGA的动态可重构特性,在研究FPGA配置存储器结构及配置结构的基础上,通过修改配置存储区数据,形成了基于数据库回放的故障注入系统来模拟FPGA的SEU效应,从而加速系统的失效过程。对比辐照试验结果表明,此方法成本低、设计灵活,为SRAM型FPGA抗单粒子容错设计提供了有利支持。 展开更多
关键词 sram型FPGA 单粒子翻转 故障注入
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具有自检错功能的FPGA芯片配置方法设计及验证
19
作者 喻岚鑫 刘威 《电子设计工程》 2024年第11期65-70,共6页
SRAM型FPGA由于其较低的生产成本,可重复编程的灵活性,近年来在数字信号处理等领域越来越发挥出举足轻重的作用。但由于SRAM掉电后数据丢失的特性,SRAM型FPGA必须搭配外部储存对芯片进行配置。而在配置过程中,因为FPGA芯片工艺的复杂以... SRAM型FPGA由于其较低的生产成本,可重复编程的灵活性,近年来在数字信号处理等领域越来越发挥出举足轻重的作用。但由于SRAM掉电后数据丢失的特性,SRAM型FPGA必须搭配外部储存对芯片进行配置。而在配置过程中,因为FPGA芯片工艺的复杂以及外界环境的干扰,难免导致配置信号在传输过程中出现错误。为了规避这种错误,提出一种基于CRC校验和回读技术来实现具有自动检错重配功能的FPGA配置方法。经过了功能验证、FPGA原型验证,在达到设计目的的同时,相较传统方法节约了60%的资源,并减少了近一半的配置时间。 展开更多
关键词 现场可编程门阵列 配置 自检 循环冗余校核 回读
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一种SRAM型FPGA内嵌CPU软核的SEU效应防护设计与验证 被引量:2
20
作者 杜新军 周建华 胡剑平 《遥测遥控》 2015年第1期47-51,共5页
SRAM型FPGA内嵌CPU软核开发成本低、开发过程灵活,可以替代独立的DSP或CPU器件,执行星载设备核心控制功能。但这种内嵌CPU软核容易受到空间单粒子翻转效应(SEU)的影响。SEU可能导致内嵌CPU软核的硬件或软件故障,对其在轨应用影响较大。... SRAM型FPGA内嵌CPU软核开发成本低、开发过程灵活,可以替代独立的DSP或CPU器件,执行星载设备核心控制功能。但这种内嵌CPU软核容易受到空间单粒子翻转效应(SEU)的影响。SEU可能导致内嵌CPU软核的硬件或软件故障,对其在轨应用影响较大。提出一种针对SRAM型FPGA内嵌CPU软核的SEU防护方案,通过"三模冗余+动态刷新"对CPU软核的硬件结构进行防护,通过冗余自刷新模块替换对CPU软核的存储区进行防护。该方案经过了软件注错验证及粒子辐照试验验证,证明其能够有效提高SRAM型FPGA内嵌CPU软核对SEU的容错能力。 展开更多
关键词 sram型FPGA CPU软核 SEU防护
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