SRAM FPGA电离辐射效应试验研究 被引量：7

1

作者 于庆奎 张大宇 +3 位作者 张海明 唐民 文亮 施蕾 《航天器环境工程》 2009年第3期229-231,198,共3页

针对sramfpga空间应用日益增多,以100万门sramfpga为样品,进行了单粒子效应和电离总剂量效应辐照试验.单粒子试验结果是:试验用粒子最小let为1.66mev·cm2/mg,出现seu(单粒子翻转);let为4.17 mev·cm2/mg,出现sefi(单粒子功能中... 针对sramfpga空间应用日益增多,以100万门sramfpga为样品,进行了单粒子效应和电离总剂量效应辐照试验.单粒子试验结果是:试验用粒子最小let为1.66mev·cm2/mg,出现seu(单粒子翻转);let为4.17 mev·cm2/mg,出现sefi(单粒子功能中断),通过重新配置,样品功能恢复正常;let在1.66～64.8mev·cm2/mg范围内,未出现sel(单粒子锁定);试验发现,随seu数量的累积,样品功耗电流会随之增加,对样品进行重新配置,电流恢复正常.电离总剂量辐照试验结果是:辐照总剂量75krad(si)时,2只样品功能正常,功耗电流未见明显变化.辐照到87 krad(si)时,样品出现功能失效.试验表明sram fpga属于seu敏感的器件,且存在sefi.seu和sefi会破坏器件功能,导致系统故障.空间应用sram fpga必须进行抗单粒子加固设计,推荐的加固方法是三模冗余(tmr)配合定时重新配置(scrubbing).关键部位如控制系统慎用sram fpga. 展开更多

关键词 专用集成电路 单粒子效应 总剂量效应 辐照试验 抗辐射加固

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纳米DDR SRAM器件重离子单粒子效应试验研究 被引量：8

2

作者 罗尹虹 张凤祁 +3 位作者 郭红霞 周辉 王燕萍 张科营 《强激光与粒子束》 EI CAS CSCD 北大核心 2013年第10期2705-2710,共6页

针对90nm和65nm DDR(双倍数率)SRAM器件,开展与纳米尺度SRAM单粒子效应相关性的试验研究。分析了特征尺寸、测试图形、离子入射角度、工作电压等不同试验条件对单粒子翻转(SEU)的影响和效应规律,并对现有试验方法的可行性进行了分析。... 针对90nm和65nm DDR(双倍数率)SRAM器件,开展与纳米尺度SRAM单粒子效应相关性的试验研究。分析了特征尺寸、测试图形、离子入射角度、工作电压等不同试验条件对单粒子翻转(SEU)的影响和效应规律,并对现有试验方法的可行性进行了分析。研究表明:特征尺寸减小导致翻转截面降低,测试图形和工作电压对器件单粒子翻转截面影响不大;随着入射角度增加,多位翻转的增加导致器件SEU截面有所增大;余弦倾角的试验方法对于纳米器件的适用性与离子种类和线性能量转移(LET)值相关,具有很大的局限性。 展开更多

关键词 纳米sram 单粒子效应 多位翻转 测试图形 倾角

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基于March X算法的SRAM BIST的设计 被引量：4

3

作者 冯国臣 沈绪榜 刘春燕 《微电子学与计算机》 CSCD 北大核心 2005年第12期44-47,共4页

针对LS-DSP中嵌入的128kbSRAM模块,讨论了基于MarchX算法的BIST电路的设计。根据SRAM的故障模型和测试算法的故障覆盖率,讨论了测试算法的选择、数据背景的产生;完成了基于MarchX算法的BIST电路的设计。128kbSRAMBIST电路的规模约为2000... 针对LS-DSP中嵌入的128kbSRAM模块,讨论了基于MarchX算法的BIST电路的设计。根据SRAM的故障模型和测试算法的故障覆盖率,讨论了测试算法的选择、数据背景的产生;完成了基于MarchX算法的BIST电路的设计。128kbSRAMBIST电路的规模约为2000门,仅占存储器面积的1.2%,故障覆盖率高于80%。 展开更多

关键词 sram.测试 MARCH算法 BIST

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板级SRAM的内建自测试(BIST)设计 被引量：3

4

作者 张勇 谈恩民 《桂林电子工业学院学报》 2004年第2期60-63,共4页

板级SRAM的内建自测试的设计,是为了确保板级SRAM的可靠性。考虑到板级SRAM各种故障模型,选择使用MarchC-SOF算法,其对呆滞故障、跳变故障、开路故障、地址译码器故障和字节间组合故障有100%的故障覆盖率,优化面向"字节"的Mar... 板级SRAM的内建自测试的设计,是为了确保板级SRAM的可靠性。考虑到板级SRAM各种故障模型,选择使用MarchC-SOF算法,其对呆滞故障、跳变故障、开路故障、地址译码器故障和字节间组合故障有100%的故障覆盖率,优化面向"字节"的MarchC-SOF算法和扩展延时元素后,算法可对SRAM进行字节内组合故障和数据维持力故障测试。同时在只增加少量成本的情况下,使用FPGA构成存储器的BIST控制器,可以满足SRAM的可测性的要求。 展开更多

关键词 sram 自测试设计 MARCH算法 故障模型 BIST 可靠性

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基于边界扫描的SRAM测试技术的研究与实现 被引量：4

5

作者 陈寿宏 颜学龙 黄新 《计算机测量与控制》 北大核心 2013年第2期324-326,共3页

静态随机存储器(SRAM)应用广泛,必须充分测试以保证其高可靠性;应用边界扫描的虚拟探针技术实现SRAM测试,分析SRAM功能结构并建立测试模型;以HY6264SRAM存储器为被测对象进行DEMO板可测性设计,应用TCL语言描述其测试信息;实验证明,该方... 静态随机存储器(SRAM)应用广泛,必须充分测试以保证其高可靠性;应用边界扫描的虚拟探针技术实现SRAM测试,分析SRAM功能结构并建立测试模型;以HY6264SRAM存储器为被测对象进行DEMO板可测性设计,应用TCL语言描述其测试信息;实验证明,该方法可完成对SRAM外围线(包括控制线、数据线和地址线)和存储单元的测试与故障诊断,结果正确且诊断定位具体,具有较好的应用前景。 展开更多

关键词 sram测试 边界扫描测试 故障诊断 TCL语言

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SRAM故障模型的检测方法与应用 被引量：3

6

作者 冯军宏 简维廷 刘云海 《中国集成电路》 2008年第11期65-68,94,共5页

静态随机存储器(Static Random Access Memory,SRAM)的功能测试用来检测该集成电路(IC)是否有功能缺陷,而目前大部分测试程序都只是集中在如何提高IC测试覆盖度,却很少能够做到检测IC是否有缺陷的同时分析这些缺陷的物理失效机理。本文... 静态随机存储器(Static Random Access Memory,SRAM)的功能测试用来检测该集成电路(IC)是否有功能缺陷,而目前大部分测试程序都只是集中在如何提高IC测试覆盖度,却很少能够做到检测IC是否有缺陷的同时分析这些缺陷的物理失效机理。本文介绍了一种利用不同测试算法组合测试的方法,在检测IC是否有缺陷同时,还能进行失效故障模型的分析,进一步利用该故障模型可以推测出具体的物理失效机理。该方法能显著提高测试中电性失效分析(EFA)的能力,进而提高了物理失效分析和IC制程信息反馈的效率和能力。 展开更多

关键词 sram 测试流程 故障模型 失效机理 失效分析 电性分析

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一种0.11μm SRAM PUF芯片的测试与分析 被引量：3

7

作者 刘登科 刘伟 +4 位作者 宋贺伦 殷志珍 茹占强 吴菲 赵俊君 《电子测量技术》 2019年第17期88-94,共7页

物理不可克隆函数(PUF)是一种新型的信息安全硬件,在物联网、消费电子等领域正得到越来越广泛的应用。由于易于设计和制造,而且性能稳定,基于SRAM的PUF是目前得到工业界最广泛应用的PUF类型。针对一款自主设计的基于华虹0.11μm CMOS工... 物理不可克隆函数(PUF)是一种新型的信息安全硬件,在物联网、消费电子等领域正得到越来越广泛的应用。由于易于设计和制造,而且性能稳定,基于SRAM的PUF是目前得到工业界最广泛应用的PUF类型。针对一款自主设计的基于华虹0.11μm CMOS工艺的SRAM PUF,通过设计FPGA测试电路,PUF芯片测试板,对PUF芯片的片内汉明距离、片间汉明距离、稳定性等关键指标进行了详细测试和分析。测试结果表明,该PUF的片间汉明距离达到42.2%,片内汉明距离20.0%,可以满足身份识别、电子标签等应用的需求。同时,提出了对不稳定位进行筛选的系统级优化方法,可以在不进行模糊提取的情况下将片内汉明距离降低到2.1%。 展开更多

关键词 FPGA sram PUF 串口通信 芯片测试

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一款SRAM芯片的设计与测试 被引量：3

8

作者 刘文斌 汪金辉 +2 位作者 袁颖 杨洪艳 侯立刚 《微电子学》 CAS CSCD 北大核心 2014年第4期495-498,502,共5页

基于Chartered 0.35μm EEPROM CMOS工艺,采用全定制方法设计了一款应用于低功耗和低成本电子设备的8×8 bit SRAM芯片。测试结果表明,在电源电压为3.3 V,时钟频率为20MHz的条件下,芯片功能正确、性能稳定、达到设计要求,存取时间约... 基于Chartered 0.35μm EEPROM CMOS工艺,采用全定制方法设计了一款应用于低功耗和低成本电子设备的8×8 bit SRAM芯片。测试结果表明,在电源电压为3.3 V,时钟频率为20MHz的条件下,芯片功能正确、性能稳定、达到设计要求,存取时间约为6.2 ns,最大功耗约为6.12 mW。 展开更多

关键词 sram 灵敏放大器 译码器 芯片测试 存取时间

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基于典型集成电路的自动测试演示验证研究 被引量：1

9

作者 闫丽琴 王占选 +2 位作者 冯建呈 闫静 任朝旭 《计算机测量与控制》 2022年第8期251-255,302,共6页

当前国产超大规模集成电路测试设备由于技术指标、工作可靠性、制造成本等诸多因素,在国内尚未得到大规模的市场应用;从集成电路的测试需求出发,给出了自研超大规模集成电路测试系统的总体架构组成,重点开展了基于典型集成电路的自动测... 当前国产超大规模集成电路测试设备由于技术指标、工作可靠性、制造成本等诸多因素,在国内尚未得到大规模的市场应用;从集成电路的测试需求出发,给出了自研超大规模集成电路测试系统的总体架构组成,重点开展了基于典型集成电路的自动测试演示验证方法研究,并以国产某型超大规模静态存储器芯片作为演示验证的对象,利用自研测试系统完成了基于静态存储器芯片的自动测试演示验证试验;试验结果表明基于典型集成电路的自动测试演示验证方法和过程合理可行,能够为国产新研超大规模集成电路测试系统推广前的自动测试演示验证提供参考,同时可结合不同类型集成电路的测试需求深入应用到各类集成电路的测试过程。 展开更多

关键词 超大规模集成电路测试系统 演示验证 测试准备 测试开发 迭代调试 静态存储器测试

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基于March C-算法的SRAM芯片的SEU失效测试系统 被引量：2

10

作者 王鹏 李振 +1 位作者 邵伟 薛茜男 《电子器件》 CAS 北大核心 2014年第5期803-807,共5页

为实现SRAM芯片的单粒子翻转故障检测,基于LabVIEW和FPGA设计了一套存储器测试系统:故障监测端基于LabVIEW开发了可视化的测试平台,执行数据的采集、存储及结果分析任务,板卡测试端通过FPGA向参考SRAM和待测SRAM注入基于March C-算法的... 为实现SRAM芯片的单粒子翻转故障检测,基于LabVIEW和FPGA设计了一套存储器测试系统:故障监测端基于LabVIEW开发了可视化的测试平台,执行数据的采集、存储及结果分析任务,板卡测试端通过FPGA向参考SRAM和待测SRAM注入基于March C-算法的测试向量,通过NI公司的HSDIO-6548板卡采集2个SRAM的数据,根据其比较结果判定SEU故障是否发生。该系统可以实时监测故障状态及测试进程,并且具有较好的可扩展性。 展开更多

关键词 仿真测试 单粒子翻转 LabVIEW MARCH C-算法 sram

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SRAM存储器动态参数测试向量分析 被引量：3

11

作者 张吉 罗喜明 +2 位作者 王军 唐力 张一波 《电子与封装》 2015年第5期4-6,32,共4页

半导体存储器一般由存储体、地址译码驱动器、读/写放大器和控制电路组成,是一种能存储大量信息的器件,它是由许多存储单元组成的。半导体存储器的测试有功能测试、直流参数测试、交流参数测试,而功能测试和交流参数测试对存储器来说是... 半导体存储器一般由存储体、地址译码驱动器、读/写放大器和控制电路组成,是一种能存储大量信息的器件,它是由许多存储单元组成的。半导体存储器的测试有功能测试、直流参数测试、交流参数测试,而功能测试和交流参数测试对存储器来说是至关重要的。SRAM(静态随机存储器)的功能测试是通过算法图形发生器产生不同的测试图形,对被测器件各个不同存储单位进行读写操作,以检查其功能。主要讲述了SRAM交流参数测试原理及其测试关键技术,介绍了SRAM交流参数测试的故障模型。通过研究SRAM交流参数测试图形向量,给出了SRAM交流参数测试图形向量的优化方法。 展开更多

关键词 存储器 动态参数 测试图形

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基于MBIST的多片SRAM联合测试实现 被引量：1

12

作者 刘学勇 李晓江 马成炎 《电子器件》 CAS 2008年第5期1674-1676,1680,共4页

现代ASIC设计中,存储器特别是SRAM的使用必不可少,用于存放大量数据。在稍微大的电路设计中,可能会需要多片不同大小的SRAM以配合整体工作。用EDA软件当然能够生成对应的MBIST电路代码,但多片SRAM会产生多个这样的控制电路,这无疑产生... 现代ASIC设计中,存储器特别是SRAM的使用必不可少,用于存放大量数据。在稍微大的电路设计中,可能会需要多片不同大小的SRAM以配合整体工作。用EDA软件当然能够生成对应的MBIST电路代码,但多片SRAM会产生多个这样的控制电路,这无疑产生了不必要的浪费。从自身设计的单片SRAM的MBIST电路出发,基于此提出只用一个MBIST控制电路实现多片不同大小SRAM联合测试的方案,并给出综合报告以及其仿真结果。 展开更多

关键词 MBIST 多片sram 联合测试

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NoC系统测试软件设计

13

作者 许川佩 孙统雷 万春霆 《微电子学与计算机》 CSCD 北大核心 2015年第11期21-26,共6页

针对片上网络故障检测的需求,采用复用NoC通讯架构与边界扫描相结合的技术,实现NoC系统故障检测软件的设计.主要以NoC中SRAM、组合电路为测试对象,研究其易发故障的模型,采用易于实现且故障覆盖率高的March C+、G-F算法获得测试矢量,完... 针对片上网络故障检测的需求,采用复用NoC通讯架构与边界扫描相结合的技术,实现NoC系统故障检测软件的设计.主要以NoC中SRAM、组合电路为测试对象,研究其易发故障的模型,采用易于实现且故障覆盖率高的March C+、G-F算法获得测试矢量,完成故障测试.该设计软件具有人机界面友好、操作简便的优点,可通过图形化的方法实现故障定位.在NoC系统平台上进行测试,结果表明在增加较少外围电路的情况下,即可完成对NoC系统中易发故障的检测,实现了预定功能.! 展开更多

关键词 片上网络 sram MARCH C+ G-F 数据转换通信模块 测试矢量

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一种单片机系统外扩SRAM的检测方法

14

作者 毛志圣 《电脑编程技巧与维护》 2013年第18期109-109,114,共2页

提出了一种简单有效的方案,用于外扩SRAM的单片机系统的SRAM检测,以保证单片机系统的可靠运行。

关键词 单片机 sram程序 检测

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基于SRAM测试的MBIST电路实现方案

15

作者 刘学勇 李晓江 马成炎 《电子器件》 CAS 2008年第4期1307-1309,共3页

现代SOC电路设计中,存储器特别是SRAM模块的面积占有很大的一部分。通常测试这些存储器采用的方法是通过EDA工具来生成MBIST电路来对SRAM进行测试。然而在没有专门EDA工具的情况下,我们必须手工写电路。本文提供了这一手工MBIST的实现方... 现代SOC电路设计中,存储器特别是SRAM模块的面积占有很大的一部分。通常测试这些存储器采用的方法是通过EDA工具来生成MBIST电路来对SRAM进行测试。然而在没有专门EDA工具的情况下,我们必须手工写电路。本文提供了这一手工MBIST的实现方案,并给出仿真和综合结果。 展开更多

关键词 sram MBIST 测试 实现

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嵌入式存储器自修复电路的设计与仿真

16

作者 王丽 《计测技术》 2010年第1期14-17,共4页

介绍了一种存储器自修复电路的仿真设计，其中内建自测试模块中的地址生成器采用LFSR设计，它面积开销相当小，从而大大降低了整个测试电路的硬件开销。而内建自修复模块采用基于一维冗余（冗余行块）结构的修复策略设计。通过16×3... 介绍了一种存储器自修复电路的仿真设计，其中内建自测试模块中的地址生成器采用LFSR设计，它面积开销相当小，从而大大降低了整个测试电路的硬件开销。而内建自修复模块采用基于一维冗余（冗余行块）结构的修复策略设计。通过16×32比特SRAM自修复电路设计实验验证了此方法的可行性。 展开更多

关键词 嵌入式存储器 sram 线性反馈移位寄存器(LFSR) 自测试 自修复

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低电压SRAM测试电路设计与实现

17

作者 蔡志匡 王昌强 +3 位作者 王荧 荣佑丽 吕凯 肖建 《电子器件》 CAS 北大核心 2018年第6期1394-1400,共7页

针对一款256 kbit的低电压8T SRAM芯片进行测试电路设计,电路主要包括DFT电路和内建自测试电路两部分,前者针对稳定性故障有着良好的覆盖率,后者在传统March C+算法基础上,提出了一种March-Like算法,该算法能够实现更高的故障覆盖率。... 针对一款256 kbit的低电压8T SRAM芯片进行测试电路设计,电路主要包括DFT电路和内建自测试电路两部分,前者针对稳定性故障有着良好的覆盖率,后者在传统March C+算法基础上,提出了一种March-Like算法,该算法能够实现更高的故障覆盖率。仿真结果表明,DFT电路能够减小稳定性故障的最小可检测电阻,提高了稳定性故障的测试灵敏度; March-Like算法可以检测到低电压SRAM阵列中的写破坏耦合故障、读破坏耦合故障和写干扰故障。 展开更多

关键词 低电压sram DFT 内建自测试 故障覆盖率

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总剂量辐射环境中的静态随机存储器功能失效模式研究 被引量：1

18

作者 郑齐文 余学峰 +3 位作者 崔江维 郭旗 任迪远 丛忠超 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2013年第11期368-374,共7页

本文对静态随机存储器(SRAM)总剂量辐射引起的功能失效进行了六种不同测试图形下的测试.利用不同测试图形覆盖的出错模式不同,通过对比一定累积剂量下同一器件不同测试图形测试结果的差异,以及对失效存储单元单独进行测试,研究了总剂量... 本文对静态随机存储器(SRAM)总剂量辐射引起的功能失效进行了六种不同测试图形下的测试.利用不同测试图形覆盖的出错模式不同,通过对比一定累积剂量下同一器件不同测试图形测试结果的差异,以及对失效存储单元单独进行测试,研究了总剂量辐照引起的SRAM器件功能失效模式.研究表明:器件的功能失效模式为数据保存错误(Data retention fault)且数据保存时间具有离散性,引起数据保存错误的SRAM功能模块为存储单元.通过对存储单元建立简化的等效电路图,分析了造成存储单元数据保存错误以及保存时间离散性的原因,并讨论了该失效模式对SRAM总剂量辐射功能测试方法的影响. 展开更多

关键词 静态随机存储器 功能失效 测试图形 数据保存错误

原文传递

SOI SRAM测试研究

19

作者 赵琳娜 王春早 +1 位作者 宿吉伟 陶建中 《微计算机信息》 北大核心 2007年第17期285-286,292,共3页

SOI(绝缘体上硅)静态存储器与用传统体硅技术制备的SRAM有着不同的特性,在测试SOI SRAM时需要考虑其特有的故障模型。基于读写过程中影响比较显著的浮体效应和寄生双极管效应的讨论,分析了部分耗尽SOI SRAM的设计和测试考虑,并提出了相... SOI(绝缘体上硅)静态存储器与用传统体硅技术制备的SRAM有着不同的特性,在测试SOI SRAM时需要考虑其特有的故障模型。基于读写过程中影响比较显著的浮体效应和寄生双极管效应的讨论,分析了部分耗尽SOI SRAM的设计和测试考虑,并提出了相应的测试码。 展开更多

关键词 绝缘体上硅(SOI) 部分耗尽(PD) 静态存储器 故障模型 测试码

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on-Chip SRAM内建自测试及其算法的研究

20

作者 刘有耀 李彬 《数字通信》 2014年第4期14-18,共5页

具体研究on-Chip SRAM的内建自测试及其算法。在引入嵌入式存储器内建自测试的基础上,详细分析on-Chip SRAM内建自测试的具体实现方法,反映出内建自测试对于简化测试程序和缩短测试时间,从而降低测试成本的重要性。详细描述在测试on-Chi... 具体研究on-Chip SRAM的内建自测试及其算法。在引入嵌入式存储器内建自测试的基础上,详细分析on-Chip SRAM内建自测试的具体实现方法,反映出内建自测试对于简化测试程序和缩短测试时间,从而降低测试成本的重要性。详细描述在测试on-Chip SRAM时常用的算法,并具体分析非传统性测试算法——Hammer算法和Retention算法。 展开更多

关键词 片上静态随机存储器 内建自测试 故障模型 测试算法

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