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SPPs光刻曝光显影模拟研究 被引量：2
1
作者 郑宇 王景全 +2 位作者 李敏 牛晓云 杜惊雷 《光子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2010年第5期792-796,共5页
基于薄层抗蚀剂的曝光模型,建立了普遍适应于表面等离子体激元光刻的抗蚀剂曝光模型.选用AZ1500和AR3170两种抗蚀剂对表面等离子体激元干涉光刻曝光显影过程进行计算对比,获得表面等离子体激元光刻显影的最终轮廓.由此得出工艺优化的条... 基于薄层抗蚀剂的曝光模型,建立了普遍适应于表面等离子体激元光刻的抗蚀剂曝光模型.选用AZ1500和AR3170两种抗蚀剂对表面等离子体激元干涉光刻曝光显影过程进行计算对比,获得表面等离子体激元光刻显影的最终轮廓.由此得出工艺优化的条件,对表面等离子体激元光刻的进一步工作和实验开展有着重要的意义. 展开更多
关键词 spps光刻 干涉光刻 曝光潜像 显影轮廓
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