题名 一种耐高温、耐恶劣环境大压力传感器的设计
被引量：6
1
作者
吴凌慧 徐冬
机构
中国电子科技集团公司第四十九研究所
出处
《应用科技》
CAS
2018年第4期142-146,共5页
文摘
为了解决高温恶劣环境下压力测量问题,设计了一种大压力、高过载、耐高温、耐恶劣环境的小体积压差传感器。通过有限元分析对传感器绝缘体上硅(silicon on insulator,SOI)压力敏感膜片结构进行优化设计,使其能够满足恶劣环境的使用要求。通过试验证明这种压差传感器具有良好的耐高温、耐恶劣环境的特性。
关键词
耐高温 大压力 有限元分析 传感器 soi 膜片力敏电阻条 优化设计 过载试验
Keywords
high temperature resistance great pressure finite element analysis sensor soi diaphragm force sensitive resistance strip optimal design overload test
分类号
TP212.12
[自动化与计算机技术—检测技术与自动化装置]
题名 基于SOI的硅微谐振式压力传感器芯片制作
被引量：5
2
作者
马志波 姜澄宇 任森 苑伟政
机构
西北工业大学陕西省微/纳米系统重点实验室
出处
《传感技术学报》
CAS
CSCD
北大核心
2012年第2期180-183,共4页
基金
西北工业大学基础研究基金项目(JC200933)
文摘
采用SOI硅片,基于MEMS技术,设计并加工了一种新型三明治结构的硅微谐振式压力传感器,根据传感器敏感单元的结构设计,制定了相应的制备工艺步骤,并且针对湿法深刻蚀过程中谐振子的刻蚀保护等问题,提出了一种基于氮化硅、氧化硅和氮化硅三层薄膜的保护工艺,实验表明,在采用三层薄膜保护工艺下进行湿法刻蚀10 h后,谐振子被完全释放,三层薄膜保护工艺对要求采用湿法刻蚀镂空释放可动结构具有较高的实用价值。最后对加工完成的谐振式压力传感器进行了初步的性能测试,结果表明,在标准大气压力下谐振子的固有频率为9.932 kHz,品质因数为34。
关键词
谐振式压力传感器 三层薄膜保护工艺 敏感膜片 MEMS soi
Keywords
resonant pressure sensor triple-layer protective films diaphragm MEMS soi
分类号
TS212-1
[轻工技术与工程—粮食、油脂及植物蛋白工程]
题名 一种压阻式微压传感器芯片设计与实现
被引量：8
3
作者
吴佐飞 尹延昭 田雷 王永刚
机构
中国电子科技集团公司第四十九研究所
出处
《传感器与微系统》
CSCD
2018年第6期73-74,78,共3页
文摘
基于压阻效应和惠斯通电桥原理,设计了一种压阻式微压传感器;为了增大灵敏度,设计了一种折弯形的压敏电阻。从微压芯片敏感薄膜的设计、敏感电阻条的确定以及敏感电阻器位置的选取等方面考虑,设计了具有应力匀散效应的梁-膜结构并进行了工艺验证。验证结果表明:所设计的微压芯片灵敏度达到了24 mV/kPa,非线性优于0.2%FS。
关键词
压阻效应 微压传感器 绝缘体上硅 梁-膜结构
Keywords
piezoresistive effect micro pressure sensor silicon on insulator（soi ） beam-diaphragm structure
分类号
TP212
[自动化与计算机技术—检测技术与自动化装置]
题名 耐高温微型压力传感器设计
被引量：5
4
作者
范元斌 赵玉龙 赵立波
机构
西安交通大学维纳仪器有限责任公司
出处
《测井技术》
CAS
CSCD
2004年第3期237-239,共3页
基金
20 0 2年 863 .MEMS重大专项
文摘
在A0 3号耐高温压力传感器结构设计上采用梁膜结合压力传递结构 ,使被测高温流体不能直接作用在SOI芯片固态压阻力敏感元件上 ,从而避免了被测流体的瞬时高温冲击 ( 2 0 0 0℃ )。给出了传感器结构设计理论和设计结果及SOI芯片固态压阻力敏感元件的制作方法。对设计制作的耐高温微型压力传感器进行了高温实验。测试结果表明 ,这种新型结构的耐高温微型压力传感器具有较好的静态特性。
关键词
压力传感器 soi 芯片梁膜结构 耐高温
Keywords
pressure sensor soi cantilever beam and diaphragm high temperature-resistant
分类号
TH823.2
[机械工程—仪器科学与技术]
TP212.9
[机械工程—精密仪器及机械]
题名 基于SOI晶圆材料的硅微压传感器
被引量：4
5
作者
李新 刘野 刘沁 孙承松
机构
沈阳工业大学信息科学与工程学院 沈阳仪表科学研究院
出处
《仪表技术与传感器》
CSCD
北大核心
2012年第5期15-16,共2页
基金
辽宁省自然基金项目(20102162)
文摘
为解决硅微压传感器制作过程中存在的问题,以SOI晶圆材料为基础,使用有限元方法优化设计岛-膜型1kPa压力敏感结构,采用MEMS工艺完成传感器芯片制作,并对封装后的传感器进行了测试。测试结果表明,传感器输出灵敏度大于60 mV/kPa,非线性小于0.1%FS,精度小于0.5%FS,器件具有较好的性能指标。
关键词
硅微压传感器 岛-膜结构 soi 晶圆
Keywords
silicon low pressure sensor island-diaphragm structure soi Wafer
分类号
TP212
[自动化与计算机技术—检测技术与自动化装置]
