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题名基于MEMS工艺的SOI高温压力传感器设计
被引量：20
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作者
李丹丹
梁庭
李赛男
姚宗
熊继军
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机构
中北大学电子测试技术重点实验室
中北大学仪器科学与动态测试教育部重点实验室
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出处
《传感技术学报》
CAS
CSCD
北大核心
2015年第9期1315-1320,共6页
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基金
国家杰出青年科学基金项目(51425505)
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文摘
利用MEMS(微机电系统)工艺中的扩散,刻蚀,氧化,金属溅射等工艺制备出SOI高温压力敏感芯片,并通过静电键合工艺在SOI芯片背面和玻璃间形成真空参考腔,最后通过引线键合工艺完成敏感芯片与外部设备的电气连接。对封装的敏感芯片进行高温下的加压测试,高温压力测试结果表明,在21℃(常温)至300℃的温度范围内,传感器敏感芯片可在压力量程内正常工作,传感器敏感芯片的线性度从0.9 985下降为0.9 865,控制在较小的范围内。高温压力下的性能测试结果表明,该压力传感器可用于300℃恶劣环境下的压力测量,其高温下的稳定性能为压阻式高温压力芯片的研制提供了参考。
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关键词
高温压力传感器
压阻
敏感薄膜
soi(绝缘体上硅)
MEMS(微机电系统)
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Keywords
high temperature pressure sensor
piezoresistance
sensitive membrane
soi （Silicon on Insulator）
MEMS（Micro Electro Mechanical System）
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分类号
TN305.1
[电子电信—物理电子学]
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题名压阻式MEMS高温压力传感器设计与关键工艺研究
被引量：1
- 2
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作者
李丹丹
梁庭
李赛男
姚宗
熊继军
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机构
中北大学电子测试技术重点实验室仪器科学与动态测试教育部重点实验室
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出处
《仪表技术与传感器》
CSCD
北大核心
2016年第5期9-11,共3页
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文摘
在SIMOX技术SOI晶圆的基础上,设计了压力敏感芯片结构,并基于MEMS工艺制作了压力敏感芯片。根据芯片实际情况,分析了传感器制备过程的关键工艺参数及其影响。同时采用5 V恒压源供电,在相同情况下,增加kulite压力传感器背靠背测量不同气压下的输出电压值并比较。测量结果表明,所制备的SOI压力传感器线性度达到0.99%,重复性高达0.35%,迟滞性为0.1%,有望用到实际工程应用中。
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关键词
soi(绝缘体上硅)
压力敏感芯片
关键工艺
kulite压力传感器
背靠背测量
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Keywords
soi（Silicon on Insulator）
pressure sensitive chip
key process
kulite pressure sensor
back-to-back measurement
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分类号
TP212
[自动化与计算机技术—检测技术与自动化装置]
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题名利用硅离子注入提高SOI材料的抗辐射性能
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作者
俞文杰
张正选
贺威
田浩
陈明
王茹
毕大炜
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机构
中国科学院上海微系统与信息技术研究所
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出处
《功能材料》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2007年第A02期868-871,共4页
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文摘
研究采用硅离子注入及高温退火的方法对SOI材料进行抗辐射加固．通过对比发现，制作在加固SOI衬底上的NMOS器件和CMOS反相器在总剂量辐射下性能恶化程度大大降低。陷阱电荷和界面电荷的分析解释了加固机理。结合实验结果和理论分析，证明硅离子注入能有效地加固SOI材料的抗辐射性能．
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关键词
soi(绝缘体上的硅)
总剂量辐射
离子注入
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Keywords
soi
total dose irradiation
ion implantation
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分类号
TB303
[一般工业技术—材料科学与工程]
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题名SOI技术与SOC基础设计服务平台
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作者
王浩
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机构
无锡华润上华半导体有限公司设计服务中心
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出处
《中国集成电路》
2012年第9期45-54,共10页
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文摘
本文介绍了关于SOI特殊工艺技术的特点,以及基于此工艺平台设计开发SOC芯片所特有的优势和挑战,并且研究了配套的解决方案,从模型建模(model),数字单元库(library),参数化设计套件(PDK),以及针对性的EDA主流设计流程几个方面来阐述如何实现华润上华0.18微米60VSOI工艺设计服务平台。
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关键词
soi(绝缘体上的硅)
FB(浮衬底)
BC(衬底连接)
PDK(参数化设计套件)
EDA(电子设计自动化)
优势
难点
解决
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分类号
TN402
[电子电信—微电子学与固体电子学]
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