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基于多架构UEFI Shell的UUID烧录工具设计
1
作者 金靖淋 王晶晶 陈志列 《工业控制计算机》 2024年第6期39-40,43,共3页
UUID(Universally Unique Identifier)通用唯一标识符,存放在SMBIOS结构的System information(Type 1)中。UUID可以用于各种各样的目的,每一次烧录BIOS时UUID都会被更改为初始值,所以如果对UUID有需求就需要对其进行重新烧录。过去BIOS... UUID(Universally Unique Identifier)通用唯一标识符,存放在SMBIOS结构的System information(Type 1)中。UUID可以用于各种各样的目的,每一次烧录BIOS时UUID都会被更改为初始值,所以如果对UUID有需求就需要对其进行重新烧录。过去BIOS可以兼容legacy和UEFI时,烧录工具可以在DOS下运行,但是随着BIOS平台的更新换代,以后BIOS将不再兼容legacy,烧录UUID的工具也需要更换为UEFI Shell下的。为了能尽量覆盖绝大多数产品,提供了针对不同架构的两个烧录工具,一个针对X86架构,一个针对ARM架构。 展开更多
关键词 UUID smbios UEFI Shell X86 ARM
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Linux集群节点信息获取方法的研究
2
作者 花嵘 傅游 杨灵芝 《信息技术与信息化》 2009年第3期18-20,共3页
针对Liunx集群的特点,在分析当前集群节点信息获取方法的基础上,提出了利用SMBIOS规范获取信息的方法,并给出了节点信息的具体获取过程。
关键词 LINUX smbios 汇编语言 Yasm
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符合SMBIOS规范的通用采集接口的实现
3
作者 吴瑞睿 解威 《中国新技术新产品》 2010年第5期2-3,共2页
对于桌面级的数据采集方法大多采用Windows API和访问注册表来实现,但其却不能对BIOS进行很好的管理,尤其对SMBIOS规范中的附加数据收集功能和精确系统识别功能缺乏支持,本文将利用EPS表对SMBIOS版本进行识别,并采用WMI(Windows管理规范... 对于桌面级的数据采集方法大多采用Windows API和访问注册表来实现,但其却不能对BIOS进行很好的管理,尤其对SMBIOS规范中的附加数据收集功能和精确系统识别功能缺乏支持,本文将利用EPS表对SMBIOS版本进行识别,并采用WMI(Windows管理规范)实现SMBIOS数据的采集通用接口的设计。 展开更多
关键词 smbios WMI 数据采集 通用接口
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基于UEFI的SMBIOS设计与研究 被引量：2
4
作者 朱贺新 王正鹏 《计算机工程与设计》 CSCD 北大核心 2013年第9期3348-3352,共5页
为加速计算机固件中SMBIOS部分开发与定制化,提出了SMBIOS系统架构,将核心服务和数据表定制分离。设计了基于UEFI规范的实现方案,以协议的方式提供核心服务,并采用独立模块将该协议注册到UEFI系统;另一模块将调用核心服务,将已收集到的... 为加速计算机固件中SMBIOS部分开发与定制化,提出了SMBIOS系统架构,将核心服务和数据表定制分离。设计了基于UEFI规范的实现方案,以协议的方式提供核心服务,并采用独立模块将该协议注册到UEFI系统;另一模块将调用核心服务,将已收集到的计算机系统信息,根据工业规范和定制化需求组织数据表内容。以定制化的数据表类型3为例,分别在UEFI Shell和Win32控制台中,采用调用Win32系统函数和WMI的方式查看了SMBIOS内容,表明了架构的可实现性,设计的的准确性和有效性。 展开更多
关键词 可扩展固件接口 系统管理基本输入输出系统 smbios协议 模块化设计 入口结构
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使用无氟化学法在NiO/NiW上制备超导涂层导体用SmBiO_3缓冲层
5
作者 张红 赵勇 蒲明华 《材料导报（纳米与新材料专辑）》 EI 2014年第2期98-101,共4页
在能源日趋紧缺的形势下,高温超导材料的应用具有可观的前景。经济、高效、节能的REBCO超导涂层导体的制备技术成为其大规模应用的关键,目前,非真空的化学溶液沉积技术是降低涂层导体制备成本的重要途径。于空气条件下制备了NiO薄膜,并... 在能源日趋紧缺的形势下,高温超导材料的应用具有可观的前景。经济、高效、节能的REBCO超导涂层导体的制备技术成为其大规模应用的关键,目前,非真空的化学溶液沉积技术是降低涂层导体制备成本的重要途径。于空气条件下制备了NiO薄膜,并在NiO薄膜上使用无氟化学方法制备了SmBiO3薄膜,作为REBCO超导涂层导体的缓冲层。研究了NiO薄膜质量对制备SmBiO3薄膜的影响,旨在为REBa2Cu3O7-δ涂层导体的制备提供一条非真空全化学法的途径。 展开更多
关键词 涂层导体 NIOS mBiO3缓冲层
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高效率制备超导涂层导体SmBiO_3缓冲层
6
作者 朱晓垒 蒲明华 +1 位作者 张红 赵勇 《西南交通大学学报》 CSCD 北大核心 2017年第3期633-638,共6页
为了缩短高温超导涂层导体缓冲层薄膜制备周期,采用自开发的前驱溶液,以乳酸为溶剂,硝酸钐和硝酸铋为溶质,在应由表面氧化外延法所得的衬底(NiO(l00)/NiW)上,用化学溶液沉积快速制备了SmBiO_3缓冲层薄膜,研究成相温度对SmBiO_3薄膜的影... 为了缩短高温超导涂层导体缓冲层薄膜制备周期,采用自开发的前驱溶液,以乳酸为溶剂,硝酸钐和硝酸铋为溶质,在应由表面氧化外延法所得的衬底(NiO(l00)/NiW)上,用化学溶液沉积快速制备了SmBiO_3缓冲层薄膜,研究成相温度对SmBiO_3薄膜的影响;在SmBiO_3薄膜上沉积YBa_2Cu_3O_7-δ超导层,检验其效用.研究结果表明:在798.5℃下制备的SmBiO_3缓冲层薄膜平整致密,并且高度织构,缓冲层薄膜制备周期缩短到2h以内;在SmBiO_3上所沉积的超导层薄膜超导转变温度为89K,超导临界电流密度为1.46MA/cm2(77K、0T),达到了某些电力应用要求;该SmBiO_3薄膜制备方法可用于高温超导涂层导体的快速制备. 展开更多
关键词 涂层导体 高效化学溶液沉积 smbio3缓冲层
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