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新型TiCl_4/Ni(acac)_2复合催化剂乙烯聚合反应 被引量：13
1
作者 萧翼之 杨海滨 +1 位作者 张启兴 王海华 《应用化学》 CAS CSCD 北大核心 2001年第7期528-531,共4页
制备了 Ti Cl4/ Ni(acac) 2 / Mg Cl2 -Si O2 -Zn Cl2 / Al R3复合催化剂 .研究了促进剂四氯化硅 (Si Cl4)和各种聚合条件对乙烯聚合的影响及其表观聚合动力学 .用 DSC、IR、1 3C NMR对聚合产物进行了结构性能的分析和表征 .结果表明 ,... 制备了 Ti Cl4/ Ni(acac) 2 / Mg Cl2 -Si O2 -Zn Cl2 / Al R3复合催化剂 .研究了促进剂四氯化硅 (Si Cl4)和各种聚合条件对乙烯聚合的影响及其表观聚合动力学 .用 DSC、IR、1 3C NMR对聚合产物进行了结构性能的分析和表征 .结果表明 ,促进剂 Si Cl4有很好的提高催化效率的作用 ;Ti Cl4/ Ni(acac) 2 复合催化剂有催化乙烯齐聚和原位共聚功能 ,获得了熔点和结晶度较低的、有一定支化度的中、低密度聚乙烯 . 展开更多
关键词 乙酰丙酮镍 四氯化钛 复合催化剂 四氯化硅 乙烯 聚合 支化聚乙烯
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多晶硅生产中副产物SiCl_4的综合利用 被引量：11
2
作者 肖顺珍 蒋云华 《新材料产业》 2009年第7期51-56,共6页
在氯化氢（HCl）合成制备三氯氢硅（SiHCl3）过程中，除主要产品SiHCl3外，还有大约15％左右的四氧化硅（SiCl4）副产品，另外还有二氯氢硅（SiH2Cl2）等。在SiHCl3氢还原中，还伴随有SiHCl3的热分解而生成的SiCl4、SiH2Cl2和HCl等，
关键词 sicl4 多晶硅 综合利用 副产物 SiH2Cl2 生产 三氯氢硅 合成制备
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SiCl_4氢化转化为SiHCl_3过程的热力学 被引量：9
3
作者 侯彦青 谢刚 +3 位作者 陶东平 俞小花 李荣兴 宋东明 《中国有色金属学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2011年第12期3202-3210,共9页
应用有关热力学数据研究了与多晶硅主要生产工艺即西门子法相关的"Si-Cl-H"三元系的复杂化学反应,研究SiCl4氢化转化为SiHCl3过程中可能发生的15个反应,给出15个反应的ΔG mΘ—T图;并确定5个独立的反应,给出这5个独立反应的... 应用有关热力学数据研究了与多晶硅主要生产工艺即西门子法相关的"Si-Cl-H"三元系的复杂化学反应,研究SiCl4氢化转化为SiHCl3过程中可能发生的15个反应,给出15个反应的ΔG mΘ—T图;并确定5个独立的反应,给出这5个独立反应的K pΘ—T图;高温时主反应(1)的K pΘ增长较慢,而反应(2)和(5)的K pΘ快速增大,1 373 K时,主反应(1)的K pΘ较小,为0.157 1。进一步研究温度、压强和进料配比n H 2/nSiCl4对SiCl4氢化率的影响,并绘制出SiCl4氢化率随这些因素的变化曲线。结果表明:当压强和进料配比一定时,SiCl4的氢化率随温度的升高先增加后降低;增大压强或增加进料配比n H 2/nSiCl4都会提高SiCl4的氢化率;SiCl4氢化转化为SiHCl3过程的最佳操作条件为温度为1 000℃,压强为0.3 MPa,进料配比n H 2/nSiCl4为4,在此条件下,SiCl4的氢化率为25.78%。 展开更多
关键词 sicl4 SiHCl3 热力学 转化
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多晶硅薄膜低温生长中晶粒大小的控制 被引量：8
4
作者 黄锐 林璇英 +6 位作者 余云鹏 林揆训 姚若河 黄文勇 魏俊红 王照奎 余楚迎 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2004年第11期3950-3955,共6页
以SiCl4 H2 为气源 ,用等离子体增强化学气相沉积 (PECVD)方法低温快速沉积多晶硅薄膜 .实验发现 ,在多晶硅薄膜的生长过程中 ,气相空间各种活性基团的相对浓度是影响晶粒大小的重要因素 ,随功率、H2 SiCl4 流量比的减小和反应室气压... 以SiCl4 H2 为气源 ,用等离子体增强化学气相沉积 (PECVD)方法低温快速沉积多晶硅薄膜 .实验发现 ,在多晶硅薄膜的生长过程中 ,气相空间各种活性基团的相对浓度是影响晶粒大小的重要因素 ,随功率、H2 SiCl4 流量比的减小和反应室气压的增加 ,晶粒增大 .而各种活性基团的相对浓度依赖于PECVD工艺参数 ,通过工艺参数的改变 ,分析生长过程中空间各种活性基团相对浓度的变化 ,指出“气相结晶” 展开更多
关键词 活性基团 晶粒大小 等离子体增强化学气相沉积 结晶 工艺参数 反应室 PECVD 低温生长 多晶硅薄膜 功率
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西门子体系中SiHCl3和SiCl4的热力学行为 被引量：8
5
作者 苗军舰 丘克强 +1 位作者 顾珩 陈少纯 《中国有色金属学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第10期1937-1944,共8页
在选取与实际生产相近的温度、氢气配比(H2与SiHCl3的初始比例)和压力的基础上,计算西门子体系中硅源气体SiHCl3的剩余量与副产物SiCl4的生成量,分别绘制二者随所选条件的变化图,并利用这些热力学图,分析温度、氢气配比及压力对西门子... 在选取与实际生产相近的温度、氢气配比(H2与SiHCl3的初始比例)和压力的基础上,计算西门子体系中硅源气体SiHCl3的剩余量与副产物SiCl4的生成量,分别绘制二者随所选条件的变化图,并利用这些热力学图,分析温度、氢气配比及压力对西门子法生产多晶硅反应体系中SiHCl3和SiCl4热力学行为影响的规律。结果表明:当压力、氢气配比一定时,SiHCl3的剩余量与温度呈反比,SiCl4的生成量则是先随温度的升高而增加,后又变小;当温度和压力一定时,增大氢气配比SiCl4生成量减少,只有在氢气配比大于5以后SiHCl3的剩余量才与它呈反比关系;当温度和氢气配比一定时,随着压力的降低,SiHCl3的剩余量减少,SiCl4则呈先增加再减少的变化趋势。 展开更多
关键词 SiHCl3 sicl4 西门子体系 热力学行为
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硅和四氯化硅耦合加氢反应体系的热力学分析 被引量：8
6
作者 康启宇 丁伟杰 +2 位作者 肖文德 阎建民 罗漫 《无机盐工业》 CAS 北大核心 2012年第11期26-29,共4页
基于Gibbs自由能最小原理,对硅和四氯化硅(SiCl4,STC)耦合加氢反应体系进行了热力学分析。通过化学平衡产物组成分布的分析,确定了反应体系主要产物为三氯硅烷(HSiCl3,TCS)、二氯硅烷(H2SiCl2,DCS)、盐酸(HCl),并构造了3个相应的独立反... 基于Gibbs自由能最小原理,对硅和四氯化硅(SiCl4,STC)耦合加氢反应体系进行了热力学分析。通过化学平衡产物组成分布的分析,确定了反应体系主要产物为三氯硅烷(HSiCl3,TCS)、二氯硅烷(H2SiCl2,DCS)、盐酸(HCl),并构造了3个相应的独立反应,讨论了对应的反应热(ΔrHθm)、自由能(ΔrGθm)和平衡常数(Kθp)与温度的关系。计算所采用的温度为673～923 K,压力为101.325～2 026.5 kPa,原料H2与SiCl4物质的量比为1～5。结果表明,生成TCS和DCS的反应为体系随着温度升高,四氯化硅平衡转化率及三氯硅烷产率降低;高压和适中的原料配比(H2与SiCl4物质的量比)有利于四氯化硅转化率及三氯硅烷产率的提高。 展开更多
关键词 四氯化硅 三氯硅烷 化学反应平衡 热力学
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四氯化硅在西门子法多晶硅生产流程内部的循环利用 被引量：7
7
作者 汪光裕 丁国江 艾波 《东方电气评论》 2008年第4期70-72,共3页
笔者之一曾在1982年发表《SiCl4氢化反应的探索》的热力学分析的文章,结合近期国内多晶硅产业蓬勃发展的新形势和对西门子法工艺主要副产物SiCl4有效利用的迫切需要,本文试图探索四氯化硅在西门子法多晶硅生产流程中循环利用的可能途径。
关键词 四氯化硅 循环利用
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新型阻燃增塑剂硅酸三(氯丙基)苯酯的合成 被引量：6
8
作者 王彦林 刁建高 +1 位作者 纪孝熹 张艳丽 《工程塑料应用》 CAS CSCD 北大核心 2011年第5期33-35,共3页
以SiCl4、苯酚和环氧丙烷为原料,合成出新型硅卤协同阻燃增塑剂硅酸三(氯丙基)苯酯,研究了原材料配比、反应温度及反应时间等对硅酸三(氯丙基)苯酯产率的影响。结果表明,当SiCl4与苯酚的物质的量之比为1∶1,SiCl4与环氧丙烷的物质的量... 以SiCl4、苯酚和环氧丙烷为原料,合成出新型硅卤协同阻燃增塑剂硅酸三(氯丙基)苯酯,研究了原材料配比、反应温度及反应时间等对硅酸三(氯丙基)苯酯产率的影响。结果表明,当SiCl4与苯酚的物质的量之比为1∶1,SiCl4与环氧丙烷的物质的量之比为1∶3.2,反应温度为50℃,反应时间为4 h时,硅酸三(氯丙基)苯酯的产率最高,为98%。 展开更多
关键词 sicl4 苯酚 环氧丙烷 阻燃增塑剂
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脱铝八面沸石的研究——Ⅲ.稳定性 被引量：5
9
作者 徐恒泳 张盈珍 +1 位作者 李淑莲 郑禄彬 《Chinese Journal of Catalysis》 SCIE CAS CSCD 北大核心 1989年第1期49-54,共6页
以NaY沸石为原料,用SiCl_4同晶取代法制备了不同硅铝比且具有高结晶度的八面沸石,进一步将样品交换成铵型。还制备了超稳Y样品及铝交换型八面沸石。研究结果表明,随骨架硅铝比提高,八面沸石的骨架稳定性、热稳定性及水热稳定性均得到很... 以NaY沸石为原料,用SiCl_4同晶取代法制备了不同硅铝比且具有高结晶度的八面沸石,进一步将样品交换成铵型。还制备了超稳Y样品及铝交换型八面沸石。研究结果表明,随骨架硅铝比提高,八面沸石的骨架稳定性、热稳定性及水热稳定性均得到很大改善。骨架外铝会使较低硅铝比样品的水热稳定性变差。钠型及铵型样品在不同硅铝比时,对稳定性有不同影响。在骨架硅铝比相近情况下,SiC1_4脱铝沸石(DNH_4Y)较水热法脱铝沸石(USY)有好得多的热稳定性,然而二者却具有相近的水热稳定性。 展开更多
关键词 脱铝八面沸石 sicl4 NAY沸石
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氢稀释对多晶硅薄膜结构特性和光学特性的影响 被引量：4
10
作者 黄锐 林璇英 +3 位作者 余云鹏 林揆训 祝祖送 魏俊红 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2006年第5期2523-2528,共6页
以SiCl4和H2为气源,用等离子体增强化学气相沉积技术,在250℃的低温下,研究氢稀释度对多晶硅薄膜结构特性的影响.实验结果表明,对于以SiCl4和H2组成的反应源气体,氢对薄膜生长特性的影响有异于SiH4/H2,在一定功率下,薄膜的晶化率随氢稀... 以SiCl4和H2为气源,用等离子体增强化学气相沉积技术,在250℃的低温下,研究氢稀释度对多晶硅薄膜结构特性的影响.实验结果表明,对于以SiCl4和H2组成的反应源气体,氢对薄膜生长特性的影响有异于SiH4/H2,在一定功率下,薄膜的晶化率随氢稀释度的减小而增加,在一定的氢稀释度下薄膜晶化度达到最大值85%;随着氢稀释度的继续减小,薄膜晶化度迅速下降,并逐渐向非晶态结构转变.随氢稀释度的减小,薄膜的光学带隙由1·5eV减小至约1·2eV,而后增大至1·8eV.沉积速率则随氢稀释度的减小先增加后减小,在无氢条件下,无薄膜形成.在最佳氢稀释度条件下,Cl基是促进晶化度提高,晶粒长大的一个主要因素. 展开更多
关键词 多晶硅薄膜 微结构 氢稀释 sicl4
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InAs/GaSb二类超晶格红外探测材料的ICP刻蚀 被引量：5
11
作者 陈永远 邓军 +2 位作者 史衍丽 苗霈 杨利鹏 《红外与激光工程》 EI CSCD 北大核心 2013年第2期433-437,共5页
分别采用Cl2/Ar和SiCl4/Ar作为刻蚀气体对InAs/GaSb二类超晶格红外探测材料进行ICP(Inductively Couple Plasma)刻蚀。结果表明,两种刻蚀气体的刻蚀深度与刻蚀时间都呈线性关系;在2 mTorr气压下,RF功率为50 W,SiCl4流量为3 sccm,Ar为9 s... 分别采用Cl2/Ar和SiCl4/Ar作为刻蚀气体对InAs/GaSb二类超晶格红外探测材料进行ICP(Inductively Couple Plasma)刻蚀。结果表明,两种刻蚀气体的刻蚀深度与刻蚀时间都呈线性关系;在2 mTorr气压下,RF功率为50 W,SiCl4流量为3 sccm,Ar为9 sccm时,刻蚀速率为100 nm/min,且与材料的掺杂浓度无关。实验还表明,SiCl4/Ar作为刻蚀气体时,Ar流量在很大范围内对刻蚀速率没用明显影响,但Ar的流量越大,刻蚀的均匀性越好;用Cl2/Ar作为刻蚀气体时,刻蚀速率也是100 nm/min,但Ar流量对刻蚀速率有影响:当Ar流量小于3 sccm时,刻蚀速率随Ar流量的减小而明显降低。 展开更多
关键词 ICP刻蚀 InAs GASB 二类超晶格 sicl4 AR CL2 AR
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国内外光纤用SiCl_4研究进展 被引量：6
12
作者 孙福星 王铁艳 +2 位作者 袁琴 韩国华 耿宝利 《稀有金属》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第4期513-517,共5页
SiCl4作为生产光纤预制棒的基础原料,其质量好坏直接影响光纤传输的质量,必须最大限度脱除引起光纤吸收损耗的杂质。综述了光纤用SiCl4的质量标准,并应用傅立叶变换红外光谱(FT-IR)技术对国内外光纤用高纯SiCl4样品进行了对比。测试结... SiCl4作为生产光纤预制棒的基础原料,其质量好坏直接影响光纤传输的质量,必须最大限度脱除引起光纤吸收损耗的杂质。综述了光纤用SiCl4的质量标准,并应用傅立叶变换红外光谱(FT-IR)技术对国内外光纤用高纯SiCl4样品进行了对比。测试结果表明,本工艺产品含氢杂质含量明显降低,同时金属离子含量也达到相关技术要求,达到光纤级别,为建立工业化光纤用高纯SiCl4生产线提供了理论基础和技术参数。 展开更多
关键词 sicl4 光纤 提纯 工艺
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以SiHCl_3和SiCl_4的混合物为原料制备多晶硅热力学 被引量：4
13
作者 侯彦青 谢刚 +2 位作者 俞小花 李荣兴 宋东明 《中国有色金属学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2014年第7期1907-1914,共8页
根据相关热力学数据,首先计算并拟合得到Si-Cl-H三元系中气相Cl与H原子的摩尔比(nCl/nH)与反应达到平衡时的气相Si与Cl原子的摩尔比(nSi/nCl)Eq的关系。为了得到合理的SiCl4(STC)和SiHCl3(TCS)的进料配比,详细分析TCS与STC的3种配比(nTC... 根据相关热力学数据,首先计算并拟合得到Si-Cl-H三元系中气相Cl与H原子的摩尔比(nCl/nH)与反应达到平衡时的气相Si与Cl原子的摩尔比(nSi/nCl)Eq的关系。为了得到合理的SiCl4(STC)和SiHCl3(TCS)的进料配比,详细分析TCS与STC的3种配比(nTCS/nSTC分别为1/4、1和4)时温度、压强以及进料配比对Si沉积率的影响。结果表明:以STC和TCS的混合物为原料时,最佳温度为1400K,压强为0.1MPa。为了保证硅产率达到可工业化生产的35%以上,当原料摩尔比(nTCS/nSTC)为1/4时,原料中nCl/nH为0.055;当原料摩尔比(nTCS/nSTC)为1时,原料中nCl/nH比为0.07;当原料摩尔比(nTCS/nSTC)为4时,原料中nCl/nH为0.09。随着硅原料中TCS所占比例的增大,在较高的nCl/nH下,就可以得到较高的硅产率。最后分析得到:当选定原料配比时,要得到合理的硅产率,所需要控制nCl/nH的范围;当进料中nCl/nH一定时,要得到合理的硅产率,需选择原料配比的理想范围。 展开更多
关键词 西门子法 SiHCl3 sicl4 多晶硅 硅产率
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硅改性制备疏水性沸石分子筛蜂窝体 被引量：5
14
作者 王喜芹 李凯 +1 位作者 魏冰 栾志强 《环境科学》 EI CAS CSCD 北大核心 2011年第12期3653-3656,共4页
通过氢型沸石分子筛粉体与粘结剂、助剂和水混合成面团状后挤压成型,干燥焙烧,再通过四氯化硅疏水改性处理,制备了一种蜂窝状复合沸石分子筛吸附剂.通过低温N2吸附、XRD、吸苯等手段对所制备的分子筛蜂窝体进行表征和评价.结果表明所制... 通过氢型沸石分子筛粉体与粘结剂、助剂和水混合成面团状后挤压成型,干燥焙烧,再通过四氯化硅疏水改性处理,制备了一种蜂窝状复合沸石分子筛吸附剂.通过低温N2吸附、XRD、吸苯等手段对所制备的分子筛蜂窝体进行表征和评价.结果表明所制备的复合沸石分子筛蜂窝体经过硅改性处理后,硅铝比由4提高至22,比表面和总孔容略降,P/P0=0.95时吸苯量比改性前稍高,达18.05%.相对湿度80%RH条件下(P/P0=0.95)苯的饱和吸附量还能达到15%,与改性前相比增加了1倍多,疏水性优良. 展开更多
关键词 沸石 蜂窝体 吸附剂 疏水改性 四氯化硅
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四氯化硅的制备工艺综述 被引量：3
15
作者 刘邦煜 刘涛泽 叶春 《应用化工》 CAS CSCD 北大核心 2019年第8期1959-1961,1965,共4页
对SiCl4的传统工业生产方法(如工业硅氯化法、硅铁氯化法等)和新发展的制备方法(如硅藻土氯化法、工农业副产物制备SiCl4)进行了分析比较研究,展望了SiCl4制备工艺及应用的发展方向,指出利用硅藻土以及多晶硅副产物制备SiCl4的途径前景... 对SiCl4的传统工业生产方法(如工业硅氯化法、硅铁氯化法等)和新发展的制备方法(如硅藻土氯化法、工农业副产物制备SiCl4)进行了分析比较研究,展望了SiCl4制备工艺及应用的发展方向,指出利用硅藻土以及多晶硅副产物制备SiCl4的途径前景广阔,而SiCl4分离提纯技术是解决副产SiCl4出路的关键。 展开更多
关键词 sicl4 高纯sicl4 多晶硅 硅藻土
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光纤原料四氯化硅精制工艺研究进展 被引量：3
16
作者 徐昊旻 黄国强 《现代化工》 CAS CSCD 北大核心 2015年第7期27-31,共5页
介绍了Si Cl4提纯精制的各种先进方法,主要有物理方法和化学方法 2类,包括精馏法、吸附法、部分水解法、光化反应法、低温等离子反应法等。考察了各种工艺的优缺点,展望了未来Si Cl4提纯精制工艺的前景。
关键词 光纤 sicl4 金属杂质 含氢杂质 提纯
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一种新型工业电加热器的开发与应用 被引量：2
17
作者 华同曙 丁建宁 +1 位作者 谭克 李锦春 《机械设计与制造》 北大核心 2010年第8期83-84,共2页
成功实现SiCl4转化成SiHCl3的关键在于开发出适应这种苛刻工况下的新型电加热器。经过分析和实验,提出了"二次高温处理"和"压扁"的新工艺,彻底排除了电热管填料氧化镁粉中的水分,减小了热态泄漏电流,保证了电加热器... 成功实现SiCl4转化成SiHCl3的关键在于开发出适应这种苛刻工况下的新型电加热器。经过分析和实验,提出了"二次高温处理"和"压扁"的新工艺,彻底排除了电热管填料氧化镁粉中的水分,减小了热态泄漏电流,保证了电加热器在(400～500)℃连续长期稳定地工作8000h。新产品已经成功地应用于工业实际生产中,并打入了国际市场,具有明显的经济效益和社会效益。 展开更多
关键词 sicl4 电加热 新工艺 经济效益和社会效益
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溶胶-凝胶法制备硅凝胶块及其防开裂研究 被引量：2
18
作者 杨明婷 刘连利 +3 位作者 孙彤 徐姝颖 孙志佳 吕红艳 《渤海大学学报（自然科学版）》 CAS 2012年第3期230-233,共4页
以SiCl4为原料,采用溶胶-凝胶法制备了硅溶胶的凝胶块,并探讨了无水乙醇加入量、防裂剂加入量、去离子水加入量、液层厚度及空气接触面积等对硅溶胶凝胶块的影响.研究结果表明,当SiCl4:无水乙醇:防裂剂:去离子水的体积为2:4:1:2时,制备... 以SiCl4为原料,采用溶胶-凝胶法制备了硅溶胶的凝胶块,并探讨了无水乙醇加入量、防裂剂加入量、去离子水加入量、液层厚度及空气接触面积等对硅溶胶凝胶块的影响.研究结果表明,当SiCl4:无水乙醇:防裂剂:去离子水的体积为2:4:1:2时,制备的硅溶胶凝胶块无裂纹,且透明度高. 展开更多
关键词 sicl4 溶胶-凝胶法 凝胶块 防开裂
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提高氢化炉进料温度的措施 被引量：2
19
作者 宋张佐 顾国宝 刘阳赞 《云南化工》 CAS 2014年第4期68-70,共3页
四氯化硅热氢化是改良西门子法生产多晶硅的关键环节,氢化炉的稳定运行是维持系统物料平衡的决定因素。分析了四氯化硅、氢气的进料状况对氢化炉运行的影响,并提出了既提高进料的温度,又节能降耗的措施。
关键词 多晶硅 热氢化 四氯化硅 氢化炉
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以SiCl_4为源气体用PECVD技术低温快速生长多晶硅薄膜 被引量：1
20
作者 黄锐 林璇英 +6 位作者 余云鹏 林揆训 姚若河 黄文勇 魏俊红 王照奎 余楚迎 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第5期613-614,617,共3页
　报道了以SiCl4和H2为气源,用等离子体增强化学气相沉积技术,在小于300℃的低温下快速生长多晶硅薄膜。实验发现,生长速率强烈依赖于放电功率、H2/SiCl4流量比和衬底温度,而薄膜的晶化度只依赖于放电功率和H2/SiCl4流量比,与衬底温度... 　报道了以SiCl4和H2为气源,用等离子体增强化学气相沉积技术,在小于300℃的低温下快速生长多晶硅薄膜。实验发现,生长速率强烈依赖于放电功率、H2/SiCl4流量比和衬底温度,而薄膜的晶化度只依赖于放电功率和H2/SiCl4流量比,与衬底温度的关系不大。通过控制和选择工艺条件,我们获得了生长速率高达0.35nm/s,晶化度高于75%的多晶硅薄膜。薄膜的暗电导率和光电导率分别达到10-4S-1·cm-1和10-3S-1·cm-1。 展开更多
关键词 多晶硅薄膜 sicl4 生长速率 晶化度
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