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挤压变形对SiC_w/ZK51A镁基复合材料组织和性能的影响 被引量：20
1
作者 胡连喜 李小强 +1 位作者 王尔德 丛飞 《中国有色金属学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2000年第5期680-683,共4页
利用透射电镜、扫描电镜和拉伸试验等实验方法 ,研究了铸态和挤压态SiCw/ZK51A镁基复合材料的组织与力学性能。结果表明 ,挤压铸造SiCw/ZK51A复合材料经等温热挤压后 ,其力学性能有很大提高。主要原因是 :挤压变形能消除铸造缺陷 ,增强... 利用透射电镜、扫描电镜和拉伸试验等实验方法 ,研究了铸态和挤压态SiCw/ZK51A镁基复合材料的组织与力学性能。结果表明 ,挤压铸造SiCw/ZK51A复合材料经等温热挤压后 ,其力学性能有很大提高。主要原因是 :挤压变形能消除铸造缺陷 ,增强SiC晶须与ZK51A镁合金基体的界面结合 ,使复合材料中SiC晶须发生定向分布 ,沿挤压方向呈准一维分布特征 ,晶须的增强承载能力得到充分发挥。 展开更多
关键词 sic晶须 ZK51A镁合金 复合材料 挤压 组织 性能
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粉末冶金法制备SiC晶须增强MB15镁基复合材料 被引量：15
2
作者 郗雨林 柴东朗 +2 位作者 张文兴 席生歧 周敬恩 《稀有金属材料与工程》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2005年第7期1131-1134,共4页
采用粉末冶金法制备了SiC晶须增强镁基复合材料(SiCw/MB15)试样。通过检测基体显微硬度探讨了SiCw对镁合金时效规律的影响,并借助扫描电镜(SEM)、透射电镜(TEM)和拉伸试验,研究了混粉方式对复合材料室温力学性能、SiCw分布及显微结构的... 采用粉末冶金法制备了SiC晶须增强镁基复合材料(SiCw/MB15)试样。通过检测基体显微硬度探讨了SiCw对镁合金时效规律的影响,并借助扫描电镜(SEM)、透射电镜(TEM)和拉伸试验,研究了混粉方式对复合材料室温力学性能、SiCw分布及显微结构的影响。结果表明,MB15及其复合材料的时效硬化曲线上均存在双峰现象;SiCw的加入既提高了MB15的硬度,又加快了其时效速度;混粉方式对晶须分布及SiCw/MB15复合材料的室温力学性能影响很大。 展开更多
关键词 粉末冶金 sic晶须 镁基复合材料 时效特性 力学性能
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SiC晶须和Ti(C,N)颗粒协同增韧Al_2O_3陶瓷刀具的研究 被引量：13
3
作者 兰俊思 丁培道 黄楠 《材料科学与工程学报》 CAS CSCD 北大核心 2004年第1期59-64,共6页
采用热压工艺烧结制备了SiCW Ti(C ,N) Al2 O3(Y2 O3)陶瓷刀具复合材料。研究了不同烧结温度(16 0 0～ 175 0℃ )下 ,材料的致密度和力学性能 (断裂韧性KIC ,维氏硬度HV和抗弯强度σf)随晶须含量 (10 %～4 0 % )的变化关系 ;探讨了SiC... 采用热压工艺烧结制备了SiCW Ti(C ,N) Al2 O3(Y2 O3)陶瓷刀具复合材料。研究了不同烧结温度(16 0 0～ 175 0℃ )下 ,材料的致密度和力学性能 (断裂韧性KIC ,维氏硬度HV和抗弯强度σf)随晶须含量 (10 %～4 0 % )的变化关系 ;探讨了SiC晶须和Ti(C ,N)颗粒对Al2 O3基体的协同增韧机理。同时与SiCW Al2 O3陶瓷及Ti(C ,N) Al2 O3陶瓷作对比研究。结果表明 :SiCW Ti(C ,N) Al2 O3(Y2 O3)陶瓷材料在 175 0℃ ,晶须含量为 2 0 %时获得最佳的综合力学性能 :KIC =7 11MPa m1 2 ,HV =2 1 16GPa ,σf=82 0MPa ;明显高于SiCW 含量为 2 0 %的SiCW Al2 O3陶瓷和不加晶须的Ti(C ,N) Al2 O3陶瓷。第三相Ti(C ,N)颗粒的加入与晶须一起产生明显的迭加增韧效果 ,而且对SiCW 的各种增韧机制起到了促进作用。 展开更多
关键词 sic晶须 TI(C N) Al2O3 陶瓷刀具 热压工艺 力学性能 致密度 复合材料
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莫来石基陶瓷复合材料的力学性能 被引量：15
4
作者 杨正方 徐海洋 +2 位作者 谈家琪 袁启明 张艳茹 《硅酸盐学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1989年第5期467-471,共5页
采用热压工艺制得致密的莫来石陶瓷和莫来石基陶瓷复合材料(ZTM、SiC晶须-莫来石、SiC晶须-ZTM)。通过引入SiC晶须或ZrO_2,使莫来石基陶瓷的力学性能有明显改善,SiC晶须和ZrO_2复合强韧则效果更为显著。组成为20vol.％SiC晶须-15vol.％Z... 采用热压工艺制得致密的莫来石陶瓷和莫来石基陶瓷复合材料(ZTM、SiC晶须-莫来石、SiC晶须-ZTM)。通过引入SiC晶须或ZrO_2,使莫来石基陶瓷的力学性能有明显改善,SiC晶须和ZrO_2复合强韧则效果更为显著。组成为20vol.％SiC晶须-15vol.％ZrO_2-莫来石陶瓷材料,其室温及800℃的抗弯强度和断裂韧性分别为559MPa及425MPa,7.5MPa·m^(1/2)及7.4MPa·m^(1/2)。实验结果表明,莫来石基复合材料的相变增韧与晶须增韧机制的作用对韧性的贡献有良好的加和性。 展开更多
关键词 陶瓷复合材料 莫来石 sic晶须 ZRO
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SiC晶须增韧陶瓷基复合材料的研究进展 被引量：11
5
作者 李喜宝 柯昌明 李楠 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第F05期394-397,共4页
介绍了SiC晶须增韧陶瓷基复合材料的烧结合成方法,将各动力学因素(晶须含量、混合工艺和烧结温度)对热压烧结法制备SiC晶须增韧陶瓷基复合材料的影响进行了详细阐述,叙述并讨论了SiC晶须增韧的不同机理,并展望了该领域的研究方向。
关键词 sic晶须 增韧机理 热压烧结 陶瓷
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不同分散剂对SiC晶须分散作用的探讨 被引量：11
6
作者 李绍纯 戴长虹 +1 位作者 牛志森 杨辉 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第12期121-123,共3页
利用离心沉降分光光度法对 SiC 晶须在4种不同分散剂中的分散行为进行了研究,探讨了不同分散剂的分散效果,并对其分散机理进行了分析。结果表明,分散剂的分散能力顺序为焦磷酸钠>六偏磷酸钠>吐温80>聚乙二醇;不同类型分散剂混... 利用离心沉降分光光度法对 SiC 晶须在4种不同分散剂中的分散行为进行了研究,探讨了不同分散剂的分散效果,并对其分散机理进行了分析。结果表明,分散剂的分散能力顺序为焦磷酸钠>六偏磷酸钠>吐温80>聚乙二醇;不同类型分散剂混合使用的分散效果要比使用1种分散剂的好。 展开更多
关键词 sic晶须 分散剂 分光光度法
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SiC晶须增强铝基复合材料热膨胀行为与内应力关系的研究 被引量：10
7
作者 胡明 郑馥 +2 位作者 费维栋 王黎东 姚忠凯 《复合材料学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2002年第5期57-61,共5页
本文作者研究了 6 0 0℃水淬和 6 0 0℃退火处理的碳化硅晶须增强铝基复合材料的热膨胀行为 ,阐述两者热膨胀行为与内应力的内在关系。结果表明 :淬火后复合材料基体的位错密度、内应力、及材料的有效屈服强度较高 ;而退火后复合材料基... 本文作者研究了 6 0 0℃水淬和 6 0 0℃退火处理的碳化硅晶须增强铝基复合材料的热膨胀行为 ,阐述两者热膨胀行为与内应力的内在关系。结果表明 :淬火后复合材料基体的位错密度、内应力、及材料的有效屈服强度较高 ;而退火后复合材料基体的位错密度、内应力、及材料的有效屈服强度较低。当材料在 6 0 0℃淬火后 ,升温过程中材料的热膨胀系数曲线在 80℃和 2 4 5℃各出现一个峰值 ,且后者明显高于前者 ;而 6 0 0℃退火后材料的热膨胀系数曲线只在 80℃出现一个波峰 ,且其峰值低于淬火材料相应的峰值。分析表明 :材料热膨胀系数曲线出现的第一个峰是基体内拉应力释放的结果 ; 展开更多
关键词 sic晶须 增强 铝基复合材料 热膨胀 内应力 碳化硅晶须
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合成温度对碳热还原法合成碳化硅晶须形貌的影响 被引量：14
8
作者 张颖 蒋明学 张军战 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2010年第2期369-374,共6页
以SiO2微粉为硅源,炭黑为碳源,氧化硼为催化剂,采用碳热还原法分别在1500℃、1550℃、1600℃制备了SiC晶须。通过扫描电镜,电子探针和透射电镜等分析手段,研究了合成温度对SiC晶须形貌的影响,探讨了晶须的生长机理。结果表明:当合成温度... 以SiO2微粉为硅源,炭黑为碳源,氧化硼为催化剂,采用碳热还原法分别在1500℃、1550℃、1600℃制备了SiC晶须。通过扫描电镜,电子探针和透射电镜等分析手段,研究了合成温度对SiC晶须形貌的影响,探讨了晶须的生长机理。结果表明:当合成温度为1500℃时,所合成的SiC晶须形貌呈竹节状,选区电子衍射分析发现孪晶等面缺陷在晶须的生长方向上周期性出现;当合成温度在1550℃以上时,哑铃状晶须的数量会急剧增多,分析表明晶须表面包裹的串珠小球为β-SiC。在晶须的顶端发现催化剂熔球,由此推测生长机理为VLS机理,但当合成温度超过1550℃时,SiC会以VS生长机理沿径向沉积生成哑铃状晶须。 展开更多
关键词 碳热还原 sic晶须 合成温度 生长机理
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ZrO_2增韧Al_2O_3／SiCw陶瓷复合材料研究 被引量：7
9
作者 林广涌 吴柏源 +1 位作者 雷廷权 周玉 《华南理工大学学报（自然科学版）》 EI CAS CSCD 1996年第7期-,共6页
研究了热压烧结Ａｌ２Ｏ３＋０．２０ＳｉＣｗ（体积分数，下同）－ＺｒＯ２（摩尔分数为０．０２Ｙ２Ｏ３，记为ＺｒＯ２（０．０２Ｙ））陶瓷复合材料的力学性能及韧化机制。结果表明，在Ａｌ２Ｏ３＋０．２０ＳｉＣｗ陶瓷中添加Ｚｒ... 研究了热压烧结Ａｌ２Ｏ３＋０．２０ＳｉＣｗ（体积分数，下同）－ＺｒＯ２（摩尔分数为０．０２Ｙ２Ｏ３，记为ＺｒＯ２（０．０２Ｙ））陶瓷复合材料的力学性能及韧化机制。结果表明，在Ａｌ２Ｏ３＋０．２０ＳｉＣｗ陶瓷中添加ＺｒＯ２（０．０２Ｙ）颗粒可使Ａｌ２Ｏ３＋０．２０ＳｉＣｗ材料进一步韧化和强化；室温下Ａｌ２Ｏ３＋０．２０ＳｉＣｗ＋０．３０ＺｒＯ２（０．０２Ｙ）复合材料的断裂韧性和抗弯强度分别可达１０．８５ＭＰａ·ｍ１／２和１２０７ＭＰａ。断口形貌和裂纹扩展途径的ＳＥＭ观察和ＸＲＤ分析结果表明，复合材料的增韧机制为裂纹偏转与绕过，晶须桥接与拔出以及相变增韧。 展开更多
关键词 氧化铝 氧化锆 sic晶须 复合材料 力学性能 韧化机制
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激光照射SiC纳米颗粒原位生成SiC晶须 被引量：11
10
作者 唐陈霞 赵剑峰 关芳芳 《材料研究学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第2期164-166,共3页
以激光为热源,以SiC纳米颗粒材料为前驱体,用激光照射SiC纳米颗粒原位生长晶须.结果表明:由于激光能量输出的瞬时特性,SiC纳米颗粒受到激光的照射可瞬时生成SiC晶须.随着激光功率的提高,晶须的直径从纳米级增大到微米级.由于在激光光斑... 以激光为热源,以SiC纳米颗粒材料为前驱体,用激光照射SiC纳米颗粒原位生长晶须.结果表明:由于激光能量输出的瞬时特性,SiC纳米颗粒受到激光的照射可瞬时生成SiC晶须.随着激光功率的提高,晶须的直径从纳米级增大到微米级.由于在激光光斑内能量呈高斯分布,光斑内不同区域的SiC颗粒的温度不同,致使生成的晶须形态在不同的区域分别呈现为团絮状、网状和棒状等.X射线衍射分析表明,激光照射SiC纳米颗粒原位生长的晶须具有很高的纯度. 展开更多
关键词 材料合成与加工工艺 sic晶须 激光照射 sic纳米颗粒
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SiC晶须表面涂覆Al_2O_3的溶胶-凝胶工艺及机理 被引量：10
11
作者 张宗涛 黄勇 +1 位作者 胡晓清 江作昭 《硅酸盐学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1991年第6期572-575,518,共5页
用异丙醇铝为先驱体通过溶胶-凝胶工艺成功地在SiC晶须表面涂覆了5—30nm的Al_2O_2涂层。认为SiC表面与Al(OC_2H_7)_2(OH)形成配位键并构成胶团是形成涂层的重要机制。研究了溶胶浓度、晶须预处理,晶须直径和反复涂层对涂层效果的影响。
关键词 sic晶须 溶胶-凝胶 工艺 涂层
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哑铃形碳化硅晶须生长的机理　 被引量：10
12
作者 白朔 成会明 +3 位作者 苏革 魏永良 沈祖洪 周本濂 《材料研究学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2002年第2期136-140,共5页
研究了仿生哑铃形碳化硅晶须的生长机理．发现组成仿生晶须的念珠状小球与直杆状碳化硅晶须的生成过程是相对独立的、而且念珠状小球在直杆状晶须上的生长位置是一定的，首先，直杆状碳化硅晶须在反应空间中生成：然后由Ｓｉ、ＳｉＯ、... 研究了仿生哑铃形碳化硅晶须的生长机理．发现组成仿生晶须的念珠状小球与直杆状碳化硅晶须的生成过程是相对独立的、而且念珠状小球在直杆状晶须上的生长位置是一定的，首先，直杆状碳化硅晶须在反应空间中生成：然后由Ｓｉ、ＳｉＯ、ＳｉＯ２等组成的非晶态物质在直杆状晶须上的缺陷位置沉积长大．形成包裹在晶须上的念珠状小球， 念珠状小球不仅可以在制备碳化硅晶须的过程中生成．而且能够在已有的碳化硅和钛酸钾等晶须上生成。 展开更多
关键词 哑铃形碳化硅晶须 sic晶须 仿生 生长机理 复合材料 增强剂
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氮化硅低温转化合成碳化硅晶须研究 被引量：13
13
作者 张颖 蒋明学 +1 位作者 崔曦文 张军战 《硅酸盐通报》 CAS CSCD 北大核心 2009年第1期80-83,89,共5页
对氮化硅转化法制备碳化硅晶须的反应过程进行了热力学分析;采用氮化硅为硅源,石墨、活性炭和炭黑为碳源,氧化硼作为催化剂,利用氮化硅转化法分别在1500℃、1550℃、1600℃合成碳化硅晶须,通过X射线衍射和扫描电子显微镜分析合成晶须的... 对氮化硅转化法制备碳化硅晶须的反应过程进行了热力学分析;采用氮化硅为硅源,石墨、活性炭和炭黑为碳源,氧化硼作为催化剂,利用氮化硅转化法分别在1500℃、1550℃、1600℃合成碳化硅晶须,通过X射线衍射和扫描电子显微镜分析合成晶须的特征。结果表明:合成反应在1450℃以上可以发生,且随着温度的升高,平衡常数急剧增加,SiC晶须直径变大;以活性炭和炭黑等较高活性的碳源代替石墨可以提高晶须的质量和生成量,通过对晶须合成过程的分析,推测晶须的生长属于螺旋位错生长机理。 展开更多
关键词 SI3N4 sic晶须 热力学 机理
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SiC晶须砂轮的开发及其磨削特性 被引量：10
14
作者 魏源迁 伍良生 +3 位作者 王新华 李剑锋 山口胜美 洞口严 《金刚石与磨料磨具工程》 CAS 2003年第5期8-11,共4页
细磨粒砂轮用来进行高精度磨削。然而 ,由于细磨粒具有较小的结合面积 ,即使在正常的磨削条件下 ,磨粒易于从砂轮表面上脱落 ,导致加工精度与效率低下。近十年来 ,由于SiC晶须 (微细纤维 )具有高硬度、高强度、高耐磨性和相容性好等优... 细磨粒砂轮用来进行高精度磨削。然而 ,由于细磨粒具有较小的结合面积 ,即使在正常的磨削条件下 ,磨粒易于从砂轮表面上脱落 ,导致加工精度与效率低下。近十年来 ,由于SiC晶须 (微细纤维 )具有高硬度、高强度、高耐磨性和相容性好等优良的机械与物理化学特性 ,因而广泛地用作金属、陶瓷、塑料及复合材料的强化材料[1～ 2 ] 。SiC晶须的平均长度和直径分别为 5 0微米左右和数微米 ,比相同直径的细磨粒具有相对较大的结合面积。 1993年以来 ,日本山口胜美、洞口严教授和中国魏源迁教授使用SiC晶须作为磨料和酚醛树脂结合剂 ,成功地开发了一种SiC晶须砂轮[3～ 5] 。该砂轮中的SiC晶须按同一方向排列且与砂轮磨削面相垂直 ,晶须的端部可作为切削刃。为了考察此砂轮的磨削特性 ,本文对难加工材料如模具钢SKD11(HRC60 )进行了大量的磨削试验。试验结果表明该砂轮不仅具有很高的磨削比 (60 0 0以上 )和磨削效率 ,而且能获得纳米级加工表面 (Ra1.5nm/Ry16nm)。 展开更多
关键词 砂轮 sic晶须 纳米加工 磨削特性 难加工材料
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B_4C/SiC_w陶瓷喷砂嘴的制备及其冲蚀磨损机理研究 被引量：9
15
作者 邓建新 张希华 《硅酸盐通报》 CAS CSCD 2004年第3期18-20,共3页
采用热压烧结工艺制备了B4C/SiCw陶瓷喷砂嘴,研究了SiC晶须的含量对:B4C/SiCw陶瓷材料性能的影响。以SiC和Al2O3磨料对B4c/SiCw陶瓷喷砂嘴进行冲蚀磨损试验,研究不同磨料对B4C/SiCw陶瓷喷砂嘴冲蚀磨损的影响,分析了其冲蚀磨损机理。结... 采用热压烧结工艺制备了B4C/SiCw陶瓷喷砂嘴,研究了SiC晶须的含量对:B4C/SiCw陶瓷材料性能的影响。以SiC和Al2O3磨料对B4c/SiCw陶瓷喷砂嘴进行冲蚀磨损试验,研究不同磨料对B4C/SiCw陶瓷喷砂嘴冲蚀磨损的影响,分析了其冲蚀磨损机理。结果表明:B4C/SiCw陶瓷喷砂嘴的冲蚀磨损机理主要表现为脆性断裂和磨料粒子对喷嘴的切入所造成的微观切削作用。磨料的硬度和粒度对陶瓷喷嘴的磨损有重要的影响,磨料的硬度和粒度越大,陶瓷喷嘴的磨损速度加快。 展开更多
关键词 B4C sic晶须 陶瓷喷砂嘴 制备 陶瓷材料 冲蚀磨损机理 热压烧结工艺 微观切削
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铜合金表面添加SiC晶须的Ni-Cu激光熔覆层 被引量：10
16
作者 董江 刘芳 +1 位作者 陈岁元 刘常升 《东北大学学报（自然科学版）》 EI CAS CSCD 北大核心 2009年第1期79-82,共4页
用5 kW CO2激光器,通过优化激光工艺参数,在结晶器用铜合金表面预置添加SiC晶须的镍基自熔合金(Ni1015)粉,制备出表面平整、组织均匀致密、无气孔和裂纹等缺陷、与基体为冶金结合的Ni-Cu激光熔覆层.借助OM,SEM和显微硬度计等分析测定了... 用5 kW CO2激光器,通过优化激光工艺参数,在结晶器用铜合金表面预置添加SiC晶须的镍基自熔合金(Ni1015)粉,制备出表面平整、组织均匀致密、无气孔和裂纹等缺陷、与基体为冶金结合的Ni-Cu激光熔覆层.借助OM,SEM和显微硬度计等分析测定了涂层的显微组织形貌、组织成分和截面显微硬度.结果表明:添加SiC晶须的Ni-Cu涂层比单纯的Ni-Cu涂层的显微组织明显得到细化,涂层的显微硬度高出150HV左右,是铜合金基体(85 HV)的3.7倍,从而能够提高结晶器的使用性能. 展开更多
关键词 铜 CO2激光器 Ni-Cu激光熔覆层 sic晶须
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超细炭素原料对Al_2O_3-ZrO_2-C材料性能及微孔结构的影响 被引量：7
17
作者 邵荣丹 张文杰 +4 位作者 顾华志 汪厚植 杨开保 郁书中 杨玉富 《耐火材料》 EI CAS 北大核心 2005年第5期330-332,共3页
研究比较了粒度<25nm的炭黑A、粒度<50nm的炭黑B及粒度<0.147mm的鳞片石墨3种炭素原料对铝锆碳滑板材料的性能及微孔结构的影响,并采用扫描电镜观察材料中原位生成SiC晶须的显微结构变化。结果表明:由于炭黑A和炭黑B的粒度细,... 研究比较了粒度<25nm的炭黑A、粒度<50nm的炭黑B及粒度<0.147mm的鳞片石墨3种炭素原料对铝锆碳滑板材料的性能及微孔结构的影响,并采用扫描电镜观察材料中原位生成SiC晶须的显微结构变化。结果表明:由于炭黑A和炭黑B的粒度细,它们在烧结过程中与硅粉更容易发生反应原位生成SiC晶须;SiC晶须发育良好,填充气孔,使试样中直径d<1μm的微孔数量大大增加,同时提高了试样的强度。因此,添加炭黑A、炭黑B的试样的性能优于添加鳞片石墨的,而以添加炭黑A的最好。 展开更多
关键词 铝锆碳滑板 炭黑 碳化硅晶须 微孔 材料性能 微孔结构 原料 炭素 sic晶须 超细
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热挤压对SiCw·SiCp/2024Al组织与性能的影响 被引量：9
18
作者 张雪囡 耿林 王桂松 《材料科学与工艺》 EI CAS CSCD 2004年第5期482-485,共4页
为了研究SiCw·SiCp/2024Al复合材料的热变形行为,对压铸法制备的SiCw·SiCp/2024Al复合材料进行了热挤压变形,并测定了其变形前后的室温拉伸性能.利用扫描电镜和透射电镜对复合材料热变形前后的微观组织进行观察.研究表明:增... 为了研究SiCw·SiCp/2024Al复合材料的热变形行为,对压铸法制备的SiCw·SiCp/2024Al复合材料进行了热挤压变形,并测定了其变形前后的室温拉伸性能.利用扫描电镜和透射电镜对复合材料热变形前后的微观组织进行观察.研究表明:增强体在基体中分布均匀,并与基体有良好的界面结合;热挤压后,纳米颗粒分布的均匀性和分散性得到改善,SiC晶须产生了沿挤压方向的定向排列,且SiC晶须与基体合金的界面结合良好;随着SiC颗粒含量的增加,混杂增强复合材料的抗拉强度随之升高,挤压后复合材料的抗拉强度进一步提高;与基体合金相比,混杂增强复合材料的延伸率下降,热挤压有利于提高混杂复合材料的延伸率. 展开更多
关键词 热挤压 组织与性能 延伸率 热变形 压铸法 基体合金 定向排列 增强复合材料 增强体 sic晶须
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铝复合材料超精密加工表面微观分析 被引量：6
19
作者 韩荣第 王大镇 韩滨 《中国机械工程》 EI CAS CSCD 北大核心 2003年第9期747-749,共3页
用聚晶金刚石PCD刀具对SiC晶须增强铝复合材料SiCw 2 0 2 4进行了精密超精密切削试验 ,并用原子力显微镜和电子探针扫描显微镜进行了检测分析 ,结果证明 ,SiCw 2 0 2 4铝复合材料加工表面粗糙度值达到超精密级的最大障碍在于SiC晶须拔... 用聚晶金刚石PCD刀具对SiC晶须增强铝复合材料SiCw 2 0 2 4进行了精密超精密切削试验 ,并用原子力显微镜和电子探针扫描显微镜进行了检测分析 ,结果证明 ,SiCw 2 0 2 4铝复合材料加工表面粗糙度值达到超精密级的最大障碍在于SiC晶须拔出或压入型的破坏方式 ,而直接剪断的破坏方式则几乎无影响 ;SiCw 2 0 2 展开更多
关键词 sic晶须 铝复合材料 超精密加工 加工变质层 表面粗糙度 表面微观分析
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SiC颗粒-SiC晶须混杂填料/双马来酰亚胺树脂导热复合材料的制备与性能 被引量：10
20
作者 党婧 刘婷婷 《复合材料学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2017年第2期263-269,共7页
以双马来酰亚胺树脂(BMI)为树脂基体,二烯丙基双酚A(DABA)为增韧剂,γ-缩水甘油醚氧丙基三甲氧基硅烷(KH-560)表面改性的SiC颗粒-SiC晶须(SiCP-SiCW)为复配导热填料,浇注成型制备SiC_P-SiC_W/BMI导热复合材料,分析研究SiC形状、用量、... 以双马来酰亚胺树脂(BMI)为树脂基体,二烯丙基双酚A(DABA)为增韧剂,γ-缩水甘油醚氧丙基三甲氧基硅烷(KH-560)表面改性的SiC颗粒-SiC晶须(SiCP-SiCW)为复配导热填料,浇注成型制备SiC_P-SiC_W/BMI导热复合材料,分析研究SiC形状、用量、质量比及表面改性对SiC_P-SiC_W/BMI导热复合材料的导热性能、介电性能、力学性能和热性能的影响。结果表明,当改性SiC_P-SiC_W用量为40wt%且SiC_P∶SiC_W质量比为1∶3时,SiC_P-SiC_W/BMI导热复合材料具有最佳的综合性能,导热系数λ为1.125W(m·K)^(-1),介电常数ε为4.12,5%热失重温度为427℃。 展开更多
关键词 双马来酰亚胺树脂 二烯丙基双酚A sic颗粒 sic晶须 导热复合材料
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