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SGT基因在小鼠深静脉血栓形成中的作用 被引量:4
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作者 顾取良 黄韧 +4 位作者 胡曦文 勾红菊 周晓明 郑凌云 王丽京 《临床与实验病理学杂志》 CAS CSCD 北大核心 2014年第5期501-505,共5页
目的探讨SGT(small glutamine-rich tetratricopeptide repeat-containing protein)在深静脉血栓(deep vein thrombosis,DVT)形成中的作用。方法分别对SGT基因敲除小鼠及野生型对照鼠进行下腔静脉结扎建立DVT模型,观察建模后两种小鼠体... 目的探讨SGT(small glutamine-rich tetratricopeptide repeat-containing protein)在深静脉血栓(deep vein thrombosis,DVT)形成中的作用。方法分别对SGT基因敲除小鼠及野生型对照鼠进行下腔静脉结扎建立DVT模型,观察建模后两种小鼠体内血栓形成情况,测定出血时间、凝血时间、血栓重量及长度。HE染色观察血栓形成的病理形态特点,ELISA法检测血清中可溶性细胞间黏附分子-1(soluble intercellular adhesion molecule-1,sICAM-1)和白细胞介素-6(interleukin 6,IL-6)的表达。结果与野生型对照鼠相比,SGT基因敲除小鼠在建模48 h后,裸血栓重量长度比明显减小,凝血时间和出血时间均显著延长,形成的血栓中纤维蛋白所占比例较小;SGT基因敲除小鼠血清中sICAM-1表达水平显著低于对照鼠,IL-6的表达水平差异无统计学意义。结论 SGT基因敲除能有效抑制DVT的形成,其作用机制可能与血小板功能受影响及细胞间黏附分子表达改变有关。 展开更多
关键词 深静脉血栓 sgt 基因敲除 小鼠
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SGT MOSFET的研究与进展 被引量:4
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作者 陈利 陈瑞森 《中国集成电路》 2021年第4期36-42,57,共8页
介绍了SGT MOSFET的研究历史和结构演进,对SGT MOSFET发展过程中出现的各种新结构的结构特点和电学特性做了简要阐述;简要说明了SGT MOSFET在改善器件反向耐压BV和比导通电阻Rsp以及UIS和BV稳定性方面的研究进展;同时列举了SGT MOSFET... 介绍了SGT MOSFET的研究历史和结构演进,对SGT MOSFET发展过程中出现的各种新结构的结构特点和电学特性做了简要阐述;简要说明了SGT MOSFET在改善器件反向耐压BV和比导通电阻Rsp以及UIS和BV稳定性方面的研究进展;同时列举了SGT MOSFET的一些最新研究成果和需要解决的问题,以及今后的研究发展重点。 展开更多
关键词 屏蔽栅沟槽功率MOSFET BV RSP FOM sgt 功率器件
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Vibration and wave propagation analysis of twisted micro-beam using strain gradient theory 被引量:3
3
作者 M.MOHAMMADIMEHR M.J.FARAHI S.ALIMIRZAEI 《Applied Mathematics and Mechanics(English Edition)》 SCIE EI CSCD 2016年第10期1375-1392,共18页
In this research, vibration and wave propagation analysis of a twisted micro- beam on Pasternak foundation is investigated. The strain-displacement relations (kine-matic equations) are calculated by the displacement... In this research, vibration and wave propagation analysis of a twisted micro- beam on Pasternak foundation is investigated. The strain-displacement relations (kine-matic equations) are calculated by the displacement fields of the twisted micro-beam. The strain gradient theory (SGT) is used to implement the size dependent effect at micro-scale. Finally, using an energy method and Hamilton's principle, the governing equations of motion for the twisted micro-beam are derived. Natural frequencies and the wave prop- agation speed of the twisted micro-beam are calculated with an analytical method. Also, the natural frequency, the phase speed, the cut-off frequency, and the wave number of the twisted micro-beam are obtained by considering three material length scale parameters, the rate of twist angle, the thickness, the length of twisted micro-beam, and the elastic medium. The results of this work indicate that the phase speed in a twisted micro-beam increases with an increase in the rate of twist angle. Moreover, the wave number is in- versely related with the thickness of micro-beam. Meanwhile, it is directly related to the wave propagation frequency. Increasing the rate of twist angle causes the increase in the natural frequency especially with higher thickness. The effect of the twist angle rate on the group velocity is observed at a lower wave propagation frequency. 展开更多
关键词 vibration and wave propagation analysis twisted micro-beam strain gradient theory sgt rate of twist angle
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SGT MOS器件电容特性研究与分析 被引量:2
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作者 任丽丽 李建澄 郭荣辉 《电声技术》 2020年第6期83-86,共4页
功率器件的频率响应特性与其电容特性密切相关。相比于主要由沟槽底部宽度决定的普通沟槽型MOS器件栅漏电容,SGT MOS器件由于栅极在沟槽上半部分通过侧边氧化层、漂移区连接漏级,需要考虑4部分电容的并联。因此,建立SGT MOS器件的电容... 功率器件的频率响应特性与其电容特性密切相关。相比于主要由沟槽底部宽度决定的普通沟槽型MOS器件栅漏电容,SGT MOS器件由于栅极在沟槽上半部分通过侧边氧化层、漂移区连接漏级,需要考虑4部分电容的并联。因此,建立SGT MOS器件的电容模型并加以仿真分析,验证了SGT MOS器件在电容特性上具有的绝对优势。 展开更多
关键词 sgt MOS器件 电容模型 电容特性
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30V SGT N-Channel MOSFET总剂量效应研究 被引量:1
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作者 徐海铭 汪敏 《电子与封装》 2023年第11期102-107,共6页
对30V SGT型N-Channel MOSFET进行了两种不同偏置的总剂量辐射实验,随着^(60)Coγ源射线剂量的增加,给出了两种偏置状态下器件实验前后的转移曲线和直流参数变化,揭示了SGT型功率器件随剂量和偏置的变化趋势和机理。研究结果表明,随着... 对30V SGT型N-Channel MOSFET进行了两种不同偏置的总剂量辐射实验,随着^(60)Coγ源射线剂量的增加,给出了两种偏置状态下器件实验前后的转移曲线和直流参数变化,揭示了SGT型功率器件随剂量和偏置的变化趋势和机理。研究结果表明,随着总剂量的增加,两种偏置下器件的阈值电压、导通电阻和击穿电压均出现下降的情况。不同之处是OFF态下主要参数发生变化的幅度收窄,下降幅度相对较小。同时,出现了击穿电压先增加后下降的现象,分析认为,在^(60)Coγ源射线的作用下器件沟槽栅极下方的多晶硅屏蔽栅极存在比较厚的氧化层,在低剂量时元胞和终端处的厚氧化层产生总剂量效应,使得SGT型功率器件发生局部场强改变,从而出现该变化。 展开更多
关键词 sgt 总剂量效应 阈值电压漂移 MOSFET
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一种三层EPI结构SGT MOSFET设计 被引量:1
6
作者 商世广 郭雄雄 +2 位作者 张雨 王洋菲 俱帅 《西安邮电大学学报》 2023年第4期36-43,共8页
提出了一种三层外延(Epitaxy,EPI)结构的屏蔽栅沟槽金属氧化物半导体场效应晶体管(Shielded Gate Trench Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor,SGT MOSFET)设计方案。利用Sentaurus TCAD工具,将单层EPI结构调整为三层EP... 提出了一种三层外延(Epitaxy,EPI)结构的屏蔽栅沟槽金属氧化物半导体场效应晶体管(Shielded Gate Trench Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor,SGT MOSFET)设计方案。利用Sentaurus TCAD工具,将单层EPI结构调整为三层EPI结构,通过控制变量法拉偏三层EPI结构的外延层厚度、电阻率等参数,仿真分析其参数变化对SGT MOSFET性能的影响。仿真结果表明,在相同的原胞尺寸条件下,与单层EPI结构SGT MOSFET相比,三层EPI结构SGT MOSFET通过横向电场调制作用降低了纵向电场的峰值,击穿电压提高9.5%,比导通电阻降低15.6%,有效地提高了器件的电学性能。 展开更多
关键词 sgt MOSFET 三层EPI 品质因数 击穿电压 比导通电阻
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原发性肺涎腺型肿瘤影像学诊断 被引量:4
7
作者 韩小雨 史河水 《临床放射学杂志》 CSCD 北大核心 2019年第6期1147-1150,共4页
原发性肺涎腺型肿瘤(salivary gland-type tumor,SGT)属肺低度恶性肿瘤,仅占肺原发恶性肿瘤的0.1%~0.2%[1~3]。肿瘤起源于中央气道的黏膜下腺体,曾被错误地认为支气管腺瘤[4]。该类肿瘤组织病理学表现与发生于头颈部的涎腺型肿瘤基本相... 原发性肺涎腺型肿瘤(salivary gland-type tumor,SGT)属肺低度恶性肿瘤,仅占肺原发恶性肿瘤的0.1%~0.2%[1~3]。肿瘤起源于中央气道的黏膜下腺体,曾被错误地认为支气管腺瘤[4]。该类肿瘤组织病理学表现与发生于头颈部的涎腺型肿瘤基本相仿[5],2004年版WHO肺及胸膜肿瘤病理分类中将其称为SGT[6]. 展开更多
关键词 原发性 sgt 主支气管
原文传递
具有多段分裂栅的屏蔽栅沟槽型MOSFET特性研究
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作者 李嘉楠 冯全源 陈晓培 《电子元件与材料》 CAS 北大核心 2023年第11期1324-1328,共5页
为了能够有效调制屏蔽栅沟槽型(Shielded Gate Trench,SGT)MOSFET器件阻断状态下的电场分布,改善器件的电荷耦合效应,从而提高器件击穿电压(BV)和特征导通电阻(Ron,sp)之间的折衷关系,研究提出了一种具有多段分裂栅的SGT MOSFET结构。... 为了能够有效调制屏蔽栅沟槽型(Shielded Gate Trench,SGT)MOSFET器件阻断状态下的电场分布,改善器件的电荷耦合效应,从而提高器件击穿电压(BV)和特征导通电阻(Ron,sp)之间的折衷关系,研究提出了一种具有多段分裂栅的SGT MOSFET结构。该结构是将传统的SGT MOSFET沟槽中的屏蔽栅分裂成三部分,最上层的屏蔽栅接源极,中间和最下层的屏蔽栅为浮空,分别命名为UFG和LFG。新结构器件在阻断状态下可以在n型漂移区引入两个额外的电场峰值,使得电场分布更加均匀。Sentaurus TCAD软件仿真结果显示,在元胞参数相同的条件下,相较传统SGT MOSFET,具有双段浮空栅(DSFSGT)MOSFET的BV和优值(Figure of Merit,FOM)分别提高了37.7%和66.7%,BV达到了173.6 V,FOM达到了177.3 V2/(mΩ·mm^(2));相较单段浮空栅(SFSGT)MOSFET,BV和优值分别提高了10.7%和19.8%。 展开更多
关键词 分裂栅 电场分布 MOSFET sgt 击穿电压
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Smart Grid Technology and Its Possible Applications to the Nigeria 330 kV Power System 被引量:1
9
作者 Oshevire Patrick Oladimeji Tolulolope Onohaebi Sunny 《Smart Grid and Renewable Energy》 2013年第5期391-397,共7页
It is a known fact that the epileptic power situation in Nigeria has become a recurring decimal. In the light of this stark reality of a country like Nigeria which is constantly plunged into pitch darkness all year ro... It is a known fact that the epileptic power situation in Nigeria has become a recurring decimal. In the light of this stark reality of a country like Nigeria which is constantly plunged into pitch darkness all year round, it has become expedient for a sustainable and urgent remedy to be sought if our country will ever think of rubbing shoulders with the economies of the world. It is this pathetic scenario, we find ourselves in that it has given rise to this paper which tends to review possible ways and means of redressing the ugly trend. This paper examines the prospects and possible applications of Smart Grid Technology (SGT) to the Nigeria Power System. Nigeria Power System consists of 28 buses, 32 Transmission lines and 10 generating stations, with a view to reduce the high active and reactive transmission losses. The study shows that smart grid system will make the present network more efficient and reliable by connecting different sources of distributed generators into the existing grid. Basic requirements necessary for the application of SGT using the Nigeria Power System as a case study were discussed. 展开更多
关键词 MART Grid Technology (sgt) NIGERIA Power System Distributed Generators LOSSES
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手动调节燃气轮机APU控制板对机组启动影响的研究 被引量:1
10
作者 董宏明 《当代化工研究》 2017年第5期91-92,共2页
针对西门子SGT 200-2S DLE型燃气轮机ECU系统APU控制板在没有测试软件和相关调试硬件情况下进行更换时,如何手动调节以满足机组燃烧控制要求,使机组能够在板卡故障情况下,快速完成维修,恢复正常运行。
关键词 sgt 200-2S燃气轮机 APU控制板
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屏蔽栅MOSFET中间氧化膜工艺优化
11
作者 周颖 岳丰 《集成电路应用》 2017年第7期26-29,共4页
屏蔽栅MOSFET(Shielded Gate Trench MOSFET,缩写SGT-MOSFET)功率器件是一种基于传统沟槽式MOSFET(U-MOSFET)的一种改进型的沟槽式功率MOSFET。相比于传统U-MOSFET功率器件,它的开关速度更快,开关损耗更低,具有更好的器件性能。SGTMOSFE... 屏蔽栅MOSFET(Shielded Gate Trench MOSFET,缩写SGT-MOSFET)功率器件是一种基于传统沟槽式MOSFET(U-MOSFET)的一种改进型的沟槽式功率MOSFET。相比于传统U-MOSFET功率器件,它的开关速度更快,开关损耗更低,具有更好的器件性能。SGTMOSFET功率器件的中间氧化膜起到了对栅电极和屏蔽电极的隔离作用,若中间氧化膜厚度不足或出现空洞,将对器件IGSS(栅源短路电流)产生不良影响。为了保证足够的氧化膜厚度,并且避免空洞的出现,采用HDPCVD(高密度等离子体化学气相淀积)的方法来生长中间氧化膜。但是,由于HDPCVD采用的是淀积和溅射相结合的方法,工艺参数调整不当,会对沟槽顶部拐角形貌造成破坏。通过优化工艺参数,使淀积溅射比控制在合理范围,可以实现中间氧化膜膜质良好,又不会对沟槽形貌产生破坏。 展开更多
关键词 集成电路制造 sgt 中间氧化层 HDP
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SGT基因杂合缺失小鼠血液生理生化指标分析
12
作者 顾取良 黄韧 +3 位作者 郐一贺 陈佳园 郑凌云 王丽京 《中国比较医学杂志》 北大核心 2017年第6期22-26,共5页
目的分析SGT基因杂合缺失对不同年龄小鼠血液指标和代谢的影响。方法分别采集10周龄、26周龄SGT基因杂合缺失(SGT^(+/-))小鼠和野生型小鼠眼眶血液,用全自动血细胞分析仪和生化分析仪检测常用血液生理指标和生化指标,进行不同年龄和基... 目的分析SGT基因杂合缺失对不同年龄小鼠血液指标和代谢的影响。方法分别采集10周龄、26周龄SGT基因杂合缺失(SGT^(+/-))小鼠和野生型小鼠眼眶血液,用全自动血细胞分析仪和生化分析仪检测常用血液生理指标和生化指标,进行不同年龄和基因型间统计比较。结果与同基因型低龄小鼠对比,高龄小鼠多项血液生理生化指标均发生增龄性改变。与同龄野生型对照相比,10周龄SGT^(+/-)小鼠大血小板比率降低,未结合型胆红素浓度降低(P<0.05),其余指标均未见统计学差异;26周龄SGT^(+/-)小鼠血小板计数、血小板比容和中性粒细胞计数降低,碱性磷酸酶、未结合型胆红素、胆固醇及甘油三酯等指标改变有统计学意义(P<0.05)。结论SGT基因杂合缺失能够诱发高龄小鼠部分血液、血清生化指标的改变。 展开更多
关键词 sgt 基因缺失 血液学 血液生化
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五味子灵芝片对酒精所致大鼠实验性肝损伤的影响 被引量:2
13
作者 白红光 岳云燕 +3 位作者 董守光 于晓风 王鹏 睢大筼 《人参研究》 2019年第4期2-4,共3页
目的 观察五味子灵芝片对酒精所致大鼠实验性肝损伤的保护作用.方法 50只大鼠随机分为正常组,模型组,五味子灵芝片0.25、0.5、1.0 g/kg组.除正常组给蒸馏水外,其余各组均以56%白酒连续灌胃8周,建立大鼠实验性肝损伤模型,造模同时灌胃给... 目的 观察五味子灵芝片对酒精所致大鼠实验性肝损伤的保护作用.方法 50只大鼠随机分为正常组,模型组,五味子灵芝片0.25、0.5、1.0 g/kg组.除正常组给蒸馏水外,其余各组均以56%白酒连续灌胃8周,建立大鼠实验性肝损伤模型,造模同时灌胃给予五味子灵芝片.8周后各组大鼠水合氯醛麻醉,腹主动脉取血,检测血清总胆固醇(TC)、甘油三脂(TG)、低密度脂蛋白胆固醇(LDL-c)、高密度脂蛋白胆固醇(HDL-c)、肿瘤坏死因子α(TNF-α)和白细胞介素6(IL-6)含量及天门冬氨酸氨基转移酶(AST)和丙氨酸氨基转移酶(ALT)活性.取血后摘取肝脏,电子天平称肝湿重,计算肝脏指数.结果 与正常组比较,模型组大鼠体质量明显降低,肝脏指数增加,血清TC、TG、LDL-c、TNF-α和IL-6含量及AST、ALT活性均明显升高,HDL-c含量明显降低(P<0.05或P<0.01).与模型组比较,五味子灵芝片0.5、1.0 g/kg组均能明显增加大鼠体质量,降低肝脏指数,降低血清TC、TG、LDL-c、TNF-α和IL-6含量及AST、ALT活性,升高HDL-c含量(P<0.05或P<0.01).结论五味子灵芝片对酒精所致大鼠实验性肝损伤具有保护作用,可能通过调节脂质代谢紊乱及对抗炎症损伤实现的. 展开更多
关键词 五味子灵芝片 酒精性肝损伤 脂质代谢 大鼠
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使用TrustSec机制保护网络安全 被引量:1
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作者 许红军 《网络安全和信息化》 2019年第7期133-138,共6页
TrustSec其实是一个比较庞大的安全解决方案,我们熟悉的Dot1X只是其中一种安全技术而已。TrustSec是嵌入到思科的所有设备(如交换机、路由器、WLC、安全设备等)中,在二层或三层中进行安全访问控制。例如,在数据中心中可以通过手工操作... TrustSec其实是一个比较庞大的安全解决方案,我们熟悉的Dot1X只是其中一种安全技术而已。TrustSec是嵌入到思科的所有设备(如交换机、路由器、WLC、安全设备等)中,在二层或三层中进行安全访问控制。例如,在数据中心中可以通过手工操作或动态授权方式,为设备或用户分配对应的SGT(安全组标签)。当其通过数据中心交换机时,交换机就可以基于上述SGT执行访问控制操作,即允许哪个SGT可以通过,哪个SGT禁止通行等。 展开更多
关键词 ASA 防火墙 工具栏 sgt 映射关系 网络安全 TrustSec
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震源对面波群走时和群速度图的影响
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作者 A.L.Levshin M.H.Ritzwoller +1 位作者 J.S.Resovsky 梁静 《世界地震译丛》 2000年第6期56-71,共16页
在大多数地震面波的研究中,观测到的群走时被解释为全部由波沿传播路径产生的时间延迟,并且认为震源效应非常小而可忽略不计。这与观测的震相时间不同,因为对震源相进行校正一般认为是必须做的。一个重要的但尚未解决的问题是宽频带面... 在大多数地震面波的研究中,观测到的群走时被解释为全部由波沿传播路径产生的时间延迟,并且认为震源效应非常小而可忽略不计。这与观测的震相时间不同,因为对震源相进行校正一般认为是必须做的。一个重要的但尚未解决的问题是宽频带面波研究中对震源群走时(SGT)的忽略如何影响测量的群速度曲线和利用观测数据进行层析成像的精度。本文考虑SGT对基阶瑞利波群速度测量的影响,并论述其对周期(10~200s)、震源机制和震源深度的依赖关系。这些参数的变化强烈地影响SGT偏移的幅值和方位角图象,本文将展示这种相关特性的统计性。SGT对于周期小于75s和震源深度小于25km的浅震是可以忽略的。对于较长周期和较深的地震事件,平均的SGT校正在幅值上将大于10s,在大陆尺度的研究中,相当于1%~2%的群速度扰动。估计了在跨越欧亚大陆的瑞利波群速度图象反演中由于未作SGT校正引起的偏差。图象的最大扰动(周期为50s时达到1%~2%,周期为100s时达到5%)出现在射线较稀疏的大陆边缘。根据这些结果,即对邻近的波路径(簇)的统计估计结果,以及SGT校正对地震深度非常敏感的结果,我们的结论是:SGT对群速度层析成像的影响在周期小于75s和浅源地震时是可以忽略不计的。虽然对震源深度大于25km的地震,在较长周期处的校正是明显的,原则上必须进行,但目前矩心矩张量解和群速度测量的固有精度使得这些校正对现今群速度层析成像的研究实际上不是必须的。 展开更多
关键词 地震面波 震源群走时 sgt 群速度图 震源
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一种混合调度协议
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作者 程勋 楼荣生 施伯乐 《计算机科学》 CSCD 北大核心 1994年第6期43-47,51,共6页
一、前言调度器(Soheduler)是分布式数据库中事务并发控制的一部分,它接收事务管理器(TM)发来的操作,实现操作序列的可串行化。根据串行化理论的计算经历论LlJ,经历H是可串行化的当且仅当H的串行图SG(H)是无环的。
关键词 分布式数据库 混合调度 协议 数据库
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中间偃麦草SGT1基因的克隆及其抗病功能的分析 被引量:18
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作者 王凯 杜丽璞 +6 位作者 张增艳 廖勇 徐惠君 姚乌兰 杨昆 邵艳军 辛志勇 《作物学报》 CAS CSCD 北大核心 2008年第3期520-525,共6页
为了探索中间偃麦草SGT1基因在小麦抗病反应中的应用潜力,采用RT-PCR和RACE方法克隆出中间偃麦草SGT1基因,命名为TiSGT1。该基因编码蛋白具有SGT1蛋白典型的功能域结构,与大麦SGT1序列高度同源。通过基因重组技术构建了TiSGT1的高效组... 为了探索中间偃麦草SGT1基因在小麦抗病反应中的应用潜力,采用RT-PCR和RACE方法克隆出中间偃麦草SGT1基因,命名为TiSGT1。该基因编码蛋白具有SGT1蛋白典型的功能域结构,与大麦SGT1序列高度同源。通过基因重组技术构建了TiSGT1的高效组成型表达载体,通过基因枪法将该载体转化到小麦品种扬麦12基因组中。对转基因植株PCR、Southern杂交与RT-PCR分析表明,TiSGT1基因可在T0、T1和T2代转基因小麦中遗传和表达。黄矮病、白粉病抗性鉴定结果表明,SGT1的超量表达可以提高小麦对黄矮病、白粉病的抗性,TiSGT1可以作为小麦广谱抗病性改良的潜在基因资源。 展开更多
关键词 中间偃麦草 白粉病 sgt1 基因克隆 小麦 抗病性鉴定
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基于谱图理论的居民用户非侵入式负荷分解 被引量:17
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作者 彭显刚 郑凯 +2 位作者 林哲昊 朱俊超 李壮茂 《电网技术》 EI CSCD 北大核心 2018年第8期2674-2680,共7页
针对现有居民用户非侵入式负荷分解需要高频采集数据或大量训练样本的问题,提出了一种基于谱图理论的非侵入式负荷分解方法。首先,以用户总负荷采样信号的相邻采样点差值来建立图结构,同时通过对用电设备信号采样点差值的分类来定义用... 针对现有居民用户非侵入式负荷分解需要高频采集数据或大量训练样本的问题,提出了一种基于谱图理论的非侵入式负荷分解方法。首先,以用户总负荷采样信号的相邻采样点差值来建立图结构,同时通过对用电设备信号采样点差值的分类来定义用电设备的图信号;然后,通过图拉普拉斯变换得到的图信号全局平滑度函数来实现用电设备图信号未知部分的重构。在用电设备时序信号的重构过程中采用了模糊规整方法来解决采样信号平滑性所导致的重构图信号数值的非标准化问题;对重构的用电设备图信号中相邻非零值间所对应的同时段负荷时序信号值赋以该用电设备的对应状态数据,从而实现用电设备时序信号的重构。最后采用AMPds数据集进行了仿真实验,结果表明所提方法有效且实用,能够在较低采样频率和先验信息较少的条件下实现较高精度的负荷分解。 展开更多
关键词 非侵入式负荷分解 谱图理论 图拉普拉斯变换 信号恢复
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基于SGT分布族的GAS波动模型及其在VaR预测中的应用 被引量:13
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作者 姚萍 王杰 +1 位作者 杨爱军 林金官 《数理统计与管理》 CSSCI 北大核心 2020年第5期884-892,共9页
本文构建了基于偏斜广义t (SGT)分布的广义自回归得分(GAS)波动模型,并运用滚动预测方法计算多头头寸和空头头寸的VaR,同时为分析不同模型的样本外VaR预测效果,我们利用Kupiec和Christoffersen的方法来对VaR预测结果进行返回检验.以上... 本文构建了基于偏斜广义t (SGT)分布的广义自回归得分(GAS)波动模型,并运用滚动预测方法计算多头头寸和空头头寸的VaR,同时为分析不同模型的样本外VaR预测效果,我们利用Kupiec和Christoffersen的方法来对VaR预测结果进行返回检验.以上证十大行业指数为例进行实证分析,研究结果表明:SGT分布族中能够灵活地刻画肥尾和偏斜特征的三种分布(ST、SGED、SGT)在VaR预测中具有优越性.综合考虑VaR预测效果与计算负担,基于ST分布的GAS波动模型是一个相对合理的选择. 展开更多
关键词 sgt分布 GAS波动模型 得分函数 VaR预测
原文传递
SGT5-2000E(LC)IGCC燃气轮机结构介绍 被引量:13
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作者 黄志慧 崔耀欣 《热力透平》 2009年第2期118-121,共4页
简要介绍整体煤气化联合循环(IGCC)发电技术,并通过对燃用中低热值合成煤气的燃机会发生的一些特殊问题进行分析,重点介绍西门子用于整体煤气化联合循环(IGCC)的E级SGT5-2000E(LC)燃气轮机是如何通过本体结构设计上改进,使原燃烧天然气... 简要介绍整体煤气化联合循环(IGCC)发电技术,并通过对燃用中低热值合成煤气的燃机会发生的一些特殊问题进行分析,重点介绍西门子用于整体煤气化联合循环(IGCC)的E级SGT5-2000E(LC)燃气轮机是如何通过本体结构设计上改进,使原燃烧天然气的燃气轮机可以高效地燃烧合成煤气。 展开更多
关键词 IGCC sgt5-2000E(LC)燃气轮机 结构改进
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