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PVD A1膜制备及其在PtSi SBIR-CCD中的应用
被引量：
1
1
作者
石明金
《半导体光电》
CAS
1987年第2期-,共5页
本文重点讨论PVD高纯Al膜制备工艺参数的选择和特性,接着介绍其应用和存在的问题及解决的方法。
关键词
Al
SI
AI
PVD
A1
PtSi
sbir
-
ccd
膜制备
下载PDF
职称材料
硅肖特基势垒红外CCD器件
2
作者
木股雅章
黄智伟
《红外》
CAS
1990年第3期38-41,共4页
关键词
探测器
红外
sbir
-
ccd
下载PDF
职称材料
题名
PVD A1膜制备及其在PtSi SBIR-CCD中的应用
被引量：
1
1
作者
石明金
机构
重庆光电技术研究所
出处
《半导体光电》
CAS
1987年第2期-,共5页
文摘
本文重点讨论PVD高纯Al膜制备工艺参数的选择和特性,接着介绍其应用和存在的问题及解决的方法。
关键词
Al
SI
AI
PVD
A1
PtSi
sbir
-
ccd
膜制备
分类号
TN2 [电子电信—物理电子学]
下载PDF
职称材料
题名
硅肖特基势垒红外CCD器件
2
作者
木股雅章
黄智伟
出处
《红外》
CAS
1990年第3期38-41,共4页
关键词
探测器
红外
sbir
-
ccd
分类号
TN215 [电子电信—物理电子学]
下载PDF
职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
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1
PVD A1膜制备及其在PtSi SBIR-CCD中的应用
石明金
《半导体光电》
CAS
1987
1
下载PDF
职称材料
2
硅肖特基势垒红外CCD器件
木股雅章
黄智伟
《红外》
CAS
1990
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职称材料
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