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Ru_2Si_3电子结构及光学性质的第一性原理计算 被引量：7
1
作者 崔冬萌 谢泉 +2 位作者 陈茜 赵凤娟 李旭珍 《中国科学（G辑）》 CSCD 北大核心 2009年第10期1431-1438,共8页
采用基于第一性原理的密度泛函理论赝势平面波方法系统地计算了正交相Ru2Si3的电子结构、态密度和光学性质,计算结果表明Ru2Si3是一种直接带隙半导体,禁带宽度为0.51eV;其能态密度主要由Ru的4d层电子和Si的3p层电子的能态密度决定;静态... 采用基于第一性原理的密度泛函理论赝势平面波方法系统地计算了正交相Ru2Si3的电子结构、态密度和光学性质,计算结果表明Ru2Si3是一种直接带隙半导体,禁带宽度为0.51eV;其能态密度主要由Ru的4d层电子和Si的3p层电子的能态密度决定;静态介电函数ε1(0)=16.83;折射率n0=4.1025;吸收系数最大峰值为2.8×105cm-1;并利用计算的能带结构和态密度分析了Ru2Si3材料的介电函数、反射谱、折射率以及消光系数等光学性质,为Ru2Si3光电材料的设计与应用提供了理论依据. 展开更多
关键词 ru2si3 第一性原理 电子结构 光学性质
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Ru_2Si_3在应力作用下的第一性原理研究 被引量：6
2
作者 崔冬萌 贾锐 +1 位作者 谢泉 赵珂杰 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2011年第9期907-912,共6页
采用基于第一性原理的密度泛函理论(Density functional theory)赝势平面波方法,对应力下Ru2Si3的电子结构和光学性质进行了理论计算和比较。计算结果表明:随着正应力的逐渐增大,导带向高能方向移动,带隙Eg明显展宽;随着负应力的逐渐增... 采用基于第一性原理的密度泛函理论(Density functional theory)赝势平面波方法,对应力下Ru2Si3的电子结构和光学性质进行了理论计算和比较。计算结果表明:随着正应力的逐渐增大,导带向高能方向移动,带隙Eg明显展宽;随着负应力的逐渐增大,带隙缓慢减小并且始终为直接带隙。光学性质曲线随着负应力的不断减小至正应力的不断增大都向高能方向漂移。 展开更多
关键词 ru2si3 第一性原理 应力 电子结构
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Si(001)面上外延生长的Ru_2Si_3电子结构及光学性质研究 被引量：4
3
作者 崔冬萌 谢泉 +2 位作者 陈茜 赵凤娟 李旭珍 《光学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2009年第11期3152-3156,共5页
基于第一性原理的赝势平面波方法,对异质外延关系为Ru2Si3(100)//Si(001),取向关系为Ru2Si3[010]//Si[110]正交相的Ru2Si3平衡体系下能带结构、态密度和光学性质等进行了理论计算。计算结果表明:当1.087 nm≤a≤1.099 nm时,正交相Ru2Si... 基于第一性原理的赝势平面波方法,对异质外延关系为Ru2Si3(100)//Si(001),取向关系为Ru2Si3[010]//Si[110]正交相的Ru2Si3平衡体系下能带结构、态密度和光学性质等进行了理论计算。计算结果表明:当1.087 nm≤a≤1.099 nm时,正交相Ru2Si3的带隙值随着晶格常数a取值的增大而增大。当a取值为1.093 nm时,体系处于稳定状态,此时Ru2Si3是具有带隙值为0.773 eV的直接带隙半导体。Ru2Si3价带主要是由Si的3p,3s态电子及Ru 4d态电子构成;导带主要由Ru的4d及Si的3p态电子构成。外延稳定态及其附近各点处Ru2Si3介电函数的实部和虚部变化趋势基本一致,但外延稳定态Ru2Si3介电函数的曲线相对往低能区漂移,出现的介电峰减少且峰的强度明显增强。 展开更多
关键词 光学材料 ru2si3 第一性原理 外延 电子结构 光学性质
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应力作用下Ru_2Si_3的光学性质
4
作者 李永超 《榆林学院学报》 2013年第6期15-18,共4页
采用赝势平面波法(源自第一性原理的密度泛函理论),计算了Ru2Si3在不同外压(-20GPa、0GPa、20Gpa)作用下的吸收谱、光电导谱、反射谱及能量损失函数,对Ru2Si3在外压作用下的光学性质进行了理论研究。计算结果表明:随着压力由负压变化至... 采用赝势平面波法(源自第一性原理的密度泛函理论),计算了Ru2Si3在不同外压(-20GPa、0GPa、20Gpa)作用下的吸收谱、光电导谱、反射谱及能量损失函数,对Ru2Si3在外压作用下的光学性质进行了理论研究。计算结果表明:随着压力由负压变化至正压,Ru2Si3对光的吸收性能增强,反射特性减弱。这一特性将有利于Ru2Si3材料在光电子领域中的应用。 展开更多
关键词 第一性原理 ru2si3 光学性质
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Rh掺杂的Ru_2Si_3的电子结构及光学性质 被引量：2
5
作者 崔冬萌 贾锐 +1 位作者 谢泉 赵珂杰 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2012年第9期960-965,共6页
采用基于密度泛函理论的第一性原理赝势平面波计算方法,结合广义梯度近似(GGA)对Ru2Si3掺Rh原子的电子结构和光学性质进行了研究,计算结果表明:掺入Rh原子使得Ru2Si3的晶胞体积有所增大,Rh替换RuⅢ位的Ru原子使得体系处于稳定态,导电类... 采用基于密度泛函理论的第一性原理赝势平面波计算方法,结合广义梯度近似(GGA)对Ru2Si3掺Rh原子的电子结构和光学性质进行了研究,计算结果表明:掺入Rh原子使得Ru2Si3的晶胞体积有所增大,Rh替换RuⅢ位的Ru原子使得体系处于稳定态,导电类型变为n型,静态介电函数值为ε1(0)=25.201 4,折射率n0的值有所增大为5.02。 展开更多
关键词 掺杂ru2si3 电子结构 光学性质 第一性原理
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Ru_(0.9375)Mn_(0.0625)Si_3的电子结构及光学性质研究
6
作者 崔冬萌 贾锐 +1 位作者 谢泉 赵珂杰 《稀有金属材料与工程》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2012年第10期1775-1779,共5页
采用基于密度泛函理论的第一性原理赝势平面波计算方法,结合广义梯度近似(GGA)对Ru2Si3掺入Mn的电子结构和光学性质进行了研究。计算结果表明:掺入这种杂质使得Ru2Si3的晶胞体积均有所增大。Ru2Si3中掺入Mn时,Mn原子替换RuI位的Ru原子... 采用基于密度泛函理论的第一性原理赝势平面波计算方法,结合广义梯度近似(GGA)对Ru2Si3掺入Mn的电子结构和光学性质进行了研究。计算结果表明:掺入这种杂质使得Ru2Si3的晶胞体积均有所增大。Ru2Si3中掺入Mn时,Mn原子替换RuI位的Ru原子使得体系处于稳定态,导电类型变为p型,静态介电函数1(0)非常大,同时折射率n0的值变化较大,达到了17.722。 展开更多
关键词 掺杂ru2si3 电子结构 光学性质 第一性原理
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