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光刻过程RtR控制方法研究进展分析 被引量：1
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作者 王亮 胡静涛 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2011年第3期199-205,共7页
首先对光刻过程和RtR(Run-to-Run)控制技术的产生背景进行了介绍,对统计过程控制的不足进行了分析并给出了RtR控制器的一般结构。然后从过程建模和控制算法两个角度对三种主要的光刻过程RtR控制器EWMA,MPC和ANN进行了综述和评价,对这三... 首先对光刻过程和RtR(Run-to-Run)控制技术的产生背景进行了介绍,对统计过程控制的不足进行了分析并给出了RtR控制器的一般结构。然后从过程建模和控制算法两个角度对三种主要的光刻过程RtR控制器EWMA,MPC和ANN进行了综述和评价,对这三种控制器在非线性控制、单变量控制、多变量控制的适用性和优化控制效果进行了比较分析。最后指出基于MPC的非线性多变量控制器将成为光刻过程RtR控制器的主要研究方向。 展开更多
关键词 半导体制造 光刻过程 rtr控制 过程控制 模型预测控制
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