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快速热氮化超薄SiO_2膜特性的研究 被引量：6
1
作者 王永顺 熊大菁 李志坚 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 1990年第8期627-634,共8页
本文主要研究了超薄快速热氮化(Rapid Thermal Nitridation)SiO_2膜在高电场下的电特性和抗辐照特性,采用AES和XPS等技术分析了RTN SiO_2膜的成份和结构。与同厚SiO_2膜相比,RTN SiO_2膜具有许多明显的优点,在同样条件下,当电场强度E≈1... 本文主要研究了超薄快速热氮化(Rapid Thermal Nitridation)SiO_2膜在高电场下的电特性和抗辐照特性,采用AES和XPS等技术分析了RTN SiO_2膜的成份和结构。与同厚SiO_2膜相比,RTN SiO_2膜具有许多明显的优点,在同样条件下,当电场强度E≈1.5×10~7V/cm时,击穿时间t_(bd)比SiO_2的约高两个量级;在经过剂量高达10~7rad的Co^(60)辐照后,SiO_2膜的界面态密度及漏电流均增大1—2个量级,而RTN SiO_2膜的变化非常小。 展开更多
关键词 SIO2膜 热氮化 电子陷阱 击穿时间
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超大规模集成电路快速热处理技术 被引量：3
2
作者 钱佩信 侯东彦 +1 位作者 林惠旺 徐立 《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1992年第11期1-11,共11页
本文介绍了快速热处理技术的研究成果.包括:RHT设备,高剂量注入硅的RTA机理与最佳RTA条件选择,以及浅PN结制造,硅化物形成,BPSG回流和薄氧化层的快速氮化等RTP技术.
关键词 集成电路 热处理 退火
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用快速热工艺氮化超薄SiO_2膜的研究 被引量：1
3
作者 冯文修 陈蒲生 黄世平 《华南理工大学学报（自然科学版）》 EI CAS CSCD 1995年第12期121-126,共6页
将热生长的超薄（４～２３ｎｍ）ＳｉＯ２置于用卤素钨灯作辐射热源的快速热工艺（ＲＴＰ）系统中，用快速热氮化（ＲＴＮ）工艺制备了超薄的ＳｉＯｘＮｙ膜。研究表明，设定温度是工艺的关键。研究ＲＴＮ过程的化学皮应和动力学与温度... 将热生长的超薄（４～２３ｎｍ）ＳｉＯ２置于用卤素钨灯作辐射热源的快速热工艺（ＲＴＰ）系统中，用快速热氮化（ＲＴＮ）工艺制备了超薄的ＳｉＯｘＮｙ膜。研究表明，设定温度是工艺的关键。研究ＲＴＮ过程的化学皮应和动力学与温度关系及其对氮化质量的影响，比较各种不同条件ＲＴＮ制备的ＳｉＯｘＮｙ膜的ＡＥＳ测量的结果，得到ＲＴＮ反应的临界温度约为９００℃，初步揭示了灯热ＲＴＮ超薄ＳｉＯ２生长动力学的氮／氧替代的微观过程。 展开更多
关键词 热氮化 二氧化硅 氮化反应 薄膜 快速热工艺
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电子从不同晶向Si隧穿快速热氮化SiO_2膜的电流增强及模型解释 被引量：1
4
作者 冯文修 陈蒲生 +1 位作者 田浦延 刘剑 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2001年第11期1411-1415,共5页
用卤素钨灯作辐射热源快速热氮化 (RTN) 10 nm Si O2 膜 ,制备了〈10 0〉和〈111〉晶向 Si衬底上的 Si- Si Ox Ny-Al电容结构 .研究了电子从〈10 0〉和〈111〉不同晶向 N型硅积累层到 RTN后 Si O2 膜 (或原始 Si O2 膜 )的漏电流和高场 ... 用卤素钨灯作辐射热源快速热氮化 (RTN) 10 nm Si O2 膜 ,制备了〈10 0〉和〈111〉晶向 Si衬底上的 Si- Si Ox Ny-Al电容结构 .研究了电子从〈10 0〉和〈111〉不同晶向 N型硅积累层到 RTN后 Si O2 膜 (或原始 Si O2 膜 )的漏电流和高场 F- N隧穿电流 .研究结果表明 :经 RTN Si O2 膜比原始 Si O2 膜从低场到隧穿电场范围都明显地看到电导增强现象 .比较 RTN后两种不同晶向样品 ,低场漏电流没有多大的差别而在高场从〈10 0〉晶向比从〈111〉晶向 Si隧穿Si Ox Ny 膜的 F- N电流却明显增加 。 展开更多
关键词 电子隧穿 快速热氮化 晶向硅 薄膜 二氧化碳 模型解释
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从n型硅到RTN超薄SiO_2膜的电流传输特性
5
作者 冯文修 张恒 +1 位作者 陈蒲生 田浦延 《华南理工大学学报（自然科学版）》 EI CAS CSCD 北大核心 2003年第10期51-54,共4页
用卤素钨灯作辐射热源 ,对超薄 (1 0nm )SiO2 膜进行快速热氮化 (RTN) ,制备了SiOxNy 超薄栅介质膜 ,并制作了Al/n Si/SiOxNy/Al结构电容样品 .研究了不同样品中n型Si到快速热氮化超薄SiO2 膜的电流传输特性及其随氮化时间的变化 .结果... 用卤素钨灯作辐射热源 ,对超薄 (1 0nm )SiO2 膜进行快速热氮化 (RTN) ,制备了SiOxNy 超薄栅介质膜 ,并制作了Al/n Si/SiOxNy/Al结构电容样品 .研究了不同样品中n型Si到快速热氮化超薄SiO2 膜的电流传输特性及其随氮化时间的变化 .结果表明 :低场时的漏电流很小 ;进入隧穿电场时 ,I E曲线遵循Fowler Nordheim (F N)规律 ;在更高的电场时 ,主要出现两种情形 ,其一是I E曲线一直遵循F N规律直至介质膜发生击穿 ,其二是I E曲线下移 ,偏离F N关系 ,直至介质膜发生击穿 .研究表明 ,I E曲线随氮化时间增加而上移 . 展开更多
关键词 快速热氮化 超薄SiO2膜 电流传输特性
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电子从〈100〉和〈111〉晶向硅隧穿超薄快速热氮化SiO_2 膜(英文)
6
作者 冯文修 田浦延 +1 位作者 陈蒲生 刘剑 《华南理工大学学报（自然科学版）》 EI CAS CSCD 北大核心 2001年第3期13-17,共5页
用卤素 -钨灯作辐射热源快速热氮化 (RTN) ,在〈10 0〉和〈111〉晶向Si衬底上制备了Si_SiOxNy_Al电容 ,并测量了由低场到F_N隧穿电场范围的电子从N型Si积累层到超薄SiOxNy 膜的电流传输特性 .测量结果说明 ,两种不同晶向的低场漏电流没... 用卤素 -钨灯作辐射热源快速热氮化 (RTN) ,在〈10 0〉和〈111〉晶向Si衬底上制备了Si_SiOxNy_Al电容 ,并测量了由低场到F_N隧穿电场范围的电子从N型Si积累层到超薄SiOxNy 膜的电流传输特性 .测量结果说明 ,两种不同晶向的低场漏电流没有多大区别 ,而在高场范围对〈10 0〉晶向电容结构的F_N隧穿电流要比〈111〉晶向电容结构的F_N隧穿电流显著增加 。 展开更多
关键词 电子隧穿 快速热氮化 晶向硅 超薄二氧化硅膜 遂穿电流 电流传输特性
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关于NO氮化SiO_2超薄栅介质膜的研究 被引量：1
7
作者 熊大菁 项雪松 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 1999年第1期46-51,共6页
研究了采用ＮＯ快速热氮化ＳｉＯ２膜的方法制备超薄栅介质膜，并初步制备出约５ｎｍ超薄栅的ＭＯＳ电容和约６ｎｍ超薄栅的ＮＭＯＳＦＥＴ，ＮＯ氮化改善了超薄ＳｉＯ２膜的性能。
关键词 热氮化 一氧化氮 二氧化硅 超薄栅介质膜
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