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铁掺杂四方、三方两相共存PZN-PZT陶瓷的Raman散射分析 被引量:4
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作者 路朋献 邹文俊 +5 位作者 许德合 马秋花 朱满康 侯永改 栗政新 王春华 《光散射学报》 2007年第1期23-29,共7页
Raman散射常用于研究温度变化时铁电体的各种相变,如铁电-顺电相变等,但是,利用Raman散射研究掺杂诱导的相变并不常见。本文采用Raman散射研究了铁掺杂Pb(Zn1/3Nb2/3)0.2(Zr0.5Ti0.5)0.8O3(PZN-PZT)铁电陶瓷中三方-四方共存现象。通过... Raman散射常用于研究温度变化时铁电体的各种相变,如铁电-顺电相变等,但是,利用Raman散射研究掺杂诱导的相变并不常见。本文采用Raman散射研究了铁掺杂Pb(Zn1/3Nb2/3)0.2(Zr0.5Ti0.5)0.8O3(PZN-PZT)铁电陶瓷中三方-四方共存现象。通过分析四方相E(3TO)和A1(3TO)模式与三方相Rl模式,确定了铁掺杂对PZN-PZT陶瓷中三方-四方共存结构的影响。这一结果,得到了XRD相分析的验证。因此,通过对Raman散射中三方-四方振动模式的分析,可以表征掺杂诱导的PZT基陶瓷中三方-四方相结构变化趋势。 展开更多
关键词 raman分析 PZN—PZT 铁掺杂 XRD分析
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铁掺杂0.2PZN-0.8PZT铁电陶瓷Raman散射研究 被引量:2
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作者 路朋献 朱满康 +3 位作者 侯育冬 宋雪梅 汪浩 严辉 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2006年第3期633-639,共7页
采用Raman散射方法研究了铁掺杂Pb(Zn1/3Nb2/3)0.2(Zr0.5Ti0.5)0.8O3(0.2PZN- 0.8PZT)铁电陶瓷中三方-四方共存现象.通过分析四方相E(3TO)和A1(3TO)模式与三方相 R1模式之间的相对强度,以及四方相E(3LO)和A1(3LO)模式与三方相R... 采用Raman散射方法研究了铁掺杂Pb(Zn1/3Nb2/3)0.2(Zr0.5Ti0.5)0.8O3(0.2PZN- 0.8PZT)铁电陶瓷中三方-四方共存现象.通过分析四方相E(3TO)和A1(3TO)模式与三方相 R1模式之间的相对强度,以及四方相E(3LO)和A1(3LO)模式与三方相Rh模式之间的相对强度,确定了铁掺杂对0.2PZN-0.8PZT陶瓷中三方-四方共存结构的影响,并得到了XRD相分析的验证.因此,通过分解Raman散射中三方-四方振动模式,可以表征掺杂对PZT基陶瓷中三方-四方共存现象的变化趋势. 展开更多
关键词 raman分析 PZT相变 铁掺杂 XRD分析
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钛合金氧化膜的XRD和Raman分析 被引量:2
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作者 鲍军委 祖小涛 +3 位作者 王治国 黄新全 李燕伶 封向东 《四川大学学报(自然科学版)》 CAS CSCD 北大核心 2004年第5期995-997,共3页
利用XRD及Raman方法,对压强在8.5MPa、温度300℃,pH值为7.0±0.5和pH值为9.0±0.5的水蒸汽环境中氧化1000h和13000h后形成的钛合金氧化膜进行了表面分析.XRD结果表明,氧化1000h后形成的氧化膜主要由锐钛型TiO2组成,而氧化13000... 利用XRD及Raman方法,对压强在8.5MPa、温度300℃,pH值为7.0±0.5和pH值为9.0±0.5的水蒸汽环境中氧化1000h和13000h后形成的钛合金氧化膜进行了表面分析.XRD结果表明,氧化1000h后形成的氧化膜主要由锐钛型TiO2组成,而氧化13000h后形成的氧化膜主要由板钛型TiO2组成.Raman分析结果表明,氧化1000h出现锐钛型TiO2的Ra man振动峰,氧化13000h后Raman振动峰消失.表明随着氧化时间的延长,氧化膜具有从锐钛型TiO2向板钛型TiO2转变的趋势. 展开更多
关键词 钛合金 氧化膜 XRD raman分析
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微波CVD方法在Ar-CO_2-CH_4体系中沉积超纳米金刚石薄膜(英文) 被引量:1
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作者 丰杰 祁尧 +7 位作者 盛景恺 李周 马莉 吴先哲 胡东平 梅军 余志明 魏秋平 《稀有金属材料与工程》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2015年第12期3009-3013,共5页
采用微波CVD系统研究了Ar-CO_2-CH_4气氛中不同工艺条件对超纳米金刚石薄膜形貌的影响。结果表明:以Ar-CO_2-CH_4为反应气源,可制备出晶粒尺寸为20 nm左右、表面粗糙度在16 nm以下,厚度达5μm以上,结构致密的超纳米金刚石薄膜;在Ar-CH_... 采用微波CVD系统研究了Ar-CO_2-CH_4气氛中不同工艺条件对超纳米金刚石薄膜形貌的影响。结果表明:以Ar-CO_2-CH_4为反应气源,可制备出晶粒尺寸为20 nm左右、表面粗糙度在16 nm以下,厚度达5μm以上,结构致密的超纳米金刚石薄膜;在Ar-CH_4组分中添加CO_2可明显提高金刚石膜的沉积速率,但采用该气源组分能够得到致密金刚石膜的气源组成范围很窄。其原因和控制方式有待深入研究。 展开更多
关键词 超纳米金刚石 微波化学气相沉积 raman分析 原子力显微镜 沉积速率
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In含量对Ge-In-Se薄膜光学特性的影响(英文)
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作者 陈芬 王永辉 +4 位作者 聂秋华 王国祥 陈昱 沈祥 戴世勋 《硅酸盐学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2013年第3期388-391,共4页
采用磁控溅射法制备了Ge-In-Se硫系薄膜,利用X射线衍射、可见-近红外吸收光谱和Raman光谱分析等技术对Ge-In-Se硫系薄膜的相态、结构和光学特性进行了研究和分析。结果表明:该Ge-In-Se薄膜具有良好的非晶特性。Raman光谱分析表明:[GeSe4... 采用磁控溅射法制备了Ge-In-Se硫系薄膜,利用X射线衍射、可见-近红外吸收光谱和Raman光谱分析等技术对Ge-In-Se硫系薄膜的相态、结构和光学特性进行了研究和分析。结果表明:该Ge-In-Se薄膜具有良好的非晶特性。Raman光谱分析表明:[GeSe4]四面体Ge—Se键的高频振动模式是该薄膜的主要振动模式之一,且Ge—Se键的振动强度随着In含量的增加而减小;当In的含量达到13.87%(摩尔分数)时,[GeSe4]四面体消失,而[InSe4]四面体的对称伸缩振动模式成为了主要振动模式。采用Swanepoel方法和经典Tauc方程计算发现:随着In含量增加,该薄膜的短波吸收限红移,折射率逐渐增大,光学带隙逐渐减小。 展开更多
关键词 锗-铟-硒薄膜 光学带隙 raman分析
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连续测量——在线Raman分析器改进石化产品的质量
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《流程工业》 2004年第8期60-62,共3页
Rosemount分析器基于Raman的激光技术,在对二甲苯纯化过程中通过减少给料的变化,帮助工厂达到99.7%的产品纯度。本文讲述了如何在生产线中应用Raman分析器。
关键词 流程工业 连续测量技术 raman分析 石化产品 质量检测
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利用强流脉冲离子束技术在室温下沉积类金刚石薄膜研究 被引量:17
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作者 梅显秀 徐军 马腾才 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2002年第8期1875-1880,共6页
利用强流脉冲离子束技术在Si基体上快速大面积沉积类金刚石 (DLC)薄膜 .电压为 2 5 0kV ,束流密度为2 5 0A·cm- 2 ,脉宽为 80— 10 0ns,能流密度为 5J·cm- 2 的离子束 (主要由碳离子和氢离子组成 )聚焦到石墨靶材上 ,使石墨... 利用强流脉冲离子束技术在Si基体上快速大面积沉积类金刚石 (DLC)薄膜 .电压为 2 5 0kV ,束流密度为2 5 0A·cm- 2 ,脉宽为 80— 10 0ns,能流密度为 5J·cm- 2 的离子束 (主要由碳离子和氢离子组成 )聚焦到石墨靶材上 ,使石墨靶材充分蒸发和电离 ,在石墨靶的法线方向的Si基体上沉积非晶的碳薄膜 .Raman谱分析显示 ,所沉积薄膜为类金刚石薄膜 .随着靶材与基体之间距离的减小 ,薄膜中sp3碳成分含量增加 ,同时硬度值也有所增大 ,并且薄膜的摩擦系数和表面粗糙度增加 .x射线光电子能谱 (XPS)分析显示薄膜中的sp3碳含量为 4 0 %左右 .由扫描电子显微镜和原子力显微镜观察得知 ,薄膜表面比较光滑 ,表面的粗糙度不大 .薄膜显微硬度在 2 0— 30GPa之间 ,薄膜的摩擦系数为 0 16— 0 展开更多
关键词 室温 沉积 强流脉冲离子束 类金刚石薄膜 XPS raman分析
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在差应力条件下石英-柯石英转化的实验研究 被引量:9
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作者 周永胜 何昌荣 +2 位作者 宋娟 马胜利 马瑾 《科学通报》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第6期565-570,共6页
在固体介质三轴实验系统中采用石英岩进行了石英-柯石英转化的实验研究. 实验结果表明, 在实验围压1.3 GPa, 温度950~1000℃, 差应力1.5~1.67 GPa, 应变75%~81%的条件下, 在塑性变形的实验样品石英岩接近端部的区域, 经Raman光谱分... 在固体介质三轴实验系统中采用石英岩进行了石英-柯石英转化的实验研究. 实验结果表明, 在实验围压1.3 GPa, 温度950~1000℃, 差应力1.5~1.67 GPa, 应变75%~81%的条件下, 在塑性变形的实验样品石英岩接近端部的区域, 经Raman光谱分析证实出现了细粒柯石英, 显然, 在差应力条件下出现柯石英的压力远小于静压条件下柯石英稳定存在的压力, 这表明柯石英的形成条件不是惟一的. 在差应力条件下石英-柯石英相变边界向低压方向迁移受最大主应力和差应力的控制, 最大主应力形成了相对较高的应力环境, 差应力导致了样品的变形. 本实验柯石英出现在塑性变形的样品中, 而前人报道柯石英既出现在半脆性变形的样品中, 也出现在塑性变形的样品中. 发生在低温半脆性域的相变机制是差应力产生的剪切变形引起力学不稳定, 发生在高温塑性域的相变机制是在差应力环境下石英强烈变形产生的高位错密度引起应变不稳定, 而这两种相变必须在围压大于一定值(如大于1 GPa)时才能发生. 展开更多
关键词 应力条件 柯石英 实验研究 转化 raman光谱分析 塑性变形 应力环境 相变机制 最大主应力 差应力 实验系统 固体介质 实验样品 形成条件 脆性变形 剪切变形 应力产生 位错密度 石英岩 不稳定 应力和 塑性域 围压 应变 压力
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硼砂饱和溶液的差示FTIR光谱和Raman光谱分析 被引量:8
9
作者 郑文捷 刘志宏 陈兴国 《光谱学与光谱分析》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2003年第4期705-707,共3页
记录了硼砂饱和溶液的差示FTIR光谱和Raman光谱 ,分别对其FTIR吸收波数和Raman位移进行了归属。该溶液中硼的存在形式有H3 BO3 ,B(OH) -4,B3 O3 (OH) 2 -5,B4O5(OH) 2 -4等。提出了硼砂饱和溶液中硼氧配阴离子的存在形式及其与析出Na2 B... 记录了硼砂饱和溶液的差示FTIR光谱和Raman光谱 ,分别对其FTIR吸收波数和Raman位移进行了归属。该溶液中硼的存在形式有H3 BO3 ,B(OH) -4,B3 O3 (OH) 2 -5,B4O5(OH) 2 -4等。提出了硼砂饱和溶液中硼氧配阴离子的存在形式及其与析出Na2 B4O7·10H2 O固相的关系。 展开更多
关键词 硼砂 饱和溶液 差示FTIR光谱 raman光谱分析 反应机理 Na2B4O7·10H2O
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PLD法制备纳米类金刚石薄膜及衬底温度的影响 被引量:4
10
作者 欧阳钢 郭建 颜晓红 《光电子.激光》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第12期1456-1459,1463,共5页
利用脉冲激光沉积(PLD)技术在O2氛围下于α Al2O3(0001)基片上制备出纳米类金刚石薄膜。借助扫描电子显微镜(SEM)、原子力显微镜(AFM)和Raman光谱分析了薄膜的形貌和结构随沉积时衬底温度的变化情况。结果表明:随着衬底温度的升高,薄膜... 利用脉冲激光沉积(PLD)技术在O2氛围下于α Al2O3(0001)基片上制备出纳米类金刚石薄膜。借助扫描电子显微镜(SEM)、原子力显微镜(AFM)和Raman光谱分析了薄膜的形貌和结构随沉积时衬底温度的变化情况。结果表明:随着衬底温度的升高,薄膜颗粒尺寸减少;在衬底温度为550℃时,所制备的薄膜均匀、光滑,且大约是由14nm大小的颗粒组成。对薄膜的生长机理作出了分析。 展开更多
关键词 衬底温度 类金刚石薄膜 脉冲激光沉积 raman光谱分析 基片 生长机理 形貌 制备 纳米 Α-AL2O3
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FCVAD合成Ta-C(N)薄膜及其Raman和XPS分析 被引量:3
11
作者 王广甫 张荟星 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2003年第5期535-539,共5页
掺N非晶金刚石Ta-C(N)薄膜是合成β-C3N4研究中出现的一种新型固体薄膜材料,近年来由于其优异的电化学性能受到越来越多的关注。我们用磁过滤阴极真空弧等离子体沉积(FCVAD)方法在不同N2分压下,在Si衬底上合成了Ta-C(N)薄膜。Raman和XP... 掺N非晶金刚石Ta-C(N)薄膜是合成β-C3N4研究中出现的一种新型固体薄膜材料,近年来由于其优异的电化学性能受到越来越多的关注。我们用磁过滤阴极真空弧等离子体沉积(FCVAD)方法在不同N2分压下,在Si衬底上合成了Ta-C(N)薄膜。Raman和XPS分析表明Ta-C:N薄膜中的N主要以C—N的方式与C结合。N2分压越大,N/C原子比越高,最高可达31.1%。但同时sp3键含量越低,并且合成Ta-C:N薄膜的速度越慢。 展开更多
关键词 磁过滤阴极真空弧沉积 掺杂 固体薄膜材料 钽-碳薄膜 氮原子 X射线分析 raman光谱分析
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交联聚乙烯绝缘中电树枝通道的Raman光谱分析 被引量:2
12
作者 史文 曹晓珑 《绝缘材料》 CAS 北大核心 2010年第6期58-61,68,共5页
采用共焦Raman光谱分析法对交联聚乙烯电缆绝缘发生击穿后的通道,以及在试验条件下加18 kV工频电压得到的电树枝的不同生长长度处树枝通道进行化学产物分析,最终获得了击穿通道产物的材料特性、击穿通道处有游离碳的特征峰谱线的存在,... 采用共焦Raman光谱分析法对交联聚乙烯电缆绝缘发生击穿后的通道,以及在试验条件下加18 kV工频电压得到的电树枝的不同生长长度处树枝通道进行化学产物分析,最终获得了击穿通道产物的材料特性、击穿通道处有游离碳的特征峰谱线的存在,并依此判断电力绝缘发生击穿后绝缘材料被碳化,针尖附近亦测到游离碳的存在,但离针尖较远处的谱图上均没有测得碳峰,谱图上均有荧光背景存在,不同生长长度处电树枝通道的谱线含有不同的交联聚乙烯基带峰,表明材料发生裂解,并且随着电树枝的生长其裂解程度不同。 展开更多
关键词 共焦raman光谱分析 交联聚乙烯电缆绝缘 电树枝 化学分析
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Raman spectral research on MPCVD diamond film
13
作者 YANYan ZHANGShulin +2 位作者 ZHAOXinsheng HANYisong HOULi 《Chinese Science Bulletin》 SCIE EI CAS 2003年第23期2562-2563,共2页
Raman spectra of MPCVD diamond film have been studied. Based on the resonance size selection effect, we think that there is no nano-crystalline diamond in the sample and the Raman peak at 1145 cm-1 can not be consider... Raman spectra of MPCVD diamond film have been studied. Based on the resonance size selection effect, we think that there is no nano-crystalline diamond in the sample and the Raman peak at 1145 cm-1 can not be considered as the characteristic peak of nano-crystalline diamond though it has been used as the characteristic peak of nano-crystalline diamond widely for many years. 展开更多
关键词 raman光谱分析 MPCVD 纳米晶体金刚石 微波等离子体蒸发沉积 物理性质 人造金刚石
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用Raman光谱分析镀金层中的碳化合物
14
作者 范宏义 《材料保护》 CAS CSCD 北大核心 2002年第8期65-65,共1页
关键词 raman光谱分析 镀金层 碳化合物
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