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Q波段氮化镓功率放大器芯片
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作者 王海龙 崔亮 《通信电源技术》 2022年第8期66-68,共3页
在GaN高电子迁移率晶体管(High Electron Mobility Transistors,HEMT)工艺的基础上,成功开发设计了一款Q频段功率放大器芯片。电路使用4级级联放大拓扑,每一级均选定了合适的栅宽,结合Wilkinson功率分配及合成匹配网络来满足输出功率、... 在GaN高电子迁移率晶体管(High Electron Mobility Transistors,HEMT)工艺的基础上,成功开发设计了一款Q频段功率放大器芯片。电路使用4级级联放大拓扑,每一级均选定了合适的栅宽,结合Wilkinson功率分配及合成匹配网络来满足输出功率、增益以及功率附加效率(Power Added Efficiency,PAE)等性能指标要求。测试结果表明,该芯片在37~42 GHz频段内的输出功率大于40 dBm,功率附加效率大于30%。 展开更多
关键词 Q波段 射频(rf)功率放大器 功率附加效率(PAE) 微波单片集成电路(MMIC)
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