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用荧光谱研究GaAs:C的辐射复合过程
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作者 吴惠帧 吴建中 +1 位作者 李正直 P.Dawson 《光子学报》 EI CAS CSCD 1997年第12期1097-1101,共5页
本文用荧光时间衰减谱和荧光量子效率测量相结合的方法研究了重掺碳GaAs：C辐射复合特性．GaAs：C是由MOVPE在650℃下生长的，掺杂源采用CBr4在重掺碳条件下，辐射复合寿命的实验结果比1／BP的预期值大．文章讨论了空穴一空穴、空穴－... 本文用荧光时间衰减谱和荧光量子效率测量相结合的方法研究了重掺碳GaAs：C辐射复合特性．GaAs：C是由MOVPE在650℃下生长的，掺杂源采用CBr4在重掺碳条件下，辐射复合寿命的实验结果比1／BP的预期值大．文章讨论了空穴一空穴、空穴－离化杂质原子相互作用对自发发射速率的影响，并对辐射复合常数B作出了修正． 展开更多
关键词 荧光衰减时间 量子效率 辐射复合常数 砷化镓
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