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H_2稀释比对RF-PECVD制备a-Si:H/nc-Si:H薄膜的光电特性的影响 被引量：3
1
作者 程自亮 蒋向东 +2 位作者 王继岷 刘韦颖 连雪艳 《电子器件》 CAS 北大核心 2015年第3期485-488,共4页
研究了H2稀释比对a-Si:H/nc-Si:H薄膜光电特性及微结构的影响。采用RF-PECVD法,以高纯Si H4及H2/Si H4混合气体为反应气源交替反应制备样品,并通过紫外-可见光分光光度计、椭偏仪及Keithley 4200、XRD对样品进行分析测试。实验表明:在... 研究了H2稀释比对a-Si:H/nc-Si:H薄膜光电特性及微结构的影响。采用RF-PECVD法,以高纯Si H4及H2/Si H4混合气体为反应气源交替反应制备样品,并通过紫外-可见光分光光度计、椭偏仪及Keithley 4200、XRD对样品进行分析测试。实验表明:在纳米级厚度的a-Si:H薄膜基础上,随着第二反应气H2/Si H4混合气中H2比率(99%、97%、95%、92%、80%)的升高,沉积速率持续下降,薄膜消光系数、禁带宽度以及电导率呈现先增大后减小的趋势。针对实验现象,结合薄膜生长机理对实验结果原因进行了分析。 展开更多
关键词 a-Si:H/nc-Si:H 氢稀释 rf-pecvd(射频等离子体化学气相沉积) 光电性能 生长机理
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