研制了一种小体积的S频段射频收发系统级封装(SIP)模块,内部集成了基于多种工艺的器件。模块接收通道一次变频,发射通道二次变频,内部集成中频和射频本振信号源。模块采用双腔结构,不同腔体之间通过绝缘子进行垂直互连,大大减小了模块体...研制了一种小体积的S频段射频收发系统级封装(SIP)模块,内部集成了基于多种工艺的器件。模块接收通道一次变频,发射通道二次变频,内部集成中频和射频本振信号源。模块采用双腔结构,不同腔体之间通过绝缘子进行垂直互连,大大减小了模块体积,模块体积为40 mm×40 mm×10 mm。模块采用正向设计,其主要指标的测试结果为:接收通道动态范围-100^-40 d Bm,输出信号0~2 d Bm,噪声系数小于等于2.8 d B,带外抑制大于等于50 d Bc;发射通道输出信号大于等于2d Bm,二次、三次谐波抑制大于等于60 d Bc,杂波抑制大于等于55 d Bc,相位噪声在1 k Hz和10 k Hz处分别小于等于-82 d Bc/Hz和-91 d Bc/Hz。实测结果与仿真结果基本一致。展开更多
文摘研制了一种小体积的S频段射频收发系统级封装(SIP)模块,内部集成了基于多种工艺的器件。模块接收通道一次变频,发射通道二次变频,内部集成中频和射频本振信号源。模块采用双腔结构,不同腔体之间通过绝缘子进行垂直互连,大大减小了模块体积,模块体积为40 mm×40 mm×10 mm。模块采用正向设计,其主要指标的测试结果为:接收通道动态范围-100^-40 d Bm,输出信号0~2 d Bm,噪声系数小于等于2.8 d B,带外抑制大于等于50 d Bc;发射通道输出信号大于等于2d Bm,二次、三次谐波抑制大于等于60 d Bc,杂波抑制大于等于55 d Bc,相位噪声在1 k Hz和10 k Hz处分别小于等于-82 d Bc/Hz和-91 d Bc/Hz。实测结果与仿真结果基本一致。
