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Cu掺杂氧化锌薄膜的发光特性研究 被引量：52
1
作者 朋兴平 兰伟 +2 位作者 谭永胜 佟立国 王印月 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2004年第8期2705-2709,共5页
通过射频反应溅射法在Si(1 1 1 )衬底上制备了不同Cu掺杂量的ZnO薄膜 .室温下测量了样品的光致发光 (PL)谱 ,所有样品的PL谱中均观察到 4 35nm左右的蓝光发光带 ,该发光带的强度与Cu掺杂量和溅射功率有关 .当溅射功率为 1 5 0W ,Cu掺杂... 通过射频反应溅射法在Si(1 1 1 )衬底上制备了不同Cu掺杂量的ZnO薄膜 .室温下测量了样品的光致发光 (PL)谱 ,所有样品的PL谱中均观察到 4 35nm左右的蓝光发光带 ,该发光带的强度与Cu掺杂量和溅射功率有关 .当溅射功率为 1 5 0W ,Cu掺杂量为 2 5 %时 ,ZnO薄膜的PL谱中出现了较强的蓝光双峰 ,而溅射功率为 1 0 0W ,Cu掺杂量为1 5 %时 ,出现了位于 4 37nm(2 84eV)处较强的蓝光峰 ,后者的取向性较好 .还研究了掺杂量和溅射功率对发光特性的影响 。 展开更多
关键词 铜掺杂 氧化锌薄膜 光致发光谱 射频反应共溅射法 氧化物半导体材料
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铝掺杂氧化锌薄膜在玻璃衬底上的RF反应共溅射低温织构生长 被引量：3
2
作者 邵乐喜 张昆辉 黄惠良 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2003年第6期606-611,共6页
以金属锌 ( Zn)和铝 ( Al)为靶材采用射频 ( RF)反应共溅射技术在低温 ( 2 0 0℃ )玻璃衬底上沉积了铝掺杂氧化锌 ( Zn O∶ Al)薄膜 .运用扫描电子显微镜 ( SEM)、能量色散 X射线谱 ( EDX)、表面轮廓仪 (α- Step)、X射线衍射( XRD)和... 以金属锌 ( Zn)和铝 ( Al)为靶材采用射频 ( RF)反应共溅射技术在低温 ( 2 0 0℃ )玻璃衬底上沉积了铝掺杂氧化锌 ( Zn O∶ Al)薄膜 .运用扫描电子显微镜 ( SEM)、能量色散 X射线谱 ( EDX)、表面轮廓仪 (α- Step)、X射线衍射( XRD)和双光束紫外 -可见光谱仪 ( U V- VIS)等分别对沉积样品的表面和断面的形貌结构、组成成分和光学特性进行了分析表征 .研究了反应气体氧与氩流量比 ( O2 / Ar)和 RF溅射功率对沉积样品的生长速率、结构特征和光电学性质的影响 .结果表明 ,薄膜的成长速率强烈依赖于 RF溅射功率 ,而薄膜的结构形貌和成分的化学配比则主要由反应气体流量比 O2 / Ar决定 .通过对沉积参数的优化但未经退火处理 ,得到了六角纤锌矿结构单一 ( 0 0 0 2 )结晶方向的 Zn O∶ Al薄膜 ,其可见光透过率达 85 % ,电阻率在 10 - 1 ～ 10 3Ω· cm之间 .实验发展的低温 RF共溅射技术不仅具有造价低廉、工艺简单可靠和材料来源广泛等特点 ,而且还能有效防止器件底层材料间的互扩散 ,沉积薄膜的性能基本符合光电器件涂层特别是薄膜太阳电池窗口层应用的要求 。 展开更多
关键词 铝掺杂氧化锌(ZnO:Al)薄膜 射频(rf)反应共溅射 织构 低温沉积 未退火
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用射频溅射技术在硅衬底上制备In掺杂ZnO薄膜 被引量：4
3
作者 朋兴平 谭永胜 +2 位作者 方泽波 杨映虎 王印月 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第6期701-704,共4页
以金属锌(Zn)和金属铟(In)为靶材采用射频反应共溅射技术在硅(100)衬底上沉积了In掺杂ZnO薄膜。用X射线衍射仪、扫描电子显微镜(SEM)、热探针、四探针和荧光分光光度计分别对样品的结构、表面形貌、导电类型、电阻率和发光特性进行了分... 以金属锌(Zn)和金属铟(In)为靶材采用射频反应共溅射技术在硅(100)衬底上沉积了In掺杂ZnO薄膜。用X射线衍射仪、扫描电子显微镜(SEM)、热探针、四探针和荧光分光光度计分别对样品的结构、表面形貌、导电类型、电阻率和发光特性进行了分析表征。测试结果表明,实验中制备出的ZnO薄膜具有高度的c轴择优取向和小压应力(0.74GPa),薄膜表面平整。样品为n型导电,电阻率为1.6Ω·cm。在室温光致发光谱测量中,首次观察到位于415～433nm的强的蓝紫光双峰发射,发光双峰的半峰全宽约为400meV。讨论了In掺杂对薄膜发光特性的影响。 展开更多
关键词 氧化锌薄膜 In掺杂 光致发光谱 射频反应共溅射
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In掺杂ZnO薄膜的制备及结构特性研究 被引量：1
4
作者 朋兴平 杨映虎 +2 位作者 季涛 方泽波 王印月 《兰州大学学报（自然科学版）》 CAS CSCD 北大核心 2005年第1期82-85,共4页
通过射频反应共溅射法在硅衬底上制备了不同In掺杂量的ZnO薄膜,表征了薄膜的结构和表面形貌,研究了In掺杂量对znO薄膜的结构特性的影响.掠角X射线衍射分析结果表明制备的样品为ZnO薄膜,θ-2θ X射线衍射分析结果表明样品具有小的应力和... 通过射频反应共溅射法在硅衬底上制备了不同In掺杂量的ZnO薄膜,表征了薄膜的结构和表面形貌,研究了In掺杂量对znO薄膜的结构特性的影响.掠角X射线衍射分析结果表明制备的样品为ZnO薄膜,θ-2θ X射线衍射分析结果表明样品具有小的应力和C轴择优取向;原子力显微镜测试结果表明样品的颗粒大小和应力同其(002)衍射峰强度有关.薄膜具有较低的电阻率(10-1-100Ω·cm).当In掺杂量为3％时,样品的(002)衍射峰强度最高、压应力较小(7.3x108N/m2). 展开更多
关键词 ZNO薄膜 In掺杂 射频反应共溅射 结构
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