题名 大功率GaAs MESFET 非线性模型的选择
1
作者
杨晓平 刘佑宝
机构
西安微电子学研究所
出处
《微电子学与计算机》
CSCD
北大核心
1998年第2期1-5,共5页
文摘
对Curtic准静态、Materka、Statz以及修正Curtic－Rodriguez四种非线性模型进行比较，通过分析各种模型DC、CV、RF特性，发现修正的Curtic-Rodriguez模型精度最好，适用的偏置范围最宽，是大功率MESFET非线性模型的理想选择。
关键词
MESFET 非线性模 砷化镓 大功率
Keywords
Model, Nonlinear, DC character ,CV character , rf character
分类号
TN386
[电子电信—物理电子学]
题名 机载天线辐射与散射对射频特征的影响
被引量：1
2
作者
艾俊强 芮锡
机构
中国航空工业集团公司第一飞机设计研究院 中国西南电子技术研究所
出处
《电讯技术》
北大核心
2014年第12期1669-1673,共5页
文摘
机载天线除了对其自身工作辐射性能有要求外,还对其散射性能提出了高要求。由于飞机平台外形及材料具有不同的特性,导致天线在装机后产生不同程度的辐射畸变,从而影响传感器的辐射性能,直接影响其通信、探测、干扰等功能。同时从散射角度看,由于空间角域电磁辐射能量分布发生变化,导致其散射性能也发生变化。通过精确分析典型模型的天线辐射畸变、散射特性及有源对消等问题,分析了辐射畸变、散射及对消对机载平台射频特征的影响,最后提出了发展建议,对于机载天线工程设计具有很好的参考价值。
关键词
机载天线 电磁辐射与散射 有源对消 畸变 射频特征
Keywords
airborne antenna electromagnetic radiation and scattering active cancellation distortion rf character
分类号
TN820
[电子电信—信息与通信工程]
题名 绝缘体上硅射频LDMOS的大信号模型研究
3
作者
陈卫军 张海鹏 吕韶义
机构
杭州电子科技大学系统集成研究所
出处
《杭州电子科技大学学报（自然科学版）》
2009年第3期8-11,共4页
基金
863计划资助项目(AA09Z239)
文摘
射频功率器件对整个射频放大电路的性能起到决定性的影响。而这类器件依然没有精确、统一的电路模型。因此,基于分支电路模型建立了一种新型SOI LDMOS的大信号电路模型。该模型是一个非线性电路模型,包括了对直流特性的模拟、S参数的模拟,以及其他有关参数的提取。仿真结果表明该模型能比较精确的模拟RF SOI LDMOS器件的直流特性以及频率特性,所以可以利用这个电路模型辅助射频功率放大器设计,为前端设计的电路仿真提供模型的支持。
关键词
射频横向双扩散场效应管 模型 直流特性 散射参数
Keywords
rf LDMOS model DC character S-parameter
分类号
TN386
[电子电信—物理电子学]
题名 (Zr,Al)N薄膜的微结构及性能研究
被引量：5
4
作者
葛云科 顾晓波 喻利花 许俊华
机构
江苏科技大学材料科学与工程学院
出处
《材料开发与应用》
CAS
2008年第1期21-25,37,共6页
基金
国家自然科学基金资助项目(50574044)
文摘
采用射频磁控反应溅射在单晶Si（100）上沉积了一系列不同Al含量的（Zr,Al）N薄膜,利用能谱仪（EDS）、X射线衍射仪（XRD）、扫描电镜（SEM）和微力学探针对薄膜的成分、结构、力学和抗氧化性能进行了表征。研究结果表明,当Al含量在0%～20.31%（原子分数）之间时,薄膜是B1型（NaCl）单相结构;当Al含量为31.82%时,同时出现B1和B4型（ZnS）双相结构。当Al含量超过36.82%时,以B4结构为主。随着铝含量的增加,薄膜晶面间距减小,晶格常数变小。薄膜的力学性能测试表明,适当的Al含量可以提高薄膜的硬度。随着Al含量的增加,薄膜的抗氧化性能得到改善,对于B1型（Zr,Al）N薄膜,其结构稳定性也得到增强。
关键词
(Zr Al)N薄膜 射频磁控反应溅射 结构变化 力学性能 抗氧化性
Keywords
（Zr,Al）N coatings Reactive rf magnetron sputtering Structure change Mechanical properties Oxidation-resistance character
分类号
TB43
[一般工业技术]
题名 射频反应溅射纳米SnO_2薄膜气敏特性研究
被引量：1
5
作者
宋建将 黄世震 林伟 陈伟 黄兆新 陈知前
机构
福州大学气敏传感器研究所
出处
《漳州师范学院学报（自然科学版）》
2004年第1期37-42,共6页
文摘
采用射频反应溅射在瓷管上制备了SnO2气敏薄膜元件,以及用传统方法制备了SnO2厚膜元件.两种元件经测试表现出对乙醇较高的灵敏度,对两种元件进行了性能对比测试.测试表明,无论在灵敏度、响应恢复时间,还是在检测浓度范围上,SnO2气敏薄膜元件都比传统的厚膜元件性能优越.SnO2气敏薄膜元件经过表面修饰,在200×10-6体积浓度下接近30.对薄膜元件加热温度及选择性进行了研究,初步探讨了元件稳定性及其敏感机理.
关键词
射频反应溅射 二氧化锡薄膜 厚膜元件 气敏特性 纳米材料
Keywords
rf reactive sputteringSnO2 thin film gas sensing character
分类号
TN304.21
[电子电信—物理电子学]
TN305.92
题名 多信道广播智能监测系统研究
被引量：1
6
作者
童珉
机构
国家广播电视总局二八一台
出处
《广播与电视技术》
2022年第10期135-137,共3页
文摘
通过分布式多信道接收机对中短波、调频全频段广播信号的不间断监测,应用增强的语音识别智能评估技术,使得广播监测的自动评估、历史追溯、舆情分析有了突破性的进展,也使得广播监测工作向质量监测和内容监管两者融合发展迈进。
关键词
多信道 射频直采 不间断 文字识别 内容监管
Keywords
Multi channel rf direct miningUninterrupted character recognitionContent monitoring
分类号
TN98
[电子电信—信息与通信工程]
题名 RF MEMS器件时变结构电磁特性数值计算方法
7
作者
吴银锋 万江文 冯仁剑
机构
北京邮电大学自动化学院 北京航空航天大学仪器科学与光电工程学院
出处
《电工技术学报》
EI
CSCD
北大核心
2008年第4期1-5,共5页
基金
国家高技术研究发展计划(863计划)专项经费(2006AA01Z222) 北京市自然科学基金(3083024)资助项目
文摘
准确掌握射频微机电(RFMEMS)器件的电磁特性是WSN节点射频收发前端设计可靠与否的关键,为解决RFMEMS器件时变结构的电磁特性数值计算问题,建立了RFMEMS器件垂直运动结构的机电耦合模型,实现了模型的时域离散,在时域有限差分的基础上,提出电(磁)介质参数插值的新思路,详细阐述了线性电(磁)介质参数插值法的基本思想,并推导了一维线性插值的计算公式。仿真实验结果表明,该计算方法具有易实现、速度快、效率高的特点。
关键词
rf MEMS器件 电磁特性 时变结构 线性插值
Keywords
rf MEMS devices, electromagnetic character , time-varying structures, linear interpolation
分类号
TM154.3
[电气工程—电工理论与新技术]
题名 低压射频功放MAX2235的原理及应用
8
作者
李迎春
机构
西安通信学院
出处
《西安邮电学院学报》
2002年第1期60-63,共4页
文摘
介绍了射频功放器件MAX2 2 35的工作原理 ,给出了器件的工作参数 ,在此基础上重点分析了它在 90
关键词
射频功放 效率 升余弦特性 MAX2235 工作原理
Keywords
rf power amplifier efficiency ascending cosine character
分类号
TN722.75
[电子电信—电路与系统]
