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射频前端强电磁脉冲防护研究进展 被引量：12
1
作者 谭志良 李亚南 宋培姣 《北京理工大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2020年第3期231-242,共12页
未来战争条件下,人为产生的强电磁环境的攻击对通信系统构成了重大威胁,其射频前端电路在强电磁脉冲环境条件下,极易出现性能降级和损毁,导致通信系统工作异常甚至完全失效.因此,研究强电磁环境效应以及强电磁脉冲防护理论与方法,对于... 未来战争条件下,人为产生的强电磁环境的攻击对通信系统构成了重大威胁,其射频前端电路在强电磁脉冲环境条件下,极易出现性能降级和损毁,导致通信系统工作异常甚至完全失效.因此,研究强电磁环境效应以及强电磁脉冲防护理论与方法,对于提高通信装备在强电磁环境下的生存能力具有重要的意义.文中阐述和分析了射频前端强电磁脉冲防护的的研究内容,并围绕电磁脉冲效应研究、电磁脉冲防护技术研究、电磁脉冲防护标准与效能评估这3个基本内容,从理论分析、建模仿真和实验评价等角度对现阶段国内外开展的电磁脉冲防护研究工作进行了概述和分析,并对射频前端强电磁防护的研究方向和研究重点进行了展望. 展开更多
关键词 兵器科学与技术 射频前端 电磁脉冲效应 电磁防护 效能评估
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MHz高压脉冲电源的研究
2
作者 丁凯 饶俊峰 《电子科技》 2024年第2期69-75,共7页
针对均匀放电、生物医疗等高频纳秒脉冲的应用需求,文中设计了一款基于射频MOSFET(Metal Oxide-Semiconductor Field Effect Transistor)的高重频高压脉冲电源。脉冲电源的控制信号由FPGA(Field Programmable Gate Array)提供,并通过光... 针对均匀放电、生物医疗等高频纳秒脉冲的应用需求,文中设计了一款基于射频MOSFET(Metal Oxide-Semiconductor Field Effect Transistor)的高重频高压脉冲电源。脉冲电源的控制信号由FPGA(Field Programmable Gate Array)提供,并通过光纤进行传输,经驱动芯片放大后同步触发每一级放电管。驱动芯片采用电源模块隔离供电的方式来提供不同的地电位。放电管采用RCD(Residual Current Device)吸收电路来改善开关时刻的瞬时工况。分析和研究了最后一级隔离电感对放电管电压波形、负载电压波形的影响,并对Marx电路做出了改进。实验结果表明,在1 kΩ纯阻性负载上,该电源可在1 MHz重复频率下输出上升沿为40 ns、半高宽为100 ns以及电压幅值为1.1 kV的纳秒脉冲。实验验证表明该电源能够在高频高压状态下稳定工作,满足设计要求。 展开更多
关键词 MARX发生器 射频MOSFET 脉冲电源 纳秒脉冲 隔离电感 FPGA 脉冲功率技术 1 MHz重频
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脉冲调制信号测量参数的分析计算
3
作者 刘元商 《仪器仪表标准化与计量》 2016年第2期33-35,共3页
随着脉冲调制的射频脉冲技术的广泛应用,对脉冲包络信号的准确测量需要许多参数进行表征。因此,本文首先分析了脉冲包络信号各个参数的定义。然后,从数学角度分析了基于IEEE直方图法的脉冲幅值的计算以及基于最小二乘法的脉冲顶部拟合... 随着脉冲调制的射频脉冲技术的广泛应用,对脉冲包络信号的准确测量需要许多参数进行表征。因此,本文首先分析了脉冲包络信号各个参数的定义。然后,从数学角度分析了基于IEEE直方图法的脉冲幅值的计算以及基于最小二乘法的脉冲顶部拟合直线的计算。最后,将各个脉冲测量参数的计算应用于峰值功率分析仪测量仪器中。实践结果表明,本次设计可以快速、准确地获得脉冲包络信号的测量参数值,可广泛应用于数字通信、导航。 展开更多
关键词 射频脉冲技术 脉冲包络信号 IEEE直方图法 最小二乘法
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