期刊导航
期刊开放获取
cqvip
退出
期刊文献
+
任意字段
题名或关键词
题名
关键词
文摘
作者
第一作者
机构
刊名
分类号
参考文献
作者简介
基金资助
栏目信息
任意字段
题名或关键词
题名
关键词
文摘
作者
第一作者
机构
刊名
分类号
参考文献
作者简介
基金资助
栏目信息
检索
高级检索
期刊导航
共找到
1
篇文章
<
1
>
每页显示
20
50
100
已选择
0
条
导出题录
引用分析
参考文献
引证文献
统计分析
检索结果
已选文献
显示方式：
文摘
详细
列表
相关度排序
被引量排序
时效性排序
0.18μm CMOS工艺10Gb/s VCSEL电压驱动器设计
被引量：
1
1
作者
张玉良
王志功
+1 位作者
苗澎
田玲
《中国集成电路》
2009年第9期35-38,共4页
采用SMIC 0.18μm 1P6M混合信号CMOS工艺设计了10Gb/s VCSEL电压驱动器,可以用于驱动共阴结构的VCSEL。电路采用了RC负反馈技术和C3A(电容耦合电流放大器)结构,仿真结果表明,电路在10Gb/s速率下工作性能良好,最高可工作至12.5Gb/s。电...
采用SMIC 0.18μm 1P6M混合信号CMOS工艺设计了10Gb/s VCSEL电压驱动器,可以用于驱动共阴结构的VCSEL。电路采用了RC负反馈技术和C3A(电容耦合电流放大器)结构,仿真结果表明,电路在10Gb/s速率下工作性能良好,最高可工作至12.5Gb/s。电路采用1.8V和3.5V电压供电,直流总功耗为164mW。
展开更多
关键词
VCSEL
电压驱动器
rc
负反馈
电容耦合电流放大器
下载PDF
职称材料
题名
0.18μm CMOS工艺10Gb/s VCSEL电压驱动器设计
被引量：
1
1
作者
张玉良
王志功
苗澎
田玲
机构
东南大学射频集成电路与系统教育部工程研究中心
出处
《中国集成电路》
2009年第9期35-38,共4页
基金
国家高技术研究发展计划
40Gb/s甚短距离并行光传输实验系统(2006AA01Z239)
高速芯片之间光互连技术与试验平台(2007AA01Z2a5)资助项目
文摘
采用SMIC 0.18μm 1P6M混合信号CMOS工艺设计了10Gb/s VCSEL电压驱动器,可以用于驱动共阴结构的VCSEL。电路采用了RC负反馈技术和C3A(电容耦合电流放大器)结构,仿真结果表明,电路在10Gb/s速率下工作性能良好,最高可工作至12.5Gb/s。电路采用1.8V和3.5V电压供电,直流总功耗为164mW。
关键词
VCSEL
电压驱动器
rc
负反馈
电容耦合电流放大器
Keywords
VCSEL （ vertical-cavity surface-emitting laser ）
voltage driver
rc
degeneration
C3A（ capacitively-coupled current amplifier ）
分类号
TN43 [电子电信—微电子学与固体电子学]
下载PDF
职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
0.18μm CMOS工艺10Gb/s VCSEL电压驱动器设计
张玉良
王志功
苗澎
田玲
《中国集成电路》
2009
1
下载PDF
职称材料
已选择
0
条
导出题录
引用分析
参考文献
引证文献
统计分析
检索结果
已选文献
上一页
1
下一页
到第
页
确定
用户登录
登录
IP登录
使用帮助
返回顶部
