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题名RC缓冲电路的优化设计
被引量：14
- 1
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作者
杨凤彪
杨怡君
闫英敏
赵霞
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机构
军械工程学院
河北工程大学
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出处
《电气开关》
2008年第5期51-52,70,共3页
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文摘
在电力电子电路中,缓冲电路的设计是一个关键性问题,往往缓冲电路性能的好坏直接影响到系统的品质。缓冲电路就其拓扑机构来说有很多种,在结构上的复杂程度也不一样,主要对应用最多的RC缓冲电路的设计进行讨论。RC缓冲电路结构简单,设计和安装也比较方便,但是一个设计优良的RC缓冲电路同样能收到预期的效果。根据实际研究,给出了一个RC缓冲器的计算实例。
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关键词
rc
缓冲电路
尖峰电压
纹波
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Keywords
buffer circuit
peak voltage
ripple wave
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分类号
TM13
[电气工程—电工理论与新技术]
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题名二极管箝位型三电平变换器关断尖峰电压吸收电路分析
- 2
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作者
尚扬
王永生
魏超
黄海宏
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机构
国网安徽省电力公司六安供电公司
合肥工业大学电气与自动化工程学院
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出处
《电器与能效管理技术》
2023年第11期23-27,34,共6页
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文摘
详细分析了二极管箝位型三电平变换器中功率器件关断尖峰电压产生的原因,探讨了工程上抑制关断尖峰电压的各种方法,并重点分析了常用的尖峰电压吸收电路使用注意事项。结果表明,传统的RCD电压尖峰吸收电路应用在三电平电路中,存在状态转换时若死区时间不足会产生瞬时短路电流的问题,对功率电路造成威胁,采用简化的RC吸收电路较为合适。最后通过仿真对上述分析进行了验证。
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关键词
三电平变换器
关断尖峰电压
分布电感
rc缓冲电路
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Keywords
three-level converter
turn off peak voltage
distributed inductance
rc buffer circuit
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分类号
TM46
[电气工程—电器]
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题名三电平变流器内外管电压不平衡分析
- 3
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作者
尚扬
王永生
魏超
黄海宏
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机构
国网安徽省电力公司六安供电公司
合肥工业大学电气与自动化工程学院
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出处
《电器与能效管理技术》
2023年第5期25-29,共5页
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基金
国家自然科学基金项目(51177037)。
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文摘
三电平变流器在相邻开关状态之间转换时,会发生内外管电压不平衡现象。对其产生机理进行研究,结果表明是由于电路中分布电感对IGBT的CE间等效电容释放能量所导致的,采用RC缓冲电路能有效抑制内外管电压不平衡。最后,对原理进行分析,并通过实验进行验证。
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关键词
三电平变流器
内外管电压不平衡
分布电感
rc缓冲电路
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Keywords
three-level converter
the voltage imbalance between the inner and outer power devices
distributed inductance
rc buffer circuit
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分类号
TM46
[电气工程—电器]
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题名双向晶闸管在有载分接开关中的应用
被引量：3
- 4
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作者
孟宪涛
王熙
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机构
黑龙江八一农垦大学工程学院
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出处
《技术与市场》
2011年第5期18-19,共2页
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文摘
对双向晶闸管的触发电路和过电压RC缓冲电路进行了研究和设计。经理论分析,本设计可以满足10kV电力用户有载调压的需求,具有广阔的发展前景。
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关键词
双向晶闸管
有载分接开关
触发电路
rc缓冲电路
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Keywords
triac
on-load tap-changer
triggering circuit
rc buffer circuit
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分类号
TM403.4
[电气工程—电器]
TN32
[电子电信—物理电子学]
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题名SiC MOSFET特性分析及应用
被引量：1
- 5
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作者
韩芬
张艳肖
石浩
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机构
西安交通大学城市学院电气与信息工程系
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出处
《电子设计工程》
2022年第18期137-141,共5页
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基金
陕西省教育科学“十三五”规划2020年度课题(SGH20Y1380)。
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文摘
碳化硅MOSFET因其材料的特殊性,适合高压、高频和高功率密度场合。该文设计一种碳化硅MOSFET的驱动电路,通过软件PSpice对碳化硅MOSFET以及碳化硅肖特基二极管的开关特性进行仿真研究,并设计RC缓冲电路解决开关的尖峰震荡问题。搭建硬件实验电路,在Buck电路中针对碳化硅MOSFET和Si IGBT在不同负载和占空比下进行电路效率分析。实验结果表明碳化硅MOSFET开关速度快、开关损耗小以及驱动电阻小。碳化硅肖特基二极管无反向恢复特性,适合高频下工作。RC缓冲电路能有效抑制开关产生的尖峰和震荡,在Buck电路中碳化硅MOSFET比Si IGBT在不同负载和占空比下效率要高。
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关键词
SiC
MOSFET
驱动电路
rc缓冲电路
开关特性
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Keywords
SiC MOSFET
driving circuit
rc buffer circuit
switching characteristics
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分类号
TN386.1
[电子电信—物理电子学]
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题名基于晶闸管反并联的有载分接开关的设计
被引量：1
- 6
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作者
张品秀
梁春英
赵斌
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机构
黑龙江八一农垦大学信息技术学院
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出处
《煤炭技术》
CAS
北大核心
2010年第1期195-197,共3页
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文摘
设计了基于晶闸管反并联的有载分接开关的主接线形式,完成了有载分接开关自动调压工作流程的设计,同时还设计了晶闸管的触发电路和过电压RC缓冲电路。经理论分析本设计可以满足10kV电力用户有载调压的需求,具有广阔的发展前景。
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关键词
晶闸管反并联
有载分接开关
触发电路
rc缓冲电路
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Keywords
thyristor counter- parallel
on- load tap - changer
triggering circuit
rc buffer circuit
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分类号
TN34
[电子电信—物理电子学]
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题名CO_2弧焊电源主电路中RC缓冲电路设计
被引量：1
- 7
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作者
朱学来
黄文新
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机构
盐城工学院电气工程学院
南京航空航天大学自动化学院
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出处
《电力自动化设备》
EI
CSCD
北大核心
2009年第11期140-143,共4页
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文摘
全桥逆变CO2弧焊电源主电路IGBT开关动作时,在续流回路中由于负载的巨大变化及变压器的电感作用而形成电流、电压冲击,造成IGBT工作的不稳定。根据弧焊电源的工作原理设计了电弧负载仿真模块,建立了弧焊逆变主电路仿真模型,动态地仿真了焊接过程中负载频繁突变的特点。通过仿真分析得知,在续流过程中IGBT能够理想关断轨迹的条件是续流二极管不开通。根据具体的主电路参数和电路工作的续流初始时刻以及IGBT开通时,缓冲电容放电对参数的影响,计算出合理开关轨迹下RC缓冲电路中的电阻值,根据缓冲回路电阻的功率限制和开关轨迹的要求计算缓冲电容值。试验证明了弧焊逆变主电路仿真模型的正确性、IGBT理想关断轨迹条件的合理性及RC参数设计公式的正确性。
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关键词
弧焊电源
电压浪涌
rc缓冲电路
关断轨迹
电弧负载
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Keywords
arc welding power source
voltage surge
rc buffer circuit
turn-off track
arc load
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分类号
TM13
[电气工程—电工理论与新技术]
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题名基于单片机的有载分接开关控制系统的设计
被引量：1
- 8
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作者
张品秀
韩静
许秀英
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机构
黑龙江八一农垦大学信息技术学院
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出处
《黑龙江八一农垦大学学报》
2009年第6期64-67,共4页
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文摘
为了提高配电变压器的有载分接开关自动调压功能,保证电力系统供电的可靠性,利用电力电子器件及单片机控制技术,设计了以晶闸管反并联作为分接开关的执行机构,配以单片机AT89C52为核心的控制系统来调节配电变压器分接头,进而实现有载分接开关自动稳压的功能。
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关键词
有载分接开关
单片机
控制系统
晶闸管反并联
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Keywords
on-load tap-change（rOLTC）
MCU
control system
rc buffer circuit
counter-parallel thyristor
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分类号
TM571.2
[电气工程—电器]
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题名高压电路中IGBT串联均压方法的研究
- 9
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作者
杨家辉
曹科
李宏
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机构
西安石油大学
陕西高科电力电子有限责任公司
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出处
《工业控制计算机》
2021年第11期122-124,共3页
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文摘
研究了一种静态均压电路和一种动态无源RC-D缓冲均压电路,其目的是解决IGBT串联运行时,各个元器件集射极电压分配不均的问题。简述了无源RC-D缓冲均压电路的工作原理,不但分析了在IGBT不同开关状态下,均压电路中各均压元器件的作用,并且给出了满足要求的均压元器件参数计算方法,最后在Pspice平台下搭建IGBT串联均压的电路模型进行仿真。通过有、无均压电路仿真结果的对比,在3000V直流电压的作用下,模拟电压失衡后,串联IGBT在导通时的电压分配不均现象得到抑制;在导通或者关断过程结束后,集电极电压达到均衡状态,为IGBT串联后的稳定运行提供了保障条件,从而验证了该方案的可行性。
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关键词
IGBT串联
无源rc-D缓冲均压电路
参数计算
PSPICE
仿真
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Keywords
series connection of IGBT
Passive rc-D buffer voltage equalizing circuit
parameter calculation
Pspice
simulation
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分类号
TN322.8
[电子电信—物理电子学]
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