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L波段GaN大功率高效率准单片功率放大器 被引量：6
1
作者 蔺兰峰 周衍芳 +1 位作者 黎明 陶洪琪 《固体电子学研究与进展》 CSCD 北大核心 2017年第6期384-388,共5页
研制了一款基于NEDI 0.25μm GaN功率MMIC工艺的L波段大功率高效率准单片功率放大器。采用两级拓扑结构,以准单片形式实现。输入采用有耗匹配网络提高芯片的稳定性,级间和末级匹配均采用无耗纯电抗网络,其中末级匹配电路通过低损耗陶瓷... 研制了一款基于NEDI 0.25μm GaN功率MMIC工艺的L波段大功率高效率准单片功率放大器。采用两级拓扑结构,以准单片形式实现。输入采用有耗匹配网络提高芯片的稳定性,级间和末级匹配均采用无耗纯电抗网络,其中末级匹配电路通过低损耗陶瓷电路实现。合理规划前级与末级间推动比,降低前级漏电流,减小末级匹配损耗,优化谐波匹配,实现大功率高效率设计。芯片在28V脉冲电压下工作,在1.2~1.4GHz范围内,实测输出功率大于49dBm,功率增益大于25dB,功率附加效率达到73%。管芯部分及输入匹配电路采用GaN功率MMIC工艺制作,输出匹配电路采用低损耗陶瓷片介质加工,两块电路键合一起总面积8.0mm×5.6mm。 展开更多
关键词 GAN L波段 高效率 大功率 准单片
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8.5GHz～10GHz GaAs准单片功率放大器 被引量：2
2
作者 王义 李拂晓 +1 位作者 唐世军 郑维彬 《电子与封装》 2007年第10期29-32,共4页
文章介绍了一种准单片形式的功率放大器,采用南京电子器件研究所研制的12mm栅宽的GaAs pHEMT功率管芯,设计了准单片电路形式的匹配电路,设计所得的功率放大器在8.5GHz^10GHz频带范围内,输出功率典型值为5W,功率增益大于6dB,相对带宽大于... 文章介绍了一种准单片形式的功率放大器,采用南京电子器件研究所研制的12mm栅宽的GaAs pHEMT功率管芯,设计了准单片电路形式的匹配电路,设计所得的功率放大器在8.5GHz^10GHz频带范围内,输出功率典型值为5W,功率增益大于6dB,相对带宽大于16%,典型功率附加效率为25%,输入电压驻波比小于2.5。 展开更多
关键词 GAAS PHEMT 宽带 准单片 功率放大器
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InP DHBT 准单片压控振荡器的设计 被引量：2
3
作者 沈一鸣 陈鹏鹏 +2 位作者 程伟 张君直 黄港膑 《固体电子学研究与进展》 CAS 北大核心 2019年第4期254-258,共5页
设计了一款K波段准单片压控振荡器.其中负阻电路部分采用1.6μm InP DHBT工艺,以单片形式制作,谐振电路及变容管外置,键合引线形式连接负阻单片.当电源电压4V、调谐电压0~15V时,该电路输出频率为17.97~20.13GHz,输出功率大于2dBm,工作电... 设计了一款K波段准单片压控振荡器.其中负阻电路部分采用1.6μm InP DHBT工艺,以单片形式制作,谐振电路及变容管外置,键合引线形式连接负阻单片.当电源电压4V、调谐电压0~15V时,该电路输出频率为17.97~20.13GHz,输出功率大于2dBm,工作电流18mA.当调谐电压13V、输出频率19.95GHz时,相位噪声达到-90.1dBc/Hz@100kHz. 展开更多
关键词 K波段 准单片 压控振荡器 InP双异质结晶体管
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