首先介绍了LPIND(Lateral Positive-Intrinsic-Negative Diode)及其在硅基等离子天线方面的应用,并对LPIND进行建模,仿真分析了不同SOI(Silicon On Insulator)埋层材料对LPIND本征区载流子浓度的影响,仿真结果显示,LPIND的自加热效应会...首先介绍了LPIND(Lateral Positive-Intrinsic-Negative Diode)及其在硅基等离子天线方面的应用,并对LPIND进行建模,仿真分析了不同SOI(Silicon On Insulator)埋层材料对LPIND本征区载流子浓度的影响,仿真结果显示,LPIND的自加热效应会降低本征区载流子浓度,通过改变埋层材料,增加埋层的热导率,可以减弱自加热效应。其次给出了LPIND本征区电导率的仿真结果,完成了基于LPIND的半波偶极子天线的设计与仿真,仿真结果显示,本征区电导率和硅衬底厚度会影响天线的回波损耗(S11)。最后总结了降低LPIND静态功耗的有效设计方法。展开更多
文摘首先介绍了LPIND(Lateral Positive-Intrinsic-Negative Diode)及其在硅基等离子天线方面的应用,并对LPIND进行建模,仿真分析了不同SOI(Silicon On Insulator)埋层材料对LPIND本征区载流子浓度的影响,仿真结果显示,LPIND的自加热效应会降低本征区载流子浓度,通过改变埋层材料,增加埋层的热导率,可以减弱自加热效应。其次给出了LPIND本征区电导率的仿真结果,完成了基于LPIND的半波偶极子天线的设计与仿真,仿真结果显示,本征区电导率和硅衬底厚度会影响天线的回波损耗(S11)。最后总结了降低LPIND静态功耗的有效设计方法。
