用碳热还原法制备多孔氮化硅陶瓷 被引量：14

1

作者 陕绍云 杨建锋 +2 位作者 高积强 张文辉 金志浩 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2006年第4期913-918,共6页

以廉价的二氧化硅和活性碳为起始粉料,用碳热还原法制备了高气孔率,孔结构均匀的多孔氮化硅陶瓷．考察了二氧化硅粉末粒径对多孔氮化硅陶瓷微观组织和力学性能的影响．借助X射线衍射(XRD),扫描电子显微(SEM)和三点弯曲法对多孔氮化硅陶... 以廉价的二氧化硅和活性碳为起始粉料,用碳热还原法制备了高气孔率,孔结构均匀的多孔氮化硅陶瓷．考察了二氧化硅粉末粒径对多孔氮化硅陶瓷微观组织和力学性能的影响．借助X射线衍射(XRD),扫描电子显微(SEM)和三点弯曲法对多孔氮化硅陶瓷的微观组织和力学性能进行了研究．XRD分析表明在烧结后的试样中,除了微量的α-Si3N4相和晶界结晶相Y8Si4N4O14外,其余的都是β-Si3N4相;SEM分析显示多孔氮化硅陶瓷是由柱状β-Si3N4晶粒和均匀的孔组成,通过改变二氧化硅的粒径,制备了不同孔隙率,力学性能优异的多孔氮化硅陶瓷． 展开更多

关键词 碳热还原法 多孔氮化硅陶瓷 微观组织 力学性能

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碳热还原-常压烧结法制备多孔氮化硅陶瓷 被引量：14

2

作者 鲁元 杨建锋 +2 位作者 陆伟忠 高积强 陕绍云 《硅酸盐学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2009年第8期1277-1281,共5页

釆用SiO2和α-Si3N4在氮气中通过碳热还原–常压反应烧结法,原位反应制备了氮化硅多孔陶瓷。由于反应中存在大量的质量损失,烧结的制品为高气孔的材料。通过改变原料中α-Si3N4与SiO2和C粉的相对含量,可以形成具有细小针状结构的β-Si3N... 釆用SiO2和α-Si3N4在氮气中通过碳热还原–常压反应烧结法,原位反应制备了氮化硅多孔陶瓷。由于反应中存在大量的质量损失,烧结的制品为高气孔的材料。通过改变原料中α-Si3N4与SiO2和C粉的相对含量,可以形成具有细小针状结构的β-Si3N4晶粒,以此获得气孔率可控的高性能的多孔氮化硅材料。随着原料中α-Si3N4含量的增大,烧结后,样品的总质量损失逐渐减小,收缩率逐渐降低,气孔率逐渐减小,弯曲强度逐渐增大。当α-Si3N4的质量分数为50%时,碳热还原–常压反应烧结的样品中的β-Si3N4晶粒具有更高的长径比,样品气孔率为68.7%,具有优良的力学性能,弯曲强度达到37.7MPa。 展开更多

关键词 碳热还原 常压烧结法 多孔氮化硅

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三维打印结合反应烧结制备多孔氮化硅陶瓷 被引量：15

3

作者 翁作海 曾庆丰 +2 位作者 谢聪伟 彭军辉 张瑾 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2013年第8期5-7,10,共4页

以硅粉(Si)为起始原料,糊精为粘结剂,采用三维打印(3DP)快速成型技术制备出多孔硅坯体,通过反应烧结得到高孔隙率的氮化硅(Si3N4)陶瓷。研究了反应烧结工艺对3DP多孔Si3N4陶瓷性能的影响。结果表明:3DP成型的硅坯体采用阶梯式升温机制,... 以硅粉(Si)为起始原料,糊精为粘结剂,采用三维打印(3DP)快速成型技术制备出多孔硅坯体,通过反应烧结得到高孔隙率的氮化硅(Si3N4)陶瓷。研究了反应烧结工艺对3DP多孔Si3N4陶瓷性能的影响。结果表明:3DP成型的硅坯体采用阶梯式升温机制,可得到抗弯强度为(5.1±0.3)MPa,孔隙率达(74.3±0.6)%的多孔Si3N4陶瓷。反应烧结后,样品的线收缩率小于2.0%。三维打印结合反应烧结法实现了复杂形状陶瓷构件的无模制造与净尺寸成型。 展开更多

关键词 三维打印 反应烧结 多孔氮化硅 孔隙率 净尺寸成型

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多孔氮化硅陶瓷的研究进展 被引量：13

4

作者 陕绍云 王亚明 +3 位作者 贾庆明 杨建锋 高积强 金志浩 《硅酸盐通报》 CAS CSCD 北大核心 2009年第1期138-142,共5页

综述了多孔氮化硅陶瓷材料的国内外研究现状和进展,介绍了多孔氮化硅陶瓷的主要制备方法,分析了微观组织对多孔氮化硅陶瓷力学性能的影响,并与其他多孔陶瓷进行了性能比较,最后展望了多孔氮化硅陶瓷的发展前景。

关键词 多孔氮化硅 制备方法 微观结构 力学性能

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反应烧结法制备高强度多孔氮化硅陶瓷 被引量：10

5

作者 姚冬旭 曾宇平 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2011年第4期422-426,共5页

以硅粉（Si）为起始原料,氧化钇（Y2O3）为烧结助剂,利用干压成型工艺制备出不同气孔率的多孔硅坯体,通过反应烧结得到高强度多孔氮化硅（Si3N4）陶瓷.研究了Y2O3添加量在不同升温制度下对于氮化率的影响,以及1500~1750℃后烧结对多孔... 以硅粉（Si）为起始原料,氧化钇（Y2O3）为烧结助剂,利用干压成型工艺制备出不同气孔率的多孔硅坯体,通过反应烧结得到高强度多孔氮化硅（Si3N4）陶瓷.研究了Y2O3添加量在不同升温制度下对于氮化率的影响,以及1500~1750℃后烧结对多孔材料强度的影响.结果表明：添加9%Y2O3的样品具有较高的氮化率,主要是Y2O3与Si粉表面的SiO2在较低的温度下反应生成了Y5Si3O12N.在不同的反应条件下可得到气孔率为30%~50%,强度为160~50MPa的样品.在1750、0.5MPa N2气压下对样品进行后处理,α-Si3N4完全转变成柱状β-Si3N4,晶型转变有利于强度提高,气孔率为46%的多孔Si3N4其强度可达140MPa. 展开更多

关键词 反应烧结 多孔氮化硅 强度 气孔率

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多孔氮化硅表面封孔防潮增强涂层的研究(英文) 被引量：6

6

作者 韦其红 王重海 +3 位作者 李伶 王洪升 刘建 高芳 《稀有金属材料与工程》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2012年第S3期278-281,共4页

以Li2O-Al2O3-SiO2体系为基础,添加外加剂,采用溶胶-凝胶法在多孔氮化硅表面制备了封孔防潮涂层,采用扫描电子显微镜（SEM）观察了涂层的微观形貌;用阿基米德法测量了封孔前后基体的密度、吸水率和显气孔率:采用万能试验机测试了封孔前... 以Li2O-Al2O3-SiO2体系为基础,添加外加剂,采用溶胶-凝胶法在多孔氮化硅表面制备了封孔防潮涂层,采用扫描电子显微镜（SEM）观察了涂层的微观形貌;用阿基米德法测量了封孔前后基体的密度、吸水率和显气孔率:采用万能试验机测试了封孔前后材料的抗弯强度;用电弧加热器和毫米波矢量网络分析仪系统测试了在烧蚀条件下的透波性能。结果表明,封孔防潮处理使基体吸水率下降了93.73%至96.74%,,强度提高了8.21%15.56%,封孔后弧板样件的毫米波插入损耗在各频段变化都较小,表明材料在各波段均有良好的高温透波性能。 展开更多

关键词 多孔氮化硅 封孔 防潮涂层

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氮化硅晶须对反应烧结氮化硅多孔陶瓷介电性能的影响 被引量：4

7

作者 胡汉军 周万城 +3 位作者 李坊森 罗发 朱冬梅 徐洁 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2009年第1期109-111,共3页

以硅粉和氮化硅晶须为原料,通过添加30%(质量分数)成孔剂球形颗粒,以聚乙烯醇作粘结剂,采用干压成型工艺,反应烧结制备了多孔氮化硅陶瓷,分析对比了氮化硅晶须对反应烧结氮化硅多孔陶瓷介电性能的影响。实验结果表明,随着氮化硅晶须加... 以硅粉和氮化硅晶须为原料,通过添加30%(质量分数)成孔剂球形颗粒,以聚乙烯醇作粘结剂,采用干压成型工艺,反应烧结制备了多孔氮化硅陶瓷,分析对比了氮化硅晶须对反应烧结氮化硅多孔陶瓷介电性能的影响。实验结果表明,随着氮化硅晶须加入量的升高,氮化硅多孔陶瓷的介电常数和介电损耗都升高,介电性能恶化。 展开更多

关键词 多孔氮化硅 氮化硅晶须 成孔剂 介电

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凝胶注模成型多孔氮化硅陶瓷 被引量：4

8

作者 李孟瑜 张跃 谷景华 《稀有金属材料与工程》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2007年第A01期564-566,共3页

凝胶注模成型最初用来制备致密材料,本文则利用该方法来制备多孔氮化硅陶瓷。通过测试粉体的Zeta电位曲线以及加入分散剂(聚丙烯酸铵)时浆料的流变曲线,探讨了浆料的胶体特性和流变特性。分析了影响制品气孔率的几个因素。结果表明:粉... 凝胶注模成型最初用来制备致密材料,本文则利用该方法来制备多孔氮化硅陶瓷。通过测试粉体的Zeta电位曲线以及加入分散剂(聚丙烯酸铵)时浆料的流变曲线,探讨了浆料的胶体特性和流变特性。分析了影响制品气孔率的几个因素。结果表明:粉体的等电点在pH为6附近,Zeta电位最大值在pH为10处。分散剂的加入使浆料的流体类型逐渐接近于牛顿流体。增加分散剂的含量和降低浆料的固含量可以提高制品的气孔率。 展开更多

关键词 凝胶注模成型 多孔氮化硅 ZETA电位 流变性 气孔率

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烧结工艺对多孔氮化硅陶瓷显微结构和力学性能的影响 被引量：5

9

作者 张敬义 范锦鹏 +3 位作者 刘晓明 周军 郄冬春 张大海 《硅酸盐学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2017年第6期806-810,共5页

采用干压成型工艺和气压烧结方法制备了多孔氮化硅陶瓷。研究了烧结温度和保温时间对多孔氮化硅陶瓷显微结构和力学性能的影响,测定了不同烧结制度下多孔氮化硅陶瓷的气孔率、物相组成、弯曲强度和弹性模量,分析了多孔氮化硅陶瓷的微观... 采用干压成型工艺和气压烧结方法制备了多孔氮化硅陶瓷。研究了烧结温度和保温时间对多孔氮化硅陶瓷显微结构和力学性能的影响,测定了不同烧结制度下多孔氮化硅陶瓷的气孔率、物相组成、弯曲强度和弹性模量,分析了多孔氮化硅陶瓷的微观结构。结果表明:烧结温度的提高可以促进材料的致密化、α→β-Si_3N_4相转变和β-Si_3N_4晶粒的生长,提高材料的弯曲强度。在1 900℃烧结温度条件下,保温15 min获得的多孔氮化硅陶瓷的弯曲强度达到106 MPa,同时保留了较高的气孔率49%。 展开更多

关键词 多孔氮化硅 弯曲强度 密度 烧结温度

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多孔氮化硅陶瓷透波材料研究进展 被引量：5

10

作者 门薇薇 马娜 +1 位作者 轩立新 张明习 《陶瓷学报》 CAS 北大核心 2012年第2期241-245,共5页

多孔氮化硅陶瓷透波材料具有优异的机械性能、耐热性能及介电性能,成为透波材料科学研究领域中的热点之一。本文介绍了多孔氮化硅陶瓷的主要制备技术,并对国内外多孔氮化硅陶瓷透波材料的应用研究进展进行了综述。

关键词 多孔氮化硅 透波材料 天线罩

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基于熔融沉积技术的多孔氮化硅陶瓷制备与烧结研究 被引量：3

11

作者 王飞 李伶 +4 位作者 宋涛 王营营 徐先豹 隋松林 韩卓群 《现代技术陶瓷》 CAS 2023年第5期461-472,共12页

通过增材制造制备复杂结构的多孔氮化硅陶瓷备受关注。然而,由于陶瓷脆而硬的特性不能直接用于挤压成型。因此,开发一种兼备高温流动稳定性、高均匀性双重功能的多孔氮化硅陶瓷喂料的方法,成功解决陶瓷不能直接应用于熔融沉积成型的困... 通过增材制造制备复杂结构的多孔氮化硅陶瓷备受关注。然而,由于陶瓷脆而硬的特性不能直接用于挤压成型。因此,开发一种兼备高温流动稳定性、高均匀性双重功能的多孔氮化硅陶瓷喂料的方法,成功解决陶瓷不能直接应用于熔融沉积成型的困难。即加入石蜡、塑料等有机成分来使陶瓷粉末易于加热为熔融状态,并具有较好的流动性。此外,通过引入表面活性剂、有机粘结剂对陶瓷粉料进行表面改性,提升融合水平。该方法成功地解决了陶瓷不能直接应用于熔融沉积成型的困难,也适用于大范围陶瓷体系基于熔融沉积技术制备,最后对制备的夹层结构陶瓷力热电性能进行测试。 展开更多

关键词 多孔氮化硅 复杂结构 熔融沉积 双重功能

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包覆工艺制备多孔低介电氮化硅陶瓷的研究 被引量：1

12

作者 胡汉军 周万城 +3 位作者 李坊森 罗发 朱冬梅 徐洁 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第9期1480-1482,共3页

以硅粉为原料,通过添加成孔剂球形颗粒,以聚乙烯醇作粘结剂,采用包覆工艺、干压成型,反应烧结制备了多孔氮化硅陶瓷,对比了包覆工艺对实验结果的影响。结果表明,采用包覆工艺较未采用包覆工艺制得的多孔氮化硅陶瓷有着更高的气孔率,宏... 以硅粉为原料,通过添加成孔剂球形颗粒,以聚乙烯醇作粘结剂,采用包覆工艺、干压成型,反应烧结制备了多孔氮化硅陶瓷,对比了包覆工艺对实验结果的影响。结果表明,采用包覆工艺较未采用包覆工艺制得的多孔氮化硅陶瓷有着更高的气孔率,宏观孔分布均匀,有较多的微孔,介电性能良好。 展开更多

关键词 包覆 多孔氮化硅 成孔剂 介电

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高比强多孔Si3N4陶瓷透波材料的研究 被引量：3

13

作者 张伟儒 《中国陶瓷工业》 CAS 2020年第2期11-14,共4页

通过采用Y2O3,Al2O3作为烧结助剂,气氛压力烧结工艺,成功地制备出了高强度多孔Si3N4陶瓷透波材料。通过SEM对材料微观结构进行了研究。实验结果表明:在适当的工艺下可以制得弯曲强度大于160 MPa,气孔率>50%的多孔氮化硅陶瓷。并讨论... 通过采用Y2O3,Al2O3作为烧结助剂,气氛压力烧结工艺,成功地制备出了高强度多孔Si3N4陶瓷透波材料。通过SEM对材料微观结构进行了研究。实验结果表明:在适当的工艺下可以制得弯曲强度大于160 MPa,气孔率>50%的多孔氮化硅陶瓷。并讨论了多孔氮化硅形成的机制和高强度的主要原因。 展开更多

关键词 气氛压力烧结(GPS) 多孔氮化硅 力学性能 透波材料

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多孔氮化硅防潮涂层的制备及性能研究 被引量：2

14

作者 黄文文 王丹 +4 位作者 蒋海峰 皋利利 郭香 张宗波 徐彩虹 《材料保护》 CAS CSCD 北大核心 2020年第4期111-114,共4页

为了解决耐高温天线罩用多孔Si3N4陶瓷材料的易吸潮问题,以有机聚硅氮烷(OPZ)为原材料,通过湿气固化的方式为其制备了防潮涂层,并对OPZ固化前后及高温处理后的化学结构,涂层的微观形貌、防潮性能、浸润性以及介电性能进行了研究。结果表... 为了解决耐高温天线罩用多孔Si3N4陶瓷材料的易吸潮问题,以有机聚硅氮烷(OPZ)为原材料,通过湿气固化的方式为其制备了防潮涂层,并对OPZ固化前后及高温处理后的化学结构,涂层的微观形貌、防潮性能、浸润性以及介电性能进行了研究。结果表明:OPZ固化物以Si-O结构为主,施加涂层后的Si3N4材料仍保持多孔结构,且具有优异的防潮性能,在35℃、90%相对湿度的恒温恒湿箱中72 h后,吸潮率仅为0.15%,且表面水接触角达到131.3°。施加涂层后的多孔Si3N4材料的介电常数及介电损耗分别为3.31和0.0041,比未施加涂层的多孔Si3N4材料具有更为优异的介电性能。由此表明:有机硅氮烷涂层在提高多孔材料的防潮和介电性能等方面具有重要的应用价值。 展开更多

关键词 多孔氮化硅 防潮涂层 有机聚硅氮烷 介电性能

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反应烧结制备多孔β-sialon/Si3N4陶瓷 被引量：2

15

作者 何恩全 岳建设 +1 位作者 王红洁 乔冠军 《硅酸盐学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2010年第8期1459-1462,共4页

以Si粉和Al2O3空心球为原料,采用反应烧结后高温烧结法制备了多孔β-sialon/Si3N4陶瓷。X射线衍射结果表明:在0.25MPa的氮气压力下于1300℃反应烧结2h后在0.25MPa的氮气压力下1700℃及1750℃高温烧结2h,制备的样品的组成为β-sialon(Si6... 以Si粉和Al2O3空心球为原料,采用反应烧结后高温烧结法制备了多孔β-sialon/Si3N4陶瓷。X射线衍射结果表明:在0.25MPa的氮气压力下于1300℃反应烧结2h后在0.25MPa的氮气压力下1700℃及1750℃高温烧结2h,制备的样品的组成为β-sialon(Si6-zAlzOzN8-z,z=3)及β-Si3N4,随着烧结温度由1700℃升高至1750℃,β-sialon的相对质量分数由29.9%增加至56.8%。场发射扫描电镜观察结果表明:1750℃高温烧结样品的显微结构由大孔β-sialon及疏松的β-Si3N4基体组成。1750℃高温烧结后,样品的气孔率为28%,抗弯强度为92.5MPa。 展开更多

关键词 反应烧结 多孔氮化硅 Β-SIALON

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常压烧结制备多孔氮化硅陶瓷研究 被引量：2

16

作者 赵中坚 王萍萍 +3 位作者 胡伟 雷景轩 邬浩 施志伟 《硅酸盐通报》 CAS CSCD 北大核心 2010年第4期976-979,共4页

选用Al2O3、Y2O3、Lu2O3三种氧化物作为烧结助剂,采用凝胶注模成型和气氛保护常压烧结工艺,成功制备了具有高强度和高气孔率的多孔氮化硅陶瓷材料。本文研究了三种烧结助剂对多孔氮化硅的力学性能、介电性能和微观结构的影响,以及对氮... 选用Al2O3、Y2O3、Lu2O3三种氧化物作为烧结助剂,采用凝胶注模成型和气氛保护常压烧结工艺,成功制备了具有高强度和高气孔率的多孔氮化硅陶瓷材料。本文研究了三种烧结助剂对多孔氮化硅的力学性能、介电性能和微观结构的影响,以及对氮化硅陶瓷的烧结促进作用,结果表明Y2O3具有最佳的烧结活性促进作用,其微观结构表明β-Si3N4棒状晶粒搭接结构是使多孔氮化硅陶瓷材料具有较好力学性能的重要原因。 展开更多

关键词 多孔氮化硅 常压烧结 凝胶注模 烧结助剂

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制备工艺对多孔Si_3N_4陶瓷介电性能的影响(英文) 被引量：2

17

作者 李军奇 周万城 +2 位作者 罗发 朱振峰 马建中 《硅酸盐学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2009年第8期1443-1446,共4页

采用添加成孔剂和冰冻–干燥法制备具有不同气孔率(30%～60%)的多孔Si3N4陶瓷,研究了不同制备工艺对多孔Si3N4陶瓷介电性能的影响。结果表明:不同的成型工艺制备出具有不同孔分布的氮化硅多孔陶瓷,添加成孔剂制备的多孔陶瓷具有较大的孔... 采用添加成孔剂和冰冻–干燥法制备具有不同气孔率(30%～60%)的多孔Si3N4陶瓷,研究了不同制备工艺对多孔Si3N4陶瓷介电性能的影响。结果表明:不同的成型工艺制备出具有不同孔分布的氮化硅多孔陶瓷,添加成孔剂制备的多孔陶瓷具有较大的孔,洞分布在致密的基体上;冰冻–干燥法制备的多孔陶瓷具有复合孔分布。对样品的介电特性的研究表明,随着样品的气孔率增加,其介电常数和介电损耗减小;添加成孔剂制备样品的介电常数小于冰冻–干燥法制备样品,而其介电损耗较大,多孔Si3N4陶瓷的介电常数和介电损耗分别在5.21～2.91和9.6×10–3～2.92×10–3范围内变化。 展开更多

关键词 多孔氮化硅陶瓷 成孔剂 冰冻-干燥 介电性能

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多孔氮化硅气密涂层技术研究 被引量：1

18

作者 阚国锦 林朝光 +2 位作者 刘波 周禹 张晓晨 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2022年第13期84-90,共7页

多孔氮化硅陶瓷具有高比强、高比模量、高耐温、抗氧化、耐磨损、低介电性能的特性,可作为一种陶瓷基透波材料应用于飞行器天线罩。为防止高温气流进入飞行器内部,需对多孔氮化硅孔隙结构进行封闭。本工作制备出主要含有α-Si _(3)N _(4... 多孔氮化硅陶瓷具有高比强、高比模量、高耐温、抗氧化、耐磨损、低介电性能的特性,可作为一种陶瓷基透波材料应用于飞行器天线罩。为防止高温气流进入飞行器内部,需对多孔氮化硅孔隙结构进行封闭。本工作制备出主要含有α-Si _(3)N _(4)和β-Si _(5)AlON _(7)两相结晶、厚度约为20μm的气密涂层。为验证涂层气密性,对其进行了气体泄漏测试实验和电弧风洞实验。结果表明:在高温气压环境下,气密涂层可保证多孔氮化硅无气密泄漏,实现了多孔氮化硅气密改性设计;在高速气流冲刷下,气密涂层表面完好,无剥脱现象。气密涂层技术可解决飞行器飞行气动加热环境下多孔氮化硅天线罩的气密问题,对其推广应用具有较大价值。 展开更多

关键词 多孔氮化硅 天线罩 气密涂层 气体泄漏率 风洞

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烧结助剂Al2O3添加量对多孔氮化硅陶瓷特性的影响 被引量：1

19

作者 杨永红 《化工设计通讯》 CAS 2019年第12期162-162,167,共2页

采用稻壳和MgO-Al2O3-NaF复合烧结助剂成功制备出多孔氮化硅陶瓷。探索了烧结助剂Al2O3的添加量对试样线收缩率、显气孔率和强度的影响。结果表明,试样的线收缩率随烧结助剂Al2O3掺量的增加逐渐增大,显气孔率逐渐降低,抗弯强度提高。

关键词 稻壳 AL2O3 多孔氮化硅

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包覆成孔剂法制备高性能多孔氮化硅陶瓷工艺 被引量：1

20

作者 李坊森 周万城 +2 位作者 胡汉军 罗发 朱冬梅 《材料科学与工艺》 EI CAS CSCD 北大核心 2010年第2期199-201,205,共4页

为了制备高强度且分布均匀的氮化硅陶瓷,采用包覆成孔剂法改进普通添加成孔剂的方法,常压烧结氮化硅多孔陶瓷,采用阿基米德法、三点弯曲法分别测试材料的孔隙率及抗弯强度,用扫描电镜和光学放大镜对氮化硅多孔陶瓷显微结构和表观结构进... 为了制备高强度且分布均匀的氮化硅陶瓷,采用包覆成孔剂法改进普通添加成孔剂的方法,常压烧结氮化硅多孔陶瓷,采用阿基米德法、三点弯曲法分别测试材料的孔隙率及抗弯强度,用扫描电镜和光学放大镜对氮化硅多孔陶瓷显微结构和表观结构进行研究.结果表明,添加包覆过的成孔剂强度比添加未包覆的成孔剂强度高,孔隙率为50%时,强度增加近一倍.强度的提高归因于特殊的微观结构,即气孔的均匀分布和孔与孔之间相间隔分布. 展开更多

关键词 包覆成孔剂法 多孔氮化硅陶瓷 抗弯强度 间隔型孔分布

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