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多孔氮化硅陶瓷的制备及应用现状 被引量:10
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作者 吴伟骏 刘军 +2 位作者 张娟 姜楠 洪玮 《中国陶瓷》 CAS CSCD 北大核心 2016年第7期10-13,共4页
综述了多孔氮化硅陶瓷目前的研究进展,介绍了添加造孔剂法,成型和烧结工艺中造孔法,干燥及其它工艺造孔法等方法制备多孔氮化硅陶瓷,最后展望了多孔氮化硅陶瓷在催化剂载体,气体过滤器以及航空透波材料等领域的应用。
关键词 多孔氮化硅 制备工艺 应用
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碳纤维为造孔剂注浆成型制备多孔氮化硅陶瓷 被引量:4
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作者 于方丽 许凤华 +3 位作者 张海鸿 唐健江 田亮 张亚龙 《中国陶瓷》 CAS CSCD 北大核心 2018年第9期23-28,共6页
以α-Si3N4为原料,碳纤维为造孔剂,采用注浆成型工艺制备出多孔氮化硅陶瓷。通过热重-示差扫描量热分析(TGA-DSC)确定了碳纤维的排胶温度,X射线衍射(XRD)及扫描电镜(SEM)分析了试样的物相组成及微观结构。研究结果表明:碳纤维的... 以α-Si3N4为原料,碳纤维为造孔剂,采用注浆成型工艺制备出多孔氮化硅陶瓷。通过热重-示差扫描量热分析(TGA-DSC)确定了碳纤维的排胶温度,X射线衍射(XRD)及扫描电镜(SEM)分析了试样的物相组成及微观结构。研究结果表明:碳纤维的排胶温度为700℃;烧成后试样其主晶相为β-Si3N4相,且碳纤维含量并不会影响试样的物相组成;微观组织中晶粒的长径比较小,随着碳纤维含量的增加,较大的气孔变得不明显,而棒状晶粒的长径比明显变大;烧成后试样的密度降低,气孔率增加,达西渗透系数增大,而弯曲强度明显地呈现下降的趋势,而添加30%到50%的碳纤维时,下降的趋势变小,利于力学性能的提高。 展开更多
关键词 多孔氮化硅陶瓷 碳纤维 注浆成型 制备 达西渗透系数
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氮化硅基多孔陶瓷的制备技术、孔隙结构及其相关性能 被引量:2
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作者 苏睿 黄志锋 +2 位作者 李飞宇 陈斐 沈强 《现代技术陶瓷》 CAS 2016年第2期75-93,共19页
氮化硅多孔陶瓷是近年来得到广泛关注的一类新型的结构?功能一体化陶瓷材料,在航空航天、机械、化工、海洋工程等重要领域有着广阔的应用前景。本文介绍了氮化硅基多孔陶瓷的主要制备技术,回顾了氮化硅基多孔陶瓷力学性能和介电性能的... 氮化硅多孔陶瓷是近年来得到广泛关注的一类新型的结构?功能一体化陶瓷材料,在航空航天、机械、化工、海洋工程等重要领域有着广阔的应用前景。本文介绍了氮化硅基多孔陶瓷的主要制备技术,回顾了氮化硅基多孔陶瓷力学性能和介电性能的研究进展。考虑到高孔隙率氮化硅基多孔陶瓷力学性能难以提高,磷酸盐结合氮化硅基多孔陶瓷已经逐渐成为新的研究热点,因此,本文进一步对磷酸盐结合氮化硅基多孔陶瓷的制备技术、力学性能、介电性能、热学性能进行了综合评述,并对氮化硅基多孔陶瓷的应用前景进行了展望。 展开更多
关键词 氮化硅多孔陶瓷 制备技术 孔隙结构 力学性能 介电性能
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基于多孔Si_3N_4陶瓷基底BN涂层制备与表征 被引量:1
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作者 于方丽 杨建锋 白宇 《中国陶瓷》 CSCD 北大核心 2017年第8期11-15,共5页
在多孔氮化硅陶瓷(Si_3N_4)表面制备氮化硼(BN)涂层,可以提高天线罩的多方面性能,其研究具有重要的工程应用价值。以硼酸(H_3BO_3)及碳黑为原料,利用两种方法制备BN涂层,一种方法是在氮化硅基体表面涂覆H_3BO_3与炭黑,然后在氮气气氛下... 在多孔氮化硅陶瓷(Si_3N_4)表面制备氮化硼(BN)涂层,可以提高天线罩的多方面性能,其研究具有重要的工程应用价值。以硼酸(H_3BO_3)及碳黑为原料,利用两种方法制备BN涂层,一种方法是在氮化硅基体表面涂覆H_3BO_3与炭黑,然后在氮气气氛下烧结制备BN涂层(简称一步法);另一种方法采用H_3BO_3分解在多孔Si_3N_4基体表面制备B_2O_3涂层,然后利用碳热还原反应将B2O3涂层转变为BN涂层(简称两步法),通过X射线衍射分析(XRD)观察了涂层的物相组成,扫描电镜(SEM)观察涂层的形貌及涂层与基体的结合情况。研究结果表明:两种方法制备的涂层由BN组成,无残余B_2O_3,其中一步法制备的涂层表面粗糙,存在大量裂纹和气孔,涂层厚度较厚,大约17μm;两步法制备的涂层结构致密,表面光滑,涂层厚度约为2μm,且与基体结合良好。 展开更多
关键词 多孔氮化硅 氮化硼 涂层 制备 表征
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Mechanical and dielectric properties of porous and wave-transparent Si3N4–Si3N4 composite ceramics fabricated by 3D printing combined with chemical vapor infiltration 被引量:14
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作者 Zanlin CHENG Fang YE +5 位作者 Yongsheng LIU Tianlu QIAO Jianping LI Hailong QIN Laifei CHENG Litong ZHANG 《Journal of Advanced Ceramics》 SCIE CSCD 2019年第3期399-407,共9页
Porous Si3N4–Si3N4 composite ceramics were fabricated by 3D printing combined with low-pressure chemical vapor infiltration(CVI).This technique could effectively improve the designability of porous Si3N4 ceramics and... Porous Si3N4–Si3N4 composite ceramics were fabricated by 3D printing combined with low-pressure chemical vapor infiltration(CVI).This technique could effectively improve the designability of porous Si3N4 ceramics and optimize the mechanical and dielectric properties.The effects of process parameters including the deposition time and heat treatment on the microstructure and properties of porous Si3N4–Si3N4 composite ceramics were studied.The study highlights following:When CVI processing time was increased from 0 to 12 h,the porosity decreased from68.65%to 26.07%and the density increased from 0.99 to 2.02 g/cm3.At the same time,the dielectric constant gradually increased from 1.72 to 3.60;however,the dielectric loss always remained less than0.01,indicating the excellent electromagnetic(EM)wave-transparent performance of porous Si3N4–Si3N4 composite ceramics.The maximum flexural strength of 47±2 MPa was achieved when the deposition time attained 6 h.After heat treatment,the porosity increased from 26.07%to 36.02%and the dielectric constant got a slight increase from 3.60 to 3.70 with the dielectric loss still maintaining lower than 0.01.It has been demonstrated that the porous Si3N4–Si3N4 composite ceramics are a promising structural and EM wave-transparent material suitable for high temperature service. 展开更多
关键词 porous si3n4 ceramicS si3n4si3n4 composite ceramicS MECHAnICAL property electromagnetic(EM) WAVE TRAnSPAREnT performance 3D printing chemical vapor infiltration(CVI)
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氮化硅多孔陶瓷制备技术的研究进展 被引量:11
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作者 李坊森 周万城 +2 位作者 胡汉军 罗发 朱冬梅 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第10期18-21,共4页
多孔氮化硅陶瓷具有优良的机械性能,成为人们研究的热点问题。首次从原料成分设计、成型方法和烧结条件等方面出发阐述了国内外多孔氮化硅陶瓷主要制备技术的最新研究状况,分析了各种制备技术的优缺点,并指出多孔氮化硅陶瓷未来研究的... 多孔氮化硅陶瓷具有优良的机械性能,成为人们研究的热点问题。首次从原料成分设计、成型方法和烧结条件等方面出发阐述了国内外多孔氮化硅陶瓷主要制备技术的最新研究状况,分析了各种制备技术的优缺点,并指出多孔氮化硅陶瓷未来研究的重点是高性能氮化硅陶瓷制备工艺的量化和实际生产的低成本化。 展开更多
关键词 多孔氮化硅陶瓷 成分设计 成型方法 烧结工艺
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原位反应结合多孔Si3N4陶瓷的制备及其介电性能 被引量:6
7
作者 夏咏锋 曾宇平 江东亮 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2008年第4期705-709,共5页
以氮化硅(Si_3N_4)和氧化铝(Al_2O_3)为起始原料,利用原位反应结合技术制备Si_3N_4多孔陶瓷.研究烧结温度和保温时间对Si_3N_4多孔陶瓷的微观结构、力学性能以及介电性能的影响.结果表明:烧结温度在1350℃以下,保温时间<4h时,随着烧... 以氮化硅(Si_3N_4)和氧化铝(Al_2O_3)为起始原料,利用原位反应结合技术制备Si_3N_4多孔陶瓷.研究烧结温度和保温时间对Si_3N_4多孔陶瓷的微观结构、力学性能以及介电性能的影响.结果表明:烧结温度在1350℃以下,保温时间<4h时,随着烧结温度的升高,保温时间的延长,样品的强度和介电常数增大;但条件超出这个范围,结果刚好相反;物相分析表明多孔陶瓷主要由Si_3N_4和Al_2O_3以及Si_3N_4氧化生成的SiO_2(方石英)组成.所制备的多孔Si_3N_4陶瓷的气孔率范围为25.34%~48.86%,抗弯强度为34.77~127.85MPa,介电常数为3.0~4.6,介电损耗约为0.002. 展开更多
关键词 si3n4多孔陶瓷 介电性能 反应结合 气孔率
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神经网络在制备氮化硅多孔陶瓷中的应用 被引量:4
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作者 余娟丽 王红洁 +3 位作者 张健 严友兰 乔冠军 金志浩 《稀有金属材料与工程》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2010年第3期464-468,共5页
以凝胶注模法制备多孔氮化硅陶瓷正交试验结果作为样本,建立3层Back Propagation(BP)神经网络,并进行训练以预测陶瓷性能。通过附加试验值对建立的神经网络预测能力进行验证,证明该BP神经网络模型是有效的,能准确预测多孔氮化硅陶瓷性... 以凝胶注模法制备多孔氮化硅陶瓷正交试验结果作为样本,建立3层Back Propagation(BP)神经网络,并进行训练以预测陶瓷性能。通过附加试验值对建立的神经网络预测能力进行验证,证明该BP神经网络模型是有效的,能准确预测多孔氮化硅陶瓷性能。通过BP神经网络模型研究多孔氮化硅陶瓷性能的结果表明,随着固含量的增加,气孔率单调下降;固含量存在一优化值,此时陶瓷抗弯强度最大;单体含量越大,气孔率越大,而抗弯强度降低。 展开更多
关键词 神经网络 多孔氮化硅陶瓷 抗弯强度 气孔率
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高岭土对多孔Si_3N_4陶瓷常压烧结的影响 被引量:2
9
作者 朱沙沙 徐秀娟 +3 位作者 陈雪霏 仇菁菁 秦东升 于方丽 《中国陶瓷》 CAS CSCD 北大核心 2013年第8期10-12,共3页
以α-Si3N4和高岭土为原料,采用常压烧结制备出多孔Si3N4陶瓷材料。研究了高岭土的加入量对多孔Si3N4陶瓷相组成,显微结构和力学性能的影响。采用阿基米德法和三点弯曲法测试了材料的密度、气孔率及抗弯强度,并用XRD和SEM对相组成和显... 以α-Si3N4和高岭土为原料,采用常压烧结制备出多孔Si3N4陶瓷材料。研究了高岭土的加入量对多孔Si3N4陶瓷相组成,显微结构和力学性能的影响。采用阿基米德法和三点弯曲法测试了材料的密度、气孔率及抗弯强度,并用XRD和SEM对相组成和显微结构进行了研究。结果表明:所制备材料的主晶相为β-Si3N4,微观结构是由棒状颗粒互相搭接组成。随着高岭土含量的增多,其气孔率减小,密度增加。添加20%的高岭土所得多孔Si3N4陶瓷的微观结构及抗弯强度较佳。 展开更多
关键词 多孔si3n4陶瓷 常压烧结 显微结构 力学性能
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磷酸锆结合多孔氮化硅的增强与高温结构稳定性
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作者 李美娟 刘城 +2 位作者 陈海坤 殷子乾 沈强 《武汉理工大学学报》 CAS 北大核心 2020年第8期9-13,共5页
采用磷酸铵盐部分取代磷酸,利用它们分解温度的不同和气相传质作用,控制磷酸锆结合多孔氮化硅陶瓷中的磷酸锆结合相逐级生成,巩固多孔陶瓷的孔壁结构,增强氮化硅晶粒之间的结合。结果表明:通过600℃埋烧后,所制备的多孔氮化硅陶瓷具有... 采用磷酸铵盐部分取代磷酸,利用它们分解温度的不同和气相传质作用,控制磷酸锆结合多孔氮化硅陶瓷中的磷酸锆结合相逐级生成,巩固多孔陶瓷的孔壁结构,增强氮化硅晶粒之间的结合。结果表明:通过600℃埋烧后,所制备的多孔氮化硅陶瓷具有较高的孔隙率,且孔壁中Si_(3)N_(4)晶粒均具有完整的连接结合;经1400℃高温热处理后,多孔陶瓷中的磷酸锆部分分解使材料的孔隙率进一步增大,且主要物相仍为α-Si_(3)N_(4)晶粒,只有少量的α-β相转变;热处理后材料结构稳定且具有较高的力学强度,孔隙率60%样品的抗弯强度超过50MPa,且随着孔隙率的降低而增强显著。 展开更多
关键词 多孔氮化硅陶瓷 磷酸锆结合 高温结构稳定性 力学强度 高温热处理
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烧结温度对Si_3N_4显微结构及性能的影响 被引量:6
11
作者 余娟丽 王红洁 +2 位作者 张健 严友兰 乔冠军 《宇航材料工艺》 CAS CSCD 北大核心 2009年第5期48-51,共4页
文摘基于凝胶分子造孔机理,通过提高凝胶注模工艺中有机单体含量,制备微多孔氮化硅陶瓷,研究了烧结温度对Si3N4微多孔陶瓷烧结体的显微结构、强度、气孔率、孔径等方面的影响。结果表明,温度升高有利于β-Si3N4晶相的生成,烧结温度为168... 文摘基于凝胶分子造孔机理,通过提高凝胶注模工艺中有机单体含量,制备微多孔氮化硅陶瓷,研究了烧结温度对Si3N4微多孔陶瓷烧结体的显微结构、强度、气孔率、孔径等方面的影响。结果表明,温度升高有利于β-Si3N4晶相的生成,烧结温度为1680℃时,氮化硅陶瓷烧结体中α-Si3N4和β-Si3N4并存,当烧结温度为1730和1 780℃时,氮化硅陶瓷烧结体的晶相全部为β-Si3N4;陶瓷烧结体的孔径均<1μm,而且孔径分布范围较窄、较均匀;随着烧结温度的提高,陶瓷烧结体的强度单调上升而气孔率下降。 展开更多
关键词 凝胶注模 微多孔氮化硅陶瓷 烧结温度 强度 气孔率
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凝胶注模成型制备微多孔氮化硅陶瓷 被引量:6
12
作者 余娟丽 王红洁 +1 位作者 张健 张大海 《稀有金属材料与工程》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2009年第A02期340-343,共4页
采用凝胶注模法,在无其它添加剂的条件下,通过提高单体含量,成功制备出高性能微多孔氮化硅陶瓷,陶瓷抗弯强度高达137MPa以上,气孔率高达50%以上,孔中径小于1μm。结果表明:随着有机单体含量的增加,氮化硅微多孔陶瓷气孔率单调增加;随着... 采用凝胶注模法,在无其它添加剂的条件下,通过提高单体含量,成功制备出高性能微多孔氮化硅陶瓷,陶瓷抗弯强度高达137MPa以上,气孔率高达50%以上,孔中径小于1μm。结果表明:随着有机单体含量的增加,氮化硅微多孔陶瓷气孔率单调增加;随着固含量的增大,氮化硅微多孔陶瓷气孔率单调下降,抗弯强度先上升然后又下降,固含量有一优化值,此时陶瓷体抗弯强度最大;随着烧结温度的增加,氮化硅陶瓷强度单调增加,而气孔率单调下降。 展开更多
关键词 凝胶注模 微多孔氮化硅陶瓷 强度 气孔率
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造孔剂对多孔Si_(3)N_(4)陶瓷透气系数的影响
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作者 张电 梁清泉 +2 位作者 刘璇 李延军 刘一军 《耐火材料》 CAS 北大核心 2024年第4期290-296,共7页
为改善多孔Si_(3)N_(4)陶瓷的透气性,以Si粉为原料,Y_(2)O_(3)和CaF_(2)为烧结助剂,粒径为5和20μm的聚甲基丙烯酸甲酯微球为造孔剂,先注凝成型再排胶,最后在氮气气氛中于1650℃保温3 h反应烧结,制备了多孔Si_(3)N_(4)陶瓷。研究了造孔... 为改善多孔Si_(3)N_(4)陶瓷的透气性,以Si粉为原料,Y_(2)O_(3)和CaF_(2)为烧结助剂,粒径为5和20μm的聚甲基丙烯酸甲酯微球为造孔剂,先注凝成型再排胶,最后在氮气气氛中于1650℃保温3 h反应烧结,制备了多孔Si_(3)N_(4)陶瓷。研究了造孔剂粒径和添加量(体积分数分别为0、15%、30%、45%和60%)对多孔Si_(3)N_(4)陶瓷显气孔率、孔径分布、孔结构、透气系数等的影响。结果表明:1)添加造孔剂的试样呈堆积衍生孔和球形演化孔的二级孔结构,孔径呈双峰分布;2)在粒径相同时,随着造孔剂添加量的增加,试样的显气孔率和透气系数增大,而体积密度、弯曲强度、断裂韧性降低;3)相同添加量下,添加5μm的小粒径造孔剂的试样具有更高的显气孔率、透气系数和弯曲强度,采用较小粒径的造孔剂能减小孔壁的厚度,并扩大孔壁内堆积衍生孔的孔径,提高孔壁的渗透性;4)添加体积分数为60%的5μm造孔剂的试样综合性能最优,其显气孔率、透气系数和弯曲强度分别为55.1%、11.6×10^(-14)m^(2)和35.3 MPa。 展开更多
关键词 多孔si_(3)n_(4)陶瓷 造孔剂 孔径分布 孔结构 透气系数
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