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掺杂多晶硅发射极技术研究
1
作者 聂卫东 梅海军 +1 位作者 范建超 孔德义 《微电子技术》 1998年第3期30-36,共7页
本文讨论了掺杂多晶硅发射极工艺技术中的关键影响因素：LPCVD条件、多晶硅股厚、前处理方法、多晶硅膜形成以后的运火状态，并给出了实验结果及流行的理论解释，为采用多晶硅发射极技术进行的集成电路生产和科研提供了一定的参考和技... 本文讨论了掺杂多晶硅发射极工艺技术中的关键影响因素：LPCVD条件、多晶硅股厚、前处理方法、多晶硅膜形成以后的运火状态，并给出了实验结果及流行的理论解释，为采用多晶硅发射极技术进行的集成电路生产和科研提供了一定的参考和技术支撑。 展开更多
关键词 多晶硅发射极 硅双极晶体管 LPCVD放大倍数 发射极电阻
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新型高发光效率等离子体显示技术 被引量：1
2
作者 刘纯亮 张小宁 梁志虎 《真空电子技术》 2009年第6期7-9,16,共4页
对PDP面临的技术瓶颈和发光效率进行了分析,重点介绍了基于纳米多孔多晶硅电子源的新型高发光效率PDP显示技术,简要讨论了无放电气体激发发光技术对PDP未来发展可能产生的影响。
关键词 等离子体显示 发光效率 多孔多晶硅 弹道电子发射源 无放电气体激发
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性能优良的RCA微波功率晶体管
3
作者 蔡勇 张利春 +3 位作者 高玉芝 金海岩 叶红飞 张树丹 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2003年第2期178-182,共5页
首次采用多晶硅发射区 RCA技术制备出微波功率晶体管。在工作频率为 3 .1 GHz时 ,该器件输出功率达到 6W,功率增益达到 1 0 d B。与普通多晶硅发射区 HF晶体管相比 ,此种晶体管具有电流增益 h FE随温度变化小、并且在一定温度下达到饱... 首次采用多晶硅发射区 RCA技术制备出微波功率晶体管。在工作频率为 3 .1 GHz时 ,该器件输出功率达到 6W,功率增益达到 1 0 d B。与普通多晶硅发射区 HF晶体管相比 ,此种晶体管具有电流增益 h FE随温度变化小、并且在一定温度下达到饱和的优点 ,从而可以在一定程度上抑制微波双极功率晶体管由于温度分布不均匀导致的电流集中。文中还讨论了不同的杂质激活条件对 展开更多
关键词 RCA 微波功率晶体管 多晶硅发射区 氯化层 电流增益 双极功率晶体管 直流增益
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一种2GHz512/256静态分频器电路的设计
4
作者 莫邦燹 倪学文 宁宝俊 《微电子学》 CAS CSCD 北大核心 2000年第3期147-149,共3页
介绍了一种超高速 51 2 /2 56分频器电路的设计 ,其基本结构采用静态主从 D触发器。电路采用先进的单层多晶硅发射极双极工艺制造 ,使用 3μm设计规则 ,电路的最高工作频率达到 2GHz。
关键词 ECL电路 静态分频器 电路设计
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掺砷多晶硅发射极RCA晶体管 被引量：2
5
作者 张利春 叶红飞 +2 位作者 金雪林 高玉芝 宁宝俊 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2000年第7期697-704,共8页
研究了掺砷多晶硅发射极 RCA晶体管的工艺实验技术 .以先进多晶硅发射极器件制备工艺为基础 ,在淀积发射极多晶硅之前 ,用 RCA氧化的方法制备了一层超薄氧化层 ,并采用氮气快速热退火的方法处理 RCA氧化层 ,制备出可用于低温超高速双极... 研究了掺砷多晶硅发射极 RCA晶体管的工艺实验技术 .以先进多晶硅发射极器件制备工艺为基础 ,在淀积发射极多晶硅之前 ,用 RCA氧化的方法制备了一层超薄氧化层 ,并采用氮气快速热退火的方法处理 RCA氧化层 ,制备出可用于低温超高速双极集成电路的掺砷多晶硅发射极 RCA晶体管 .晶体管的电流增益在 - 55— + 1 2 5℃温度范围内的变化率小于 1 5% ,而且速度快 ,发射区尺寸为 4× 1 0μm2 的 RCA晶体管其特征频率可达 3.3GHz. 展开更多
关键词 RCA晶体管 多晶硅发射极 掺砷
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多晶硅发射极精确制造工艺研究
6
作者 杨小兵 孙金池 盖兆宇 《集成电路应用》 2023年第1期40-43,共4页
阐述针对多晶硅发射极制造工艺的研究,包括干法刻蚀工艺气体组分和流量、射频源功率、过刻时间对多晶硅刻蚀速率、Poly-Silicon/SiO_(2)选择比、CD尺寸侧向钻蚀等刻蚀性能的影响,最终得出适合多晶硅发射极图形的优化多晶硅干法刻蚀条件... 阐述针对多晶硅发射极制造工艺的研究,包括干法刻蚀工艺气体组分和流量、射频源功率、过刻时间对多晶硅刻蚀速率、Poly-Silicon/SiO_(2)选择比、CD尺寸侧向钻蚀等刻蚀性能的影响,最终得出适合多晶硅发射极图形的优化多晶硅干法刻蚀条件,CD尺寸侧向钻蚀小于0.5μm。 展开更多
关键词 多晶硅刻蚀 侧向钻蚀 多晶硅发射极刻蚀选择比 过刻蚀
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低温、小电流、高增益硅双极晶体管的研究与设计
7
作者 肖冰 王长河 白淑华 《半导体情报》 1993年第3期10-18,共9页
介绍了一种用于低温、小注入电流条件下工作的新型多晶硅发射区双极晶体管,并给出了晶体管电流增益的低温模型。该模型考虑了低温下多子和少子的冻析效应、禁带变窄效应、Auger复合、多晶硅发射效率增强效应等。在此基础上,通过用SUPREM... 介绍了一种用于低温、小注入电流条件下工作的新型多晶硅发射区双极晶体管,并给出了晶体管电流增益的低温模型。该模型考虑了低温下多子和少子的冻析效应、禁带变窄效应、Auger复合、多晶硅发射效率增强效应等。在此基础上,通过用SUPREM-Ⅲ和PISCES-Ⅱ进行了工艺模拟和器件模拟,最后完成了实际版图制作和工艺流水。对管子的测试表明,该晶体管具有极好的小电流特性,在0.5μA的注入电流下其共射电流放大倍数可高达1000,在低温(77K)下其β仍可达70左右,能够正常工作。 展开更多
关键词 双极晶体管 多晶硅 发射 电流增益
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